【正文】 沉積速度 ， 降低硅的產(chǎn)量 。 但實(shí)際上反應(yīng)溫度不能太高 ， 因?yàn)椋? ?硅和其他半導(dǎo)體材料一樣 ， 自氣相往固態(tài)載體上沉積時(shí) ，都有一個(gè)最高溫度 ， 當(dāng)反應(yīng)超過(guò)這個(gè)溫度 ， 隨著溫度的升高 ， 沉積速度反而下降 。 ? 罐區(qū)作用：接收、緩存外部物料，儲(chǔ)存提純工序的各種物料。 在還原生長(zhǎng)多晶硅時(shí) ， 會(huì)產(chǎn)生還原尾氣 。還原爐的內(nèi)壁進(jìn)行鏡面處理，使輻射熱能反射，以減少熱損失 。 ? 后處理工序?qū)ψ罱K多晶硅產(chǎn)品進(jìn)行破碎、凈化、包裝。因此是目前生產(chǎn)多晶硅最為成熟、投資風(fēng)險(xiǎn)最小、最容易擴(kuò)建的工藝，國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有的多晶硅廠大多采用此法生產(chǎn) SOG硅與 EG硅，所生產(chǎn)的多晶硅占當(dāng)今世界總產(chǎn)量的 70～ 80%。 目前世界上主要的幾種多晶硅生產(chǎn)工藝 ? 除了上述改良西門(mén)子法、硅烷熱分解法、流化床反應(yīng)爐法三種方法生產(chǎn)電子級(jí)與太陽(yáng)能級(jí)多晶硅以外，還涌現(xiàn)出幾種專門(mén)生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅新工藝技術(shù)： 目前世界上主要的幾種多晶硅生產(chǎn)工藝 ? 1）冶金法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅 ? 主要工藝是：選擇純度較好的工業(yè)硅（即冶金硅）進(jìn)行水平區(qū)熔單向凝固成硅錠，去除硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分后，進(jìn)行粗粉碎與清洗，在等離子體融解爐中去除硼雜質(zhì)，再進(jìn)行第二次水平區(qū)熔單向凝固成硅錠，去除第二次區(qū)熔硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分，經(jīng)粗粉碎與清洗后，在電子束融解爐中去除磷和碳雜質(zhì)，直接生成太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。然后將制得的硅烷氣提純后在熱分解爐生產(chǎn)純度較高的棒狀多晶硅。按純度要求不同，分為金屬級(jí)、電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。 ? 多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代 人工智能 、 自動(dòng)控制 、 信息處理 、 光電轉(zhuǎn)換 等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料，被稱為“ 微電子大廈的基石”。 ? 溶于 氫氟酸 和 硝酸 的混酸中，不溶于水、硝酸和 鹽酸 。 ， 與無(wú)水醋酸及二氮乙烯的毒性程度極為相同 。 △ 硅及其硅的氯化物的簡(jiǎn)介 二 、 硅的氯化物 硅的氯化物主要介紹 SiCl SiHCl3等 ， 它們和碳的鹵化物 CF4和 CCl4相似 ， 都是四面體的非極性分子 ， 共價(jià)化合物 ， 溶沸點(diǎn)都比較低 ， 揮發(fā)性也比較大 ， 易于用蒸餾的方法提純它們 。 ? 單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列為單一晶核，晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅，如果當(dāng)這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。 上個(gè)世紀(jì)發(fā)生的兩次石油危機(jī) ， 一方面是對(duì)世界經(jīng)濟(jì)的極大沖擊 ，但同時(shí)也是一次機(jī)遇 ， 再加上保護(hù)環(huán)境 ， 開(kāi)發(fā)綠色能源 、 替代能源 ， 已被人們預(yù)測(cè)為改變我們未來(lái) 10年生活的十大新科技之一 。 多晶硅的最終用途主要是用于生產(chǎn) 集成電路、分立器件 和 太陽(yáng)能電池片 的原料。 硅及其硅的氯化物的簡(jiǎn)介 ? 與酸作用 硅在含氧酸中被鈍化，但與氫氟酸及其混合酸反應(yīng)，生成 SiF4或H2SiF6（偏硅酸）。nH2O + 3HCl 、 易汽化 、 易制備 、 易還原 。 密度： ～ 。具有 半導(dǎo)體 性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極小。 ? 改良西門(mén)子法 —— 閉環(huán)式三氯氫硅氫還原法 ? 改良西門(mén)子法是用氯和氫合成氯化氫（或外購(gòu)氯化氫），氯化氫和工業(yè)硅粉在一定的溫度下合成三氯氫硅，然后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分離精餾提純，提純后的三氯氫硅在氫還原爐內(nèi)進(jìn)行 CVD反應(yīng)生產(chǎn)高純多晶硅。因?yàn)樵诹骰卜磻?yīng)爐內(nèi)參與反應(yīng)的硅表面積大，生產(chǎn)效率高，電耗低與成本低，適用于大規(guī)模生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅屬于高能耗的產(chǎn)業(yè)，其中電力成本約占總成本的 70%左右。 ? 還原工序是在化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng)器 (還原爐 )內(nèi)加氫還原三氯氫硅，先在還原爐中預(yù