ltps制程與技術(shù)發(fā)展講義(完整版)
【正文】 (13) ： ? 把開(kāi)關(guān) (Switching)元件所傳送之電壓信號(hào) ,傳送於 LC畫像素電極和 CF端的共通電極上 ? 共通電極材料，是利用濺鍍法將 ITO透明導(dǎo)電薄膜形成於上，並經(jīng)由微影、蝕刻工程製作成所需圖案 LTPS TFT LCD的後段製程 液晶胞製程 (1) 1. 洗淨(jìng)工程： ? 洗淨(jìng)技術(shù)有使用藥液、機(jī)能水和紫外線臭氣、毛刷、超音波、超高音波 (Mega Sonic)和高壓噴洗等，其中以純水洗淨(jìng)為主 ? 為了去除過(guò)剩的水並達(dá)到乾燥，有旋轉(zhuǎn)乾燥法和空氣刀乾燥法 液晶胞製程 (2) 2. 配向模形成工程： ? 配向模是有機(jī)薄膜的材料，施以面磨處理，使其上之液晶分子產(chǎn)生配向排列作用 ? 一般配向膜厚度在 500~1,000197。 ? 再結(jié)晶 (Recrystallization)：多結(jié)晶物體中，結(jié)晶粒隨著時(shí)間而與其他結(jié)晶粒相互融合，進(jìn)而減少了整個(gè)的結(jié)晶粒數(shù)量，並促使其結(jié)晶粒的顆粒變大的 ，此種現(xiàn)象稱為再結(jié)晶 專有名詞 (3) ? 離子植入 (Ion Implantation)：施加 10keV以上的高電子伏特能量的離子，並使其入射於固體晶格中，使與晶格中的中性原子 (原子核及電子 )產(chǎn)生衝突而損失能量，進(jìn)而順利植入固體晶格中的一種物理現(xiàn)象。 液晶胞製程 (5) 5. 間隔物 (Spacer)散佈工程： ? 使上下兩片基板保持於 57μm的液晶胞間隙，以便後續(xù)液晶胞注入工程進(jìn)行。 陣列電路製程 (1) ? 大部分 TFT LCD製造公司之 LTPS TFTLCD製程，是採(cǎi)行 –頂部閘極 (TopGate)的 TFT電路結(jié)構(gòu) –互補(bǔ)式金氧半 (CMOS)的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) –目前主流製程是需 5道光罩 陣列電路製程 (2) ? PolySi薄膜形成方法，有 – IC製程的高溫製程法 ? 使用的玻璃基板材料是耐熱性優(yōu)且價(jià)格較貴的石英玻璃 (Quartz)(尺寸限於 150mm/200mm) –利用雷射退火技術(shù)的低溫製程法 ? 使用與 αSi TFT相同的不含鹼性離子之玻璃基板 陣列電路製程 (3) ? 高溫製程或低溫製程的使用，取決於矽薄膜形成之源極和汲極工程中之摻雜(Doping)工程而定。 ? PSi TFT LCD是崁入不同功能的 IC於玻璃基板上，減少模
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