【正文】 SP 在片內(nèi) RAM（ 128字節(jié)）中開辟棧區(qū)，并隨時(shí)跟蹤棧頂?shù)刂?，它按先進(jìn)后出的原則存取數(shù)據(jù)，上電復(fù)位后，SP 指向 07H。 4. 串行 I/O 口 80C51 單片機(jī)具有一個(gè)采用通用異步工作方式的全雙工串行 通信接口，可以同時(shí)發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。系統(tǒng)的地址信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)和控制信號(hào)都是通過總線傳送的，總線結(jié)構(gòu)減少了單片機(jī)的連線和引腳，提高了集成度和可靠性。 P2 口： P2 口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 口緩沖器可接收，輸出 4 個(gè)TTL 門電流，當(dāng) P2 口被寫“ 1”時(shí)，其管腳 被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。 RST：復(fù)位輸入。因此它可用作對(duì)外部輸出的脈沖或用于定時(shí)目的。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，這兩次有效的 /PSEN 信號(hào)將不出現(xiàn)。石晶振蕩和陶瓷振蕩均可采用。在掉電模式下，保存 RAM 的內(nèi)容并且凍結(jié)振蕩器，禁止所用其他芯片功能，直到下一個(gè)硬件復(fù)位為止“ [4]”。 // Delay counter OSCXCN = 0x27。 DS18B20 芯片 80C51 單片機(jī) 數(shù)碼管 6 return。 P74OUT|=0xff。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_6 =ACC^6。 （ 2 ）測(cè)量溫度范圍寬，測(cè)量精度高 DS18B20 的測(cè)量范圍為 55 ℃ ~+ 125 ℃ ； 在 10~+ 85176。 （ 6 ）測(cè)量參數(shù)可配置 DS18B20 的測(cè)量分辨率可通過程序設(shè)定 9~12 位。 64 位 ROM 的排的循環(huán)冗余校驗(yàn)碼（ CRC=X^8＋X^5＋ X^4＋ 1）。如果總線停留在低電平超過 480us，總線上的所有器件都將被復(fù)位。字節(jié) 0 和字節(jié) 1 為測(cè)得溫度信息的 LSB 和 MSB。在讀暫存器時(shí)，數(shù)據(jù)以字節(jié) 0為最低有效位從單總線移出。 注意：精度和轉(zhuǎn)換時(shí)間之間有直接的關(guān)系。 CRC 值的比較以及是否進(jìn)行下一步操作完全由總線控制器決定。 //拉低保持 500us DQ=1。 } DS18B20 讀寫操作 主機(jī)發(fā)出各種操作命令，但各種操作命令都是向 DS18B20 寫 0 和寫 1 組成的命令字節(jié)，接收數(shù)據(jù)時(shí)也是從 DS18B20 讀取 0 或 1 的過程。 //寫 0 時(shí)隙，必須拉低持續(xù)至少 60us Delay(120)。 NOP()。 NOP()。 } // //向 DS18B20 寫一個(gè)字節(jié)的指令 // void write_DS18B20(unsigned char Command) //該程序判斷發(fā)送每位時(shí)，寫 0 還是寫 1，然后調(diào)用相應(yīng)子程序 { bit Write_Lsb=0。 } 讀操作：讀數(shù)據(jù)操作時(shí)序也分為讀 0 時(shí)序和讀 1 時(shí)序兩個(gè)過程。 17 DQ=0。 } // //讀 DS18B20,每調(diào)用一次，讀出一個(gè)字節(jié)內(nèi)容 //讀 scratchpad 時(shí)，讀出的順序從字節(jié) 0 的 LSB 位開始 // read_DS18B20(void) { bit Read_Bit=0。 Temp_Byte=Temp_Bytei。 18 圖 ROM 功能指令圖 DS18B20 功能指令 在總線控 制器發(fā)給欲連接的 DS18B20 一條 ROM 命令后，跟著可以發(fā)送一條 DS18B20 功能指令。 //發(fā)送功能指令： BEh： Read Scratchpad Command. Command=0xbe。//取溫度符號(hào)位 //溫度為正 if(sign==0) { ACC_0=Temperature_Low^4。 //符號(hào)位為 0 Absolute_Temperature=ACC。 