左手材料-負折射率材料(更新版)
【正文】 7401 Fig 12 (a) Experimental setup (not to scale). (b) Propagation vectors for positive and negative refraction. (c) –(f ) Microwave electric field maps in the far field region. (c) Negative and (e) positive refraction by the metallic PC prism for the incident beam along ?！?K (incident angle 30? ). WF(wave front) with respect to refracting surface. (d) Negative refraction for the incident beam along ?！? M (incidence angle 60?). (f ) Positive refraction by a polystyrene prism. In all the field maps, approximate area of each field map is 43 40 cm2. 光子晶體的 “ 等效負折射率 ” 可以由構(gòu)成材料的電介質(zhì)的介電常數(shù)和材料周期性來調(diào)整 ， 而且在高頻率下有著很低的電磁損耗 ， 三維 PC比較容易制成 ， 因此 PC比左手材料更容易實現(xiàn)紅外和光學(xué)頻率下的應(yīng)用 。 ?“ 完美透鏡 ” (Perfect Lens)的概念與應(yīng)用 ?傳統(tǒng)透鏡的分辨率限制 (diffraction limit)： ?x~2?/k=? 這也是造成 DVD讀寫密度限制和光刻電路密度限制的主要原因 。 ? 電磁輻射對反射體造成的光壓，在左手材料的環(huán)境之中形成對反射體的拉曳力，而不是如在一般介質(zhì)中的壓力。 因此在左手材料中 ， （ 它的方向代表電磁波相速的方向 ） 和 的方向相反 。左手材料 (LeftHanded Metamaterials)及負折射率的研究進展 左手材料 （ LHM） 與負折射率 在經(jīng)典電動力學(xué)中 ， 介質(zhì)的電磁性質(zhì)可以用介電常數(shù) ε和磁導(dǎo)率 μ 兩個宏觀參數(shù)來描述 。 由于電磁波能流的方向取決于玻印廷矢量 S的方向 ，而 ， 即 、 、 始終構(gòu)成右手螺旋關(guān)系 。 反常的 Cerenkov效應(yīng)和光壓 ? 在 Cerenkov 輻射效應(yīng)中 ， 當(dāng)一個粒子在介質(zhì)中以速度 v 沿一直線運動 ， 其輻射出的場會遵循 的形式 ， 波向量 k (k=kz/cos?) 的方向會主要順著 v的方向 ， 但 kr 方向分量則在一般介質(zhì)與左手材料中恰好會完全相反 。 Shelby R. ,Smith . ,et al ,Science ,2021,292,77 負折射率的應(yīng)用發(fā)展前景 負折射率材料可以用于平板透鏡 ， 光束控制 ， 耦合器等方面 。 在一定條件下 ， 它也可以表現(xiàn)出負折射率的現(xiàn)象 。
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