【正文】 ／２、 CP 校正和倍頻器啟動位是雙緩沖器。這個設(shè)置是雙緩沖器由 R0 寫入。信息是記錄 MSB 狀態(tài)在接通 CLK 上升沿時。無源濾波器網(wǎng)絡(luò)繼差動放大器之后、應(yīng)用電路如圖36 所示、抑制低于壓控振蕩器噪音的噪聲成分從偏移量的 400 千赫并向上。應(yīng)用電路如圖 36所示 ,電路可用于重新設(shè)置環(huán)路濾波器時間常數(shù)。 圖 N分頻器 INT, FRAC 和 MOD 的關(guān)系 INT, FRAC 和 MOD 引腳的 作用在于程序設(shè)計通過串行接口 ,使射頻輸出端頻率的產(chǎn)生成為可能 ,簡而言之就是 PFD 的基準(zhǔn)頻率的間隔被分開。差動充電泵和環(huán)路濾波器集成電路布局技術(shù)被用來保證快速擊 發(fā)間隙是因為擴展環(huán)路帶寬 ,從而保持在什么時候回路可以被恢復(fù)到窄頻帶寬度模式而進行正常操作。 C/W 回流焊接 最高溫度 260176。C到 +85176。 fstep = 200 kHz。 C到 +85176。另外，４位基準(zhǔn)（ R）計數(shù)器和芯片內(nèi)倍頻器允許基準(zhǔn)信號（ REFIN）頻 率在 PFD的輸入。它由一低 2 噪聲、數(shù)字相頻檢波器（ PFD）和一精密充電泵組成。 10%, VP1, VP2 = 5 V 177。 fstep = 200 kHz。 10%, VP1, VP2 = 5 V 177。 C to +125176。 晶體管參數(shù) : 75,800 (MOS), 545 (BJT). 靜電放電警告 : ESD( 靜 電 放 電 )裝置敏感 .靜電電荷高達 4000V容易積累接通人 體和測試設(shè)備和雖沒有檢測但可以放電 .雖然這個產(chǎn)品特性 擁有 ESD保護電路 ,永 久性損傷可以發(fā)生接通設(shè)備但能經(jīng)受高能靜電的改變所以 ,特有的 ESD是交付避免 性能降低或損失功能。它后面的一兩級的限幅放大器產(chǎn)生 CML時鐘級信號需要預(yù)定標(biāo)器 . 二個預(yù)定標(biāo)器方案是可選的∶一個是４／５另一個是８／⒐如果Ｎ分頻器大小大于 80 應(yīng)選擇 8 / 9 預(yù)定標(biāo)器。每產(chǎn)生一新的頻率、快速鎖定計時器開始工作并且鎖相環(huán)受控于寬的帶寬振蕩用 64 相等的有源的 100μA充電泵單元（總共 mA）。這將允許充分的余地去超過鎖相環(huán)頻率作短暫的調(diào)整 . 差動放大器的噪音是抑制內(nèi)部鎖相環(huán)環(huán)路帶寬。它的輸出端高態(tài)如果存在 40 連續(xù)的 PFD 周期數(shù)用陽極輸入誤差小于 15 ns。圖 28 顯示寄存器工作的 摘要信息。 12位 FRAC 大小 12位 FRAC 設(shè)置了分數(shù)的分子也就是輸入到 ΣΔ調(diào)制器。 倍頻器操作 設(shè)置這一位為 1嵌入一倍頻器在 REFIN 和 4 位 R 計數(shù)器之間 .設(shè)置這一位為 0 當(dāng)旁路倍頻器時。因此如果要改變壓控振蕩器 的輸出頻率相位 ,必須重寫 INT 和 FRAC 大小到 R0、接著寫入 R2。對于正常操作這位應(yīng)置于高電平。表６給出一 60 kHz末級帶寬 GSM 發(fā)送合成器，參考應(yīng)用部分此處不再敘述。 斷電差動放大器 當(dāng) DB6 和 DB7 是處于高電平時、差動放大器是使向下。 串行接口保持有源并且能夠負載加載寄存器信息。當(dāng) DB13和 DB12是設(shè)為高電平時、高頻脈動是工作的。 程序設(shè)計 ADF4193 能用一個信道階躍函數(shù)或分離度合成輸出功率頻率 ,也就是說一小部分輸入基準(zhǔn)值頻率 .因為一個給出定的輸入基準(zhǔn)值頻率和一個輸出量的希望值頻率階躍函數(shù) ,第一個選擇使得 PFD基準(zhǔn)頻率和調(diào)制器 .一旦決定期望的輸出功率頻道 ,則 把 INT 和 FRAC 大小程序設(shè)計放在一邊 . 25 產(chǎn)品實例 在 GSM900 接收機系統(tǒng)的實例中 ,根據(jù)需要用 200 千赫茲的信道階躍函數(shù)產(chǎn)生射頻輸出功率頻率 .輸入端為 104 MHz 基準(zhǔn)頻率是有效的 .當(dāng)調(diào)整 PFD 基準(zhǔn)是表示為等式 1 時 ,調(diào)整相關(guān)系數(shù)分頻器 . FPFD = REFIN [(1+D)/(R (1+T))] (1) REFIN =輸入基準(zhǔn)值頻率 D =倍頻器啟動位 ( 0 or 1) R =４位相關(guān)系數(shù)計數(shù)器代碼 (0 15) T = REF/2 bit (0 or 1) 26MHZ的 PFD基準(zhǔn)頻率最大值決定及其后調(diào)整程序設(shè)計所給的一Φ值為４的相關(guān)系數(shù)分頻器 : 倍頻器啟動 =0 R = 2 REF/2 = 1 其次那系數(shù)決定是否允許部分的 200 kHz 階躍函數(shù) : MOD = 26 MHz / 200 kHz = 130 ( 2) 一旦信道階躍函數(shù)定義為以下顯示的等式時 ,怎樣把輸出功率頻道設(shè)為程序設(shè)計 : RFOUT = [INT + (FRAC/MOD] [FPFD] (3) RFOUT =期望的 RF 射 頻輸出頻率 INT =除法的整數(shù)部分 FRAC =小數(shù)部分的分子 MOD =小數(shù)部分的分母或系數(shù) 比如 : 在 MHz 的頻道是由以下大小的程序設(shè)計合成的 : INT = 37 FRAC = 2 支線結(jié)構(gòu) 以下部分描述三種不同的支線結(jié)構(gòu) ,用一分級的 N 合成器產(chǎn)生 ,并且 ,怎樣使得ADF4193 能最好的將程序設(shè)計減到最少 . 分級的支線 在 ADF4193 中的分級的分數(shù)計算器 ,是一個具有一 MOD 系數(shù)的第三方程序Σ Δ調(diào)制器 (SDM),也就是說可編程序控制器可以是從 13 到 4095 之間的整數(shù)值的任何一種 . 如果高頻振動已經(jīng)啟動 ,則 MOD 的最低限度容許值為 是那些允許由fPFD / MOD決議的一信道梯級用合成法合成的鎖相環(huán)輸出功率頻率 PFD參考頻率 (fPFD)的時鐘 . 26 隨著高頻振動的關(guān)閉 ,從Σ Δ調(diào)制器產(chǎn)生的分層噪聲表現(xiàn)為小數(shù)的支線 .在支線之間的間隔為 fPFD / L,在數(shù)字Σ Δ調(diào)制器中 L 為重復(fù)的編碼序列的持續(xù)時間 .因為第三方程序調(diào)制器被用于 ADF4193 依靠于 MOD 的Φ值重復(fù)持續(xù)時間 ,如表７所示 . 表⒎ 小數(shù)帶有高頻振動斷開的支線 隨著高頻振動啟動 ,那重復(fù)持續(xù)時間將延至 221 的循環(huán)數(shù) .不管 MOD 的值為多少 ,獲得的量化誤差的光譜近似于寬帶噪聲 .這個能降低在鎖相環(huán)輸出功率帶內(nèi)的相位噪聲 ,差不多為 10 分貝 .所以 ,為了獲得最低的噪音 ,高頻振動斷開是最好選擇 ,特別是當(dāng)末級的回路帶寬為足夠的低時 ,即使為最低頻率小數(shù)的支線 ,也會使之衰減 .在大多數(shù)的應(yīng)用中 ,使用 ADF4193,能獲得較寬的環(huán)路帶寬范圍 . 整數(shù)邊界支線 另一個結(jié)構(gòu)為小數(shù)的支線產(chǎn)生 ,包括在 RF 射頻壓控振蕩器頻率和基準(zhǔn)頻率之間的交互作用 . 當(dāng)這個頻率不是與整數(shù)有關(guān)時 (一個 N 小數(shù)合成器的所有的小數(shù)點 ), spur 邊帶能在一個偏移頻率的 VCO 壓控振 蕩器輸出能譜輸出功率頻譜見到 ,那些相當(dāng)于在一個基準(zhǔn)和壓控振蕩器頻率的整數(shù)倍數(shù)之間的差頻 . 這個支線由于環(huán)路濾波器使之衰減 ,并且更多的值得注意的是 :在那些接近于基準(zhǔn)頻率的整數(shù)倍數(shù)的信道上 ,環(huán)路帶寬之內(nèi)產(chǎn)生的差頻 ,從而為整數(shù)邊界支線的名稱 . ADF4193 的 8:1 環(huán)路帶寬開關(guān)比率 ,在大多數(shù)的應(yīng)用中 ,盡可能地使全部的支線的足夠地低電平衰減 . ADF4193 的可編程系數(shù)和 R 分頻器通常能同時防止整數(shù)邊界信道 .這個選擇是描述在后面部分。相位能被校準(zhǔn)在用 360176。 