22 參考文獻(xiàn)： [1]羅震 .微機(jī)控制原理及技術(shù) .出版地 :天津大學(xué)材料學(xué)院 出版者 ：羅震 [2] 毅剛 .《單片機(jī)原理及應(yīng)用》 [M].高等教育出版社 ,[3]毅剛 .《單片機(jī)原理及應(yīng)用》 [M].高等教育出版社 ,[4] DS18B20 手冊(cè) [M]. [5] DS18B20 手冊(cè) [M]. [6] DS18B20 手冊(cè) [M]. [7] DS18B20 手冊(cè) [M]. [9] DS18B20 手冊(cè) [M]. [10] DS18B20 手冊(cè) [M]. [11] DS18B20 手冊(cè) [M]. [12]百度文庫(kù) . DS18B20 中文資料 DS18B20 中文資料 . [13]百度文庫(kù) . DS18B20 中文資料 DS18B20 中文資料 . [14]百度文庫(kù) . DS18B20 中文資料 DS18B20 中文資料 . 23 附錄 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)程序： include define SYSCLK 184320xx // SYSCLK frequency in Hz void Delay(long int milliseconds) { long int i。 // start external oscillator with crystal for (i=0。 } void PORT_Init () { XBR0 = 0x04。 return。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_7 =ACC^7。 } while(DQ==0)//DS18B20 發(fā)送了 PRESENCE 信號(hào)，該信號(hào)持續(xù) 60us~240us { NOP()。 NOP()。 //維持至少 1us NOP()。139。 if(Write_Lsb==0) { write_0()。//延時(shí) 9us，最佳讀數(shù)時(shí)間為 10~13uS左右 value=DQ。 for(i=0。//指令（ ROM 指令或功能指令） unsigned char TH。 SYSCLK_Init()。 write_DS18B20(Command)。 Command=0xbe。 ACC_5=Temperature_High^1。 ACC_4=Temperature_High^0。感謝一直以來支持，鼓勵(lì)我們的學(xué)長(zhǎng)，還有一直關(guān)心我們學(xué)習(xí)生活的各位老師。 在沒有做畢業(yè)設(shè)計(jì)以前覺得畢業(yè)設(shè)計(jì)只是對(duì)這幾年來所學(xué)知識(shí)的單純總結(jié)，但是通過這次做畢業(yè)設(shè)計(jì)發(fā)現(xiàn)自己的看法有點(diǎn)太片面。通過這次畢業(yè)設(shè)計(jì)使我明白了自己原來知識(shí)還比較欠缺。 今年 2 月，我就開始了我的畢業(yè)設(shè)計(jì)任務(wù)，時(shí)至今日，歷時(shí)將近四個(gè)月，畢業(yè)設(shè)計(jì)基本完成。 ACC_6=Temperature_High^2。 ACC_7=0。 sign=Temperature_High^3。 write_DS18B20(Command)。 PORT_Init()。 //預(yù)設(shè)低溫報(bào)警點(diǎn) unsigned char Config。i++) { Read_Bit=read_DS18B20_bit()。//延時(shí) 60us。 } 26 } return。 //每個(gè) wirte/read 時(shí)隙至少維持 60us,寫 1 時(shí)隙中釋放總線后時(shí)間應(yīng)延遲 (60 1)uS 以上 return。 NOP()。 NOP()。 } void write_0(void) { 25 DQ=0。 Delay(1000)。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_1 =ACC^1。 XBR2 = 0x40。 i++) 。 j =milliseconds。從開始接到論文題目到系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)，再到論文文章的完成，每走一步對(duì)我來說都是新的嘗試與挑戰(zhàn)，這也是我在大學(xué)期間獨(dú)立完成的最大 的項(xiàng)目。 ACC_2=Temperature_Low^6。 //讀 DS18B20 返回的 EEPROM 中的內(nèi)容，順序從字節(jié) 0 的 LSB 位開始。 