【正文】 KNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。MuWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z84! z89Amv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWpazadNuKNamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^GjqvadNuKNamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。QA9wkxFyeQ^! djsXuyUP2kNXpRWXm Aamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。QA9wkxFyeQ^! djsXuyUP2kNXpRWXm Aamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpE h5pDx2zVkum amp。最后就是要對(duì)版圖進(jìn)行一系列的檢查，這樣才能確保版圖的正確性和可用性 。 LVS 通常在 DRC 檢查無誤后進(jìn)行，它是版圖驗(yàn)證必做的另一個(gè)項(xiàng)目。 集成電路版圖常規(guī)驗(yàn)證項(xiàng)目包括下列 2 項(xiàng)： DRC（ Design Rule Check）設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 設(shè)計(jì)規(guī)則是集成電路版圖各種幾何圖形尺寸的規(guī)范， DRC 是在產(chǎn)生 掩模版圖形之前，按照設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)版圖幾何圖形的寬度、間距及層與層之間的相對(duì)位置（間距和套準(zhǔn)）等進(jìn)行檢查，一確保設(shè)計(jì)的版圖沒有違反預(yù)定的設(shè)計(jì)規(guī)則，能在特定的集成電路制造工藝下流片成功，并且具有較高的成品率。如 12 12 圖 34 最小延伸 除了上面所說的最小尺寸外，還要遵循一些最大允許尺寸，例如，為了避免“起波”問題，長(zhǎng)金屬線的最小寬度通常應(yīng)大于段金屬線的最小寬度。缺點(diǎn)是對(duì)于一個(gè)設(shè)計(jì)級(jí)別，就要有一整套數(shù)字，而不能按比例放大、縮小。 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 集成電路的制造必然受到工藝技術(shù)水平的限制，受到器件物理參數(shù)的制約，為了保證器件正確工作和提高芯片的成品率，要求設(shè)計(jì)者在版圖設(shè)計(jì)時(shí)遵循一定 10 10 的設(shè)計(jì)規(guī)則，這些設(shè)計(jì)規(guī)則直接由流片廠家提供。近年來迅速發(fā)展的計(jì)算機(jī)、通信、嵌入式或便攜式設(shè)備中集成電路的高性能低功耗運(yùn)行都離不開集成電路掩模版圖的精心設(shè)計(jì)。為了降低靜態(tài)功耗，圖 21 所示的 ROM陣列中的 pMOS 負(fù)載晶體管由一個(gè)周期性預(yù)充電信號(hào)驅(qū)動(dòng)，這樣就構(gòu)成了一個(gè)動(dòng)態(tài) ROM。因此，在一個(gè)特定的地址存儲(chǔ)二進(jìn)制信息，可以通過被選行（字線）與被選列（位線）間有無數(shù)路徑（相當(dāng)于在特定位置有無元件）來實(shí)現(xiàn)。編程時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和選擇柵都加上較高的編程電壓，源極則接地。 5 5 圖 12 MTJ 元件結(jié)構(gòu)示意圖 MRAM 當(dāng)前面臨的主要技術(shù)挑戰(zhàn)就是磁致電阻太過微弱，兩個(gè)狀態(tài)之間的電阻只有 30%~40%的差異，讀寫過程要識(shí)別出這種差異的話，還有一定的難度。 磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 (MRAM) 從原理上講， MRAM 的設(shè)計(jì)是非常誘人的，它 通過控制鐵磁體中的電子旋轉(zhuǎn)方向來達(dá)到改變讀取電流大小的目的，從而使其具備二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FeRAM)就是基于 DRO 工作模式。 非易失性存儲(chǔ)器（ NVW） 隨著集成電路的高速發(fā)展， MOS 電路地位越來越重要 ， MOS 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)在電路中廣泛應(yīng)用?？梢姡瑢?duì)這樣的存儲(chǔ)電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反 ,所以要通過讀出放大器進(jìn)行反相在送往 數(shù)據(jù)總線。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)， DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（ refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。按其功能可分為：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱 RAM）和只讀存儲(chǔ)器（只讀 ROM） 。 本文還闡述了關(guān)于版圖設(shè)計(jì)方面的相關(guān)知識(shí)。 