半導(dǎo)體光催化基礎(chǔ)第四章-納米二氧化鈦(更新版)
【正文】 是在用提拉法、噴霧法等制備納晶薄膜的研究中，更有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。 ? 但納米粒子很難以單一粒子存在而是由若干粒子團(tuán)聚為直徑約 。 ? 物理方法：自上而下 ? 化學(xué)方法：自下而上 納米 TiO2的制備方法 ? 納米 TiO2的制備方法，主要有氣相反應(yīng)法和液相合成法。 每個(gè)八面體與相鄰的 8個(gè)八面體接觸（ 4個(gè)分居晶棱，另 4個(gè)分居晶角）。這種大于帶隙的激發(fā)能被利用的過程稱為熱載流子注入或熱載流子效應(yīng)。 如 1~10nm的超微粒中 ， 所包含的原子數(shù)目小于 103~104個(gè)時(shí) ， 表面原子占原子總數(shù)的比例為： %50%200)( ??As u r fANN 表面效應(yīng) ? 表面原子數(shù)目的增加，意味著表面不飽和鍵濃度和表面態(tài)密度的增高，這種高表面能的表面極不穩(wěn)定，易與其他原子結(jié)合，因而有更多的表面原子參與反應(yīng)，將會(huì)顯著提高材料的利用效率和反應(yīng)速度。 ? （ 3） 二維量子阱：空間中有一維處在納米尺度 。第四章 納米半導(dǎo)體與 納米二氧化鈦 納米材料的基本概念 ? 所謂納米材料，是指晶粒尺度介于原子簇和通常所說(shuō)的尺度大于亞微米粒子之間的超細(xì)材料，其晶粒尺寸一般為 1~100nm。 ? （ 2） 一維量子線：指空間中有兩維處于納米尺寸的材料 ， 如納米絲 ， 納米棒 ， 納米管等 。 反應(yīng) PbSe HgSe CdSe 5nm 100nm 5nm 100nm 5nm 100nm H+ + e →1/2H 2 Yes No Yes No MV2+ + e → MV + Yes No CO2 +2H+ +2e → HCOOH Yes No 表 幾種半導(dǎo)體的光活性與粒度的關(guān)系 表面效應(yīng) ? 隨著半導(dǎo)體微粒尺寸的減小 ， 粒子中包含的原子數(shù)目也相應(yīng)減少 ， 但表面原子所占的比例卻迅速增大 。因此，碰撞幾率大大減少，熱損失可顯著降低并以熱動(dòng)能形式提高電荷轉(zhuǎn)移速度，相應(yīng)地提高了能量轉(zhuǎn)換效率。斜方晶系。 研究方法和手段： IR, TPD,XPS, TGDTA, LEIS 納米 TiO2的制備方法 ? 納米材料的制備方法，大體可劃分為兩大類，即物理方法和化學(xué)方法 。 15 m2/g， ? 平均粒徑 21 nm， 90%的微粒分布于 938 nm 的范圍。 ? 酸的作用是：一方面加快水解，一方面延緩縮合，提供適宜的反應(yīng)環(huán)境。 銳鈦礦的 XRD標(biāo)準(zhǔn)圖譜 金紅石 XRD標(biāo)準(zhǔn)圖譜 由 XRD 圖譜還可以獲得哪些信息？ ? 在 A， R兩種晶相共存的體系中 ， A組分的百分含量可由下式算出： ? f=1/（ 1+（ IR/IA）） ? 式中 f樣品中 ATiO2的百分含量 ? IA， IR— 分別為 XRD譜中 ， A和 R的主
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