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多功能數(shù)字電壓表、萬年歷和溫度測試器(更新版)

2024-10-24 18:49上一頁面

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【正文】 LK=0。 } // **************************** // // ************向 DS1302 寫一字節(jié)數(shù)據(jù), address 為命令字節(jié) void DelayMS(uint xms) { uint i,j。 lcden=1。 P0=。 //=============== sbit LED=P2^0。 sbit lcdrs=P3^5。 uchar DS1302[8]={0,0,0,0,0,0,0,0}。DelayMS(20)。DelayMS(20)。 //ADC 數(shù)據(jù)處理 write_(0x80+0x40)。 //1602 初始化 write_(0x80)。Delayus(5)。Delayus(5)。 write_(0x01)。 DelayMS(5)。 P1=。 for(i=xms。 float ADC_number,ADC_shiji 。通過鍵盤掃描和掃描處理函數(shù),實現(xiàn)鍵 盤的模式切換功能。光刻 ROM 的作用是使每一個 DS18B20 都各不相同,這樣就可以實現(xiàn)一根總線上掛接多個 DS18B20 的目的。 繼 一線總線 的早期產(chǎn)品后, DS1820 開辟了溫度傳感器技術(shù)的新概念。176。 DS1822 的精度較差為 177。 ( 6) DS18B20 DALLAS 最新單線數(shù)字溫度傳感器 DS18B20 簡介新的 一線器件 體積更小、適用電壓更寬、更 經(jīng)濟(jì) Dallas 半導(dǎo)體公司的數(shù)字化溫度傳感器 DS1820 是世界上第一片支持 一線總線 接口的溫度傳感器。同樣,在緊跟 8位的控制指令字后的下一個 SCLK脈沖 的下降沿讀出 DS1302 的數(shù)據(jù),讀出數(shù)據(jù)時從低位 0位到高位 7 DS1302 的寄存器 DS1302 有 12 個寄存器,其中有 7個寄存器與日歷、時鐘相關(guān),存放的數(shù)據(jù)位為 BCD 碼形式 ,其日歷、時間寄存器及其控制字見表 1。只有在 SCLK 為低電平時,才能將 RST置為高電平。當(dāng) Vcc2大于 Vcc1+ 時, Vcc2給 DS1302 供電。關(guān)于核磁共振輸入高電平覆蓋時鐘, 并設(shè)置輸出低。 其與單片機(jī)的連接如下圖所示 (4)74HC393 該 74HCT393 是高速硅柵 CMOS 器件并具有低功耗肖特基針 TTL兼容(輸入通道)。 第 3 腳: VL 為液晶顯示器對比度調(diào)整端,接正電源時對比度最弱,接地時對比度最高,對比度過高時會產(chǎn)生 “ 鬼影 ” ,使用時可以通過一個 10K 的電位器調(diào)整對比度。 5) 當(dāng) EOC 變?yōu)楦唠娖綍r,這時給 OE 為高電平,轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)就輸出給單片機(jī)了。用于控制三態(tài)輸出鎖存器向單片機(jī)輸出轉(zhuǎn)換得到的數(shù)據(jù)。 CLK—— 時鐘信號。 4)低功耗,約 15mW。石晶振蕩和陶瓷振蕩均可采用。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時,這兩次有效的 /PSEN 信號將不出現(xiàn)。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時目的。當(dāng) P3 口寫入“ 1”后,它們被內(nèi)部上拉為高電平,并用作輸入。在 FLASH編程和校驗時, P1 口作為第八位地址接收。 單片機(jī)引腳結(jié)果及說明 如圖 11所示 圖 11 VCC:供電電壓。 該系統(tǒng)利用 AT89S51芯片控制溫度傳感器 DS18B20進(jìn)行實時溫度檢測并顯示,能夠?qū)崿F(xiàn)快速測量環(huán)境溫度,并可以根據(jù)需要設(shè)定上下限報警溫度。 設(shè)計方框圖 如下 溫度測 試與萬年歷 采用數(shù)字溫度芯片 DS18B20 測量溫度,輸出信號全數(shù)字化。 