NOR。 ROM 主要用于 BIOS 存儲(chǔ)器。 動(dòng)態(tài) RAM 也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組成的。所以在主板上 SRAM 存儲(chǔ)器要占用一部分面積。最近基于浮柵概念的閃存由于其小的單元尺寸和良好的工作性能已經(jīng)成為最通用的非易失存儲(chǔ)器。目前，市場(chǎng) 上的鐵電存儲(chǔ)器全部都是采用這種工作模式。由于 GMR 元件需較大電流成為無法突破的難點(diǎn)，因此無法達(dá)到高密度存儲(chǔ)器的要求。 浮柵場(chǎng)效應(yīng)管 非易失存儲(chǔ)器就是利用基于浮柵結(jié)構(gòu)的閃存器。由于浮柵為負(fù)， 所以選擇柵為正，在存儲(chǔ)器電路中，源極接地，所以相當(dāng)于場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，漏極電平為低，即數(shù)據(jù) 0 被寫入。在此圖中，每一列有一個(gè)偽 nMOS NOR 門構(gòu)成，每個(gè)門都有一些行信號(hào)即字線驅(qū)動(dòng)。圖 22 所示為在一個(gè) NOR ROM 陣列中， 4 個(gè) nMOS 晶體管形成了有兩條金屬位線和兩條多晶硅字線的交點(diǎn)。 版圖設(shè)計(jì)是創(chuàng)建工程制圖（網(wǎng)表）的精確的物理描述的過程，而這一物理描述遵守由制造工藝、設(shè)計(jì)流程以及通過仿真顯示為可行的性能要求所帶來的一系列約束。優(yōu)點(diǎn)：版圖設(shè)計(jì)獨(dú)立于工藝和實(shí)際尺寸 。在利用 DRC(設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 )對(duì)版圖進(jìn)行幾何規(guī)則檢查時(shí)，對(duì)于寬度低于規(guī)則中指定的最小寬度的幾何圖形，計(jì)算機(jī)將給出錯(cuò)誤提示。因此，亞微米 CMOS 工藝通常限制了這種幾何圖形的總面積，從而將柵氧化層被迫壞的可能性減到最小，如果有必要使用大面積的幾何圖形，就必須像一樣，斷開第一層金屬。 LVS(Layout Versus Schematic)版圖和電路圖一致性檢查 LVS 是把設(shè)計(jì)好的版圖和電路圖進(jìn)行對(duì)照和比較，要求兩者達(dá)到完全一致，原則上應(yīng)對(duì)一 下級(jí)方面進(jìn)行驗(yàn)證： 1）所有信號(hào)的電氣連接關(guān)系。雖然目前非易失存儲(chǔ)器最先進(jìn)就是閃存， 生產(chǎn)商們正在開發(fā)多種新技術(shù)，以便使閃存 也擁有像 DRAM 和 SDRAM 那樣的高速、低價(jià)、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。 18 18 參考文獻(xiàn) [1] SungMo Kang 著 . CMOS 數(shù)字集成電路 .美國(guó)：電子工業(yè)出版社 .2021 [2] Kang 著 . IC 版圖設(shè)計(jì)通用方法 .美國(guó)：電子工業(yè)出版社 .1996 [3]陸瑞強(qiáng)等著 .集成電路設(shè)計(jì)與布局實(shí)戰(zhàn)指導(dǎo) .中國(guó)：科學(xué)出版社 .2021 [4]朱正涌．半導(dǎo)體集成電路 [M]．北京 ：清華大學(xué)出版社， 2021 [5] 姚均蒲．雙極型和 MOS 半導(dǎo)體器件原理 [M]. 上海：復(fù)旦大學(xué)出版社，1990． 9J WKf f wvGt YM *Jgamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。MuWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。MuWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z84! z89Am v^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3tnGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。k sv*3t nGK8! z89Amv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%MzadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z 89Am YWpazadNuKNamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkum amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE%amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRrWwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gjqv ^$U*3tnGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。M uWFA5ux^Gjqv^$UE9wEwZQcUE %amp。M uWFA5uxY7J nD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%M z849Gx^Gjqv^$U*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3tnGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp