數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)之制造工藝(完整版)
【正文】 建立一種模型。比較的結(jié)果，可以是完全一致或兩者不全一致。 02 二月 20233:43:42 下午 15:43:42二月 21n 1比不了得就不比，得不到的就不要。 15:43:4215:43:4215:43Tuesday, February 02, 2023n 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 15:43:4215:43:4215:432/2/2023 3:43:42 PMn 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 3:43:42 下午 3:43 下午 15:43:42二月 21MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看專 家告 訴。 15:43:4215:43:4215:43Tuesday, February 02, 2023n 1知人者智，自知者明。 02 二月 20233:43:42 下午 15:43:42二月 21n 1楚塞三湘接，荊門九派通。 二月 213:43 下午 二月 2115:43February 02, 2023n 1行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。n 銅和低 K介質(zhì) :傳統(tǒng)的是鋁導(dǎo)體和二氧化硅絕緣體的組合 .但若采用比鋁電阻率更低的銅做互連材料的話 ,缺點(diǎn)是易于擴(kuò)散到硅中 ,使器件的特性降低 ,因此需要在銅上涂一層緩沖材料可以防止銅擴(kuò)散 .n 絕緣體上硅 :SOI晶體管是在一層非常薄的硅層上形成的 ,而這一硅層淀積在一層厚的二氧化硅絕緣層上 .優(yōu)點(diǎn)是減少了寄生效應(yīng)以及具有較好的晶體管導(dǎo)通 截止特性 .n 靜夜四無(wú)鄰，荒居舊業(yè)貧。版圖參數(shù)提取（ LPE）(2)將提取出的器件及連接關(guān)系和寄生參量等作為電路模擬的輸入數(shù)據(jù)，再次進(jìn)行電路模擬，以估計(jì)寄生參量對(duì)電路性能的影響。 為了進(jìn)行 ERC的驗(yàn)證，首先應(yīng)在版圖中將各有關(guān)電學(xué)節(jié)點(diǎn)做出定義。則此出錯(cuò)條件是由設(shè)計(jì)人員按照設(shè)計(jì)規(guī)則編寫的。n 在一組設(shè)計(jì)規(guī)則中，最基本的要素是最小線寬版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則? 有幾種方法可以用來(lái)描述設(shè)計(jì)規(guī)則。層間限制規(guī)則由于涉及到許多層，所以對(duì)版圖的理解需要具有將所畫的二維版圖想象成三維實(shí)際器件的能力。主要基于以下內(nèi)容：216。因?yàn)?未摻雜的多晶硅具有非常高的電阻率。接著是第二次注入步驟以調(diào)整 P管的閾值 電壓。例如在刻蝕 SiO2時(shí)常用 HF酸。n 離子注入：它的摻雜劑是以離子的形式進(jìn)入材料。n 集成電路最小特征尺寸的不斷縮小已成為半導(dǎo)體制造設(shè)備開(kāi)發(fā)者的沉重負(fù)擔(dān)。２、第二步： 涂光刻膠，通過(guò)旋轉(zhuǎn)圓片在其上均勻涂上一層厚約為１ um的光敏 聚合物， 它原本溶于有機(jī)溶劑，暴光后不可溶。n 嚴(yán)格遵守設(shè)計(jì)規(guī)則可以極大地避免由于短路、斷路造成的電路失效和容差以及寄生效應(yīng)引起的性能劣化。第二章 制造工藝本章分為四部分 :紫外線光掩模版光刻膠可進(jìn)行摻雜 ,離子注入，擴(kuò)散等工藝n 版圖 是集成電路從設(shè)計(jì)走向制造的橋梁，它包含了集成電路尺寸、各層拓?fù)涠x等器件相關(guān)的物理信息數(shù)據(jù)。廠家提供設(shè)計(jì)規(guī)則n 設(shè)計(jì)者只能根據(jù)廠家提供的設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行版圖設(shè)計(jì) 。 氧化層既可用做絕緣層 也可形成晶體管的柵。第八步： 去除光刻膠 ，用高溫等離子體有選擇地去除剩下的光刻膠而不破壞 器件層。最終摻雜劑的濃度在表面最大并隨進(jìn)入材料的深度按高斯分布降低?？涛g： 材料一旦淀積后，就可以用有選擇的刻蝕來(lái)形成如連線或接觸孔這樣的圖形。(e) N阱和 VTP調(diào)整的離子注入(f) P阱和 VTn調(diào)整的離子注入(e)用 n阱掩膜只暴光 n阱區(qū)域（圓片的其余部分為一層厚緩沖材料所覆蓋），之后 進(jìn)行注入 退火工序來(lái)調(diào)整阱的摻雜。
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