避免整數(shù)邊界信道 當(dāng)程序設(shè)計一個新的頻率 ,包括防止整數(shù)邊界支線寫寄存器 R1,有更多的選擇權(quán) .如果發(fā)現(xiàn)整數(shù)邊界支線也是高電平 .選擇權(quán)將整數(shù)邊界從那 期望信道由改編程序那讀出分頻器中選擇的一個不同的 PFD 頻率處移開。對于GSM,REFIN 信號可以是 13 MHz的任何一種整數(shù)倍數(shù)、主要條件是信號響應(yīng)速率最少 29 保證 350 V／ μs。 因此對于 GSM900接收單元，一 26MHz PFD頻率選擇 MOD =130是必需的對于 200千赫等級。如果需要花費 10μs到鋸齒形下降這些電平 ,那么發(fā)送合成器鎖定最終頻率和相位在 30μs的最后 20μs的保護期間生效。要和接收單 30 元定時 值顯示一致，帶寬將減少 12μs，它允許相位干擾有充分的時間還原 .在接收單元有源器件的時間間隙在 30μs之前起動。陶瓷 COG電容器是供這些應(yīng)用是好的選擇。參見圖２時序圖和表 5所示寄存器地址目錄。 I / O 端口線路 ADuC812 上可能同時被鎖定 . ( MUXOUT設(shè)置被當(dāng)做鎖信號和查詢通路輸入端）。印刷電路板墊片比那包裝成型段長度長 mm 比包裝螺紋頂寬寬 mm。 用戶應(yīng)將印刷電路板熱量墊片與 AGND連在一起。這保證了焊點的大小是最好的 . 集成 電路芯片的底部比例尺包裝有一主要散發(fā)熱量的墊片。 ADF4193需要一 24 位串行字來進行寫入。 31 ADuC812 接口 圖 37 顯示了連接 ADF4193 和 ADuC812 的接口。 10%容許誤差適用于電感線圈 L1。另外，PCS和 Rx合成器可緩和 800 kHz阻滯規(guī)格和允許寬的環(huán)路帶寬，它們能相對地作更快的調(diào)整。這些導(dǎo)致 480 kHz鎖相環(huán)實現(xiàn)頻率鎖定 ,對一跳變交叉的帶寬 6μs。這是由 40 kHz環(huán)路濾波器衰減的 ,因此不涉及。 推薦參數(shù)對于不同的 GSM／ PCS／ DCS合成器如表 9所示。用合成法合成替換物路線 ,這個信道將調(diào)整 R = 5,因為一個 MHz的 PFD基準(zhǔn)和 MOD = 104為 200 kHz步階 . MHz信道為此時的５ MHz,偏離最近期的整數(shù)倍數(shù)的 MHz 和５ MHz 差頻支線 ,更好地由回路使之衰減。范圍 .大多數(shù)的頻率合成器的應(yīng)用壓控振蕩器 輸出功率的實際的相位偏移 ,和基準(zhǔn)未知數(shù)的基準(zhǔn)有關(guān) .在這樣的應(yīng)用中 ,相位調(diào)整做最佳化的能力通常 r2寄存器能夠代替 ,建立時間作為描述在下面部分的表述。然而 ,任何一種基準(zhǔn)聯(lián)通回路引起的一些旁路問題的結(jié)構(gòu)。 預(yù)置位 那預(yù)置位必須全部設(shè)置為 0 進行正常操作。 CP三態(tài) 當(dāng)這位是設(shè)置高電平時、充電泵輸出是三態(tài)的。 斷電充電泵 調(diào)整 DB5 高電平觸發(fā)充電泵斷電及其后結(jié)果發(fā)生∶ 全部有效直流電路是消 除、差動放大器除外。開關(guān) SW3 閉合直到 SW3 計數(shù)器中斷。 預(yù)置位 預(yù)置位 DB15 到 DB6 應(yīng)設(shè)置十六進制密碼 007，并且預(yù)置位 DB4 應(yīng)設(shè)置為 1。如果希望保持輸出一樣相位偏移對于基準(zhǔn)而言、每次輸出的頻率是計劃的、那么在寫給 R0 的間隔必須是 MOD 參考周期的整數(shù)倍數(shù)。全部整數(shù)大小從 1 到 15 是允許的 .看工作例子一節(jié) . 12位插入器模量 對一給定的 PFD基準(zhǔn)頻率、分數(shù)的模量設(shè)置信道等級分辯率在射頻輸出時。 FRAC 大小從 0 到 MOD 1覆蓋了一頻帶等于 PFD 基 準(zhǔn)頻率的信道 . MOD／ R寄存器（ R1） 20 圖 30 這個寄存器用來設(shè)置 PFD 基準(zhǔn)頻率和頻道步長、它由 PFD 頻率除以分數(shù)的基本單位決定。然而、如設(shè)計部分所描寫、程序寄存器裝置 R1 和 R2 在接通基本信道時是需要的。 17 圖 多頻電路 輸入