近些年我國開始重視對電子萬年歷的開發(fā)與設(shè)計,但是中國電子萬年歷產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)的問題中,許多不容樂觀 ,如產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)不合理、 產(chǎn)業(yè)集中于勞動力密集型產(chǎn)品;技術(shù)密集型產(chǎn)品明顯落后于發(fā)達(dá)工業(yè)國家;生產(chǎn)要素決定性作用正在削弱;產(chǎn)業(yè)能源消耗大、產(chǎn)出率低、環(huán)境污染嚴(yán)重、對自然資源破壞力大;企業(yè)總體規(guī)模偏小、技術(shù)創(chuàng)新能力薄弱、管理水平落后等 。 本論文重點(diǎn)介紹單片機(jī)的數(shù)字電壓表 、萬年歷、溫測的工作原理。 5伏, 萬年歷可顯示月、日、時、分、秒,溫度計可顯示現(xiàn)場周圍溫度, 使用 LCD 液晶模塊顯示。本文首先簡要介紹了設(shè)計電壓表 、萬年歷、溫測 的主要方式以及單片機(jī)系統(tǒng)的優(yōu)勢;然后詳細(xì)介紹了直流數(shù)字電壓 、 表 萬年歷、溫測 的設(shè)計流程,以及硬件系統(tǒng)和軟件系統(tǒng)的設(shè)計,并給出了硬件電路的設(shè)計細(xì)節(jié),包括各部分電路的走向、芯片的選擇以及方案的可行性分析等。 目前,市場上的主要使用的電壓表有:指針式電壓表和 數(shù)字 電壓表兩種。 通過查閱資料完成對 數(shù)字電壓表 將程序鍵入可以顯示 0177。在 0—100 攝氏度時,最大線形偏差小于 1 攝氏度。使用 Atmel公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造,與工業(yè) 80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。當(dāng)P1 口的管腳第一次寫 1 時,被定義為高阻輸入。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 RST:復(fù)位輸入。此時, ALE只有在執(zhí)行 MOVX, MOVC 指令是 ALE 才起作用。在 FLASH 編程期間,此引腳也用于施加 12V 編程電源。 ( 2) 8位 A/D轉(zhuǎn)換器芯片 ADC0809 DC0809是帶有 8位 A/D轉(zhuǎn)換器、 8路多路開關(guān)以及微處理機(jī)兼容的控制邏輯的CMOS組件。 START—— 轉(zhuǎn)換啟動信號。 EOC=0,正在進(jìn)行轉(zhuǎn)換; EOC=1,轉(zhuǎn)換結(jié)束。 Vref—— 參考電源參考電壓用來與輸入的模擬信號進(jìn)行比較,作為逐次逼近的基準(zhǔn)。這就是 LCD 顯示的基本原理。當(dāng) RS和 R/W 共同為低電平時可以寫入指令或者顯示地址,當(dāng) RS 為低電平 R/W 為高電平時可以讀忙信號,當(dāng) RS 為高電平 R/W 為低電平時可以寫入數(shù)據(jù)。對每個“ 393”一半的運(yùn)作是一樣的“ 93”只是沒有外部時鐘時,連接需要相同。 DS1302內(nèi)部有一個 318 的用于臨時性存放數(shù)據(jù)的 RAM寄存器。 RST 是復(fù)位 /片選線,通過把RST輸入驅(qū)動置高電平來啟動所有的數(shù)據(jù)傳送。 DS1302 的控制字節(jié) DS1302 的控制字如圖 2所示。 DS1302 與 RAM 相關(guān)的寄存器分為兩類:一類是單個 RAM 單元,共 31 個,每個單元組態(tài)為一個 8位的字節(jié),其命令控制字為 C0H~ FDH,其中奇數(shù)為讀操作,偶數(shù)為寫操作;另一類為突發(fā)方式下的 RAM寄存器,此方式下可一次性讀寫所有的 RAM 的 31 個字節(jié),命令控制字為 FEH(寫 )、 FFH(讀 )。C~+125176?,F(xiàn)場溫度直接以 一線總線 的數(shù)字方式傳輸,大大提高了系統(tǒng)的抗干擾 性。分辨率設(shè)定,及用戶設(shè)定的報警溫度存儲在 EEPROM 中,掉電后依然保存。℃ ; 3) 可編程的分辨率為 9~12 位,對應(yīng)的可分辨溫度分別為 ℃ 、 ℃ 、℃ 和 ℃ ; 4) 12 位分辨率時最多在 750ms 內(nèi)把溫度值轉(zhuǎn)換為數(shù)字; 5) 負(fù)壓特性:電源極性接反時,溫度計不會因發(fā)熱而燒毀,但不能正常工作。 