指令名稱 指令代碼 指令功能 讀 ROM 33H 讀 DS18B20 ROM 中的編碼 （即讀 64 位地址編碼） ROM 匹配 55H 發(fā)出此命令之后，接著發(fā)出64 位 ROM 編碼，訪問單總線上與編碼相對(duì)應(yīng) DS18B20使之作出響應(yīng)，為下一步對(duì)該DS18B20 的讀寫作準(zhǔn)備 搜索 ROM 0F0H 用于確定掛接在同一總線上DS18B20 的個(gè)數(shù)和識(shí)別 64 位ROM 地址，為操作各器件作好準(zhǔn)備 跳過 ROM 0CCH 忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS18B20 發(fā)溫度變換命令，適用于單片機(jī)工作 報(bào)警搜索 0ECH 該指令執(zhí)行后，只有溫度超過設(shè)定值上限或下限的片子才做出響應(yīng) 指令名稱 指令代碼 指令功能 溫度變換 44H 啟動(dòng) DS18B20 進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換 ， 轉(zhuǎn) 換 時(shí) 間 最 長(zhǎng) 為500ms(典型為 200ms),結(jié)果存入內(nèi)部 9 字節(jié) RAM 中 讀暫存器 0BEH 讀內(nèi)部 RAM 中九字節(jié)的內(nèi)容 寫暫存器 4EH 發(fā)出向內(nèi)部 RAM 的第 3,4 字節(jié)寫上，下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟該命令之后是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù) 復(fù)制暫存器 48H 將 RAM 的第 3,4 字節(jié)的內(nèi)容復(fù)制到 EEPROM 中 重調(diào) EEPROM 0B8H EEPROM 中的內(nèi)容恢復(fù)到RAM 中的第 3,4 字節(jié) 讀供電方式 0B4H 讀 DS18B20 的供電模式，寄生供電時(shí) DS18B20發(fā)送“ 0”， 外接供電 DS18B20 發(fā)送“ 1” 19 其中溫度轉(zhuǎn)換： DS18B20 中的溫度傳感器完成對(duì)溫度的測(cè)量，用 16 位二進(jìn)制形式提供，形式表達(dá)，其中 S 為符號(hào)位。//實(shí)現(xiàn) lsb 到 msb 位順序讀出到一個(gè)字節(jié) } return(Read_Byte)。 unsigned char Read_Byte=0。//維持 1us DQ=1。 DS18B20 在檢測(cè)到總線被拉低 1 微秒后，便開始送出數(shù)據(jù)，若是要送出 0 就把總線拉為低電平直到讀周期結(jié)束。 //寫字節(jié)時(shí)，從 LSB 位開始寫 for(i=0。 NOP()。 return。//發(fā)送結(jié)束，單總線復(fù)位 39。 寫操作：寫周期最少為 60 微秒，最長(zhǎng)不超過 120 微秒。 Delay(40)。 程序設(shè)計(jì)流程圖： 13 DS18B20 初始化 通過單總線的所有執(zhí)行操作處理都從一個(gè)初始化序列開始。 圖 配置寄存器組成圖 圖 溫度計(jì)精確度配置圖 11 （ 4） CRC 發(fā)生器 CRC 字節(jié)作為 DS18B2064 位 ROM 的一部分存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。 EEPROM 寄存器中的數(shù)據(jù)在器件掉電時(shí)仍然保存；上電時(shí)，數(shù)據(jù)被載入暫存器。第 2 和第 3 字節(jié)是 TH 和 TL 的拷貝。最前面 8 位是單線系列編碼：28h。 8 圖 DS18B20 內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 硬件構(gòu)造 單總線系統(tǒng)只 有一條定義的信號(hào)線。 （ 8 ）掉電保護(hù)功能 DS18B20 內(nèi)部含有 EEPROM ，在系統(tǒng)掉電以后，它仍可保存分辨率及報(bào)警溫度的設(shè)定值。 176。 //數(shù)據(jù)位 7 第二章 DS18B20 芯片介紹 DS18B20 數(shù)字溫度傳感器接線方便，封裝成后可應(yīng)用于多種場(chǎng)合，如管道式，螺紋式，磁鐵吸附式，不銹鋼封裝式，型號(hào)多種多樣，有 LTM8877， LTM8874 等等。 } ACC 位定義： // //ACC 位定義 /