【正文】 前過去。注：請(qǐng)各位檢查教師認(rèn)真填寫成績單的各項(xiàng)內(nèi)容，打出成績，并將本組學(xué)生排出名次，對(duì)所做內(nèi)容很少以及不能回答所提問題的同學(xué)著重標(biāo)記。第三篇：中期答辯要求學(xué)院2014屆本科畢業(yè)生中期答辯要求 學(xué)院定于4月22日（周二）進(jìn)行2014屆本科畢業(yè)生的畢業(yè)設(shè)計(jì)中期答辯，對(duì)答辯的具體要求如下：答辯時(shí)間：每位學(xué)生45分鐘。采用該系統(tǒng)進(jìn)行機(jī)械臂自動(dòng)排管可以提高供給系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性，同時(shí)系統(tǒng)具有良好節(jié)能性，這在能源日益緊缺的今天尤為重要。這個(gè)比例常數(shù)叫電感常數(shù)，2229用A表示，它的單位是nH/匝數(shù)（有時(shí)也用nH/1000匝數(shù)）L=A*N*10H LL所以增加線圈匝數(shù)會(huì)急劇增加電感量DHdl＝IA，安培環(huán)路定律 若H是一閉合回路，可得該閉合回路包圍的電流總量dI可得到 結(jié)合楞次定律和電感等式VD L dtV＝＝LdI/dt NdΦ/dt＝NAdB/dt可得功率變換器2個(gè)關(guān)鍵方程： ΔB＝LΔI/NA非獨(dú)立電壓方程 →B＝LI/NAΔB＝VΔt/NA獨(dú)立電壓方程→B＝ΔB/2＝VD/2NAf 見P7273ONACN表示線圈匝數(shù)，A表示磁心實(shí)際幾何面積（通常指中心柱或磁心資料給出的有效面積Ae）B＝LI/NA不能超過磁心的飽和磁通密度 PKPK由公式知道，大的電感量，需要大的體積，否則只增加匝數(shù)不增加體積會(huì)讓磁心飽和 磁場紋波率對(duì)應(yīng)電流紋波率r r＝2I/I＝2B/BACDCACDC B＝（1＋r/2）B→B＝2B /（r＋2）PKDCDCPKB＝（1＋2/r）B→B＝r B /（r＋2）→ΔB＝2 B＝2r B /（r＋2）PKACACPKACPK磁心損耗，決定于磁通密度擺幅ΔB，開關(guān)頻率和溫度 磁心損耗＝單位體積損耗體積，具體見P7576 Buck電路 電容的輸入輸出平均電流為0，在整個(gè)周期內(nèi)電感平均電流＝負(fù)載平均電流，所以有：5，I＝ILo 6，二極管只在sw關(guān)斷時(shí)流過電流，所以I＝I（1－D）DL7，則平均開關(guān)電流I＝ID swL8，由基爾霍夫電壓定律知： Sw導(dǎo)通時(shí)：V ＝V＋V＋V→ V＝V－V－VINONOSW ONINOSW ≈V－V假設(shè)V相比足夠小 INOSWV＝V－V－VOINONSW ≈V－V INONSw關(guān)斷時(shí)：V ＝V＋V→ V＝V－VOFFOD OOFFD ≈V假設(shè)V相比足夠小 OFF D9，由4可得D＝t/（t＋t）ONONOFF＝V/（V ＋V）OFFOFFON由8可得：D＝V/{（V－V）＋V}OINOO D＝V/ V OIN10，直流電流I＝電感平均電流I，即I≡I＝I 見5 DCLDCLo11，紋波電流I＝ΔI/2＝V（1－D）D/ 2Lf＝V（1－D）/2LfACINO由1，9得，ΔI＝Vt/L ONON＝（V－V）D/Lf＝（V－DV）D/Lf＝V（1－D）D/ Lf INOINININΔI/ t＝V/L＝（V－V）/L ONONINOΔI＝Vt/L OFFOFF ＝VT（1－D）/L O＝V（1－D）/Lf OΔI/ t＝V/L＝V/L OFFOFFO12，電流紋波率r＝ΔI/ I＝2I/I 在臨界導(dǎo)通模式下，I＝I，此時(shí)r＝2 見P51LACDCACDCr＝ΔI/I＝VD/Lf I＝(V－V)D/Lf I LONLINOL＝V（1－D）/Lf I＝V（1－D）/Lf I OLOLＦＦ13，峰峰電流I＝ΔI＝2I＝rI＝rI PPACDCL14，峰值電流I＝I＋I(xiàn)＝（1＋r/2）I＝（1＋r/2）I＝（1＋r/2）IPKDCACDCLO最惡劣輸入電壓的確定：V、I不變，V對(duì)I的影響： OoINPKD＝V/ V V增加↑→D↓→ΔI↑, I＝I,不變，所以I↑ OININDCOPK要在V最大輸入電壓時(shí)設(shè)計(jì)buck電路 p4951 IN 例題：變壓器的電壓輸入范圍是1520v，輸出電壓為5v，最大輸出電流是5A。ONOFF那么由1，2的公式可知，V ＝LΔI/Δt，V ＝LΔI/Δt，則穩(wěn)定ONONONOFFOFFOFF條件為伏秒定律：Vt＝Vt ONONOFFOFF4，周期T，頻率f，T＝1/f，占空比D＝t/T＝t/（t＋t）→t＝D/f ＝TD ONONONOFFON→t＝（1－D）/f OFF電流紋波率r P51 52 r＝ΔI/ I＝2I/I 對(duì)應(yīng)最大負(fù)載電流值和最惡劣輸入電壓值 LACDCΔI＝E/LμE＝VΔT（時(shí)間為微秒）為伏微秒數(shù)，Lμ為微亨電感，單位便于計(jì)算 tHtHr＝E/（I Lμ）→I Lμ＝E/r→Lμ＝E/（r* I）都是由電感的電壓公式推導(dǎo)出來 電流紋波率r＝ΔI/ I＝2I/I 在臨界導(dǎo)通模式下，I＝I，此時(shí)r＝2 見P51 LACDCACDCr＝ΔI/ I＝VD/Lf I＝V（1－D）/Lf I→L＝VD/rf ILONLOLONL ＦＦ電感量公式：L＝V（1－D）/rf I＝VD/rf IOLONL ＦＦ設(shè)置r應(yīng)注意幾個(gè)方面： A,I＝（1＋r/2）I≤開關(guān)管的最小電流，造成電感體積很大。DD7在SI單位制中k＝μ/4，μ=410H/m為真空的磁導(dǎo)率。下面我就課題的基本思路向各位老師做如下簡要陳述：一、選擇本課題緣由隨著工業(yè)發(fā)展的高速進(jìn)行，我國內(nèi)陸石油資源日漸枯竭，多數(shù)石油相關(guān)的下游企業(yè)高度依賴進(jìn)口。第四部分是課題的未完成部分，包括