例如 +125℃ 的數(shù)字輸出為 07D0H, +℃ 的數(shù)字輸出為 0191H, ℃的數(shù)字輸出為 FF6FH, 55℃ 的數(shù)字輸出為 FC90H。 萬年歷總流程圖 系統(tǒng)軟件設(shè)計總流程圖 溫度檢測 溫度檢測總流程圖 DS18B20在單片機(jī)控制下分三個階段 : ● 18B20 初始化:初始化流程圖見 ●讀 18B20時序:讀 DS18B20流程見圖 : ●寫 18B20時序:寫 18B20 流程見圖 圖 DS18B20流程圖 圖 DS18B20流程圖 5軟硬件聯(lián)調(diào) ............................................... .......... 6總結(jié) ............................................... .......... 設(shè)計中遇到的問題和解決方案 ....................... ............. 對本次設(shè)計的展望 .................................... 參考文獻(xiàn) .......................................... ...... .... . ...... ... 附錄 1: 源程序代碼 1) 數(shù)字電壓表程序 include //頭文件 define uchar unsigned char // define uint unsigned int // // ***********ADC************* / //========ADC0809=相關(guān)管腳設(shè)置以及變量定義 =================== sbit ADC_ST=P3^0。 sbit lcden=P3^4。j0。 //EN=1。 lcden=0。 shi=ADC_xianshi%100/10。 while(ADC_EOC==0)。 Delayus(5)。num++) //顯示崔龍飛 { write_data(table[num])。 write_data(0x30+bai)。)。 } } 2)萬年歷程序 include define uchar unsigned char define uint unsigned int uint num,num1,num2,num3。 //時間各位顯示的數(shù)值 uchar BitCode=0x80。 sbit K3=P1^6。x0。 delay(5)。 } void init() { lcden=0。i) for(j=115。//_HIGH。 DS_SCLK=1。j++) { if(WriteDataamp。 DS_SCLK=0。//_LOW。 else DS_IO=0。 for(i=0。 DS_SCLK=1。i++) DS1302[i]=ReadByte(0x80+2*i+1)。0x0f)。0x0f)。0x0f)。 WriteByte(0x86,((date/10)4|(date%10)))。DelayMS(1)。 write_data(0x30+month%10)。DelayMS(1)。 write_data(39。:39。)。 if(K4==0) { temp=0x07。 DelayMS(5)。DelayMS(1)。write_(0x10)。 break。 write_(0x80+0x4c)。 DelayMS(1)。 if(hour=24) {hour=0。 } case 4: { date++。 break。DelayMS(1)。 DelayMS(1)。 write_data(0x30+sec/10)。 write_data(0x30+min/10)。 write_(0x80+0x46)。 DelayMS(1)。 if(month==0) month=12。 } /* case 6: { year。 } */ } temp=0x0F。 } WriteByte(0x80,ReadByte(0x81)amp。 if(TimeFlag) { ReadDS1302()。 uint ADC_xianshi。 // **********延時程序 *********** // // // // ********************* // //================毫秒級的延時程序 =============== void DelayMS(uint xms) { uint i,j。 //RS=0。 P1=date。 write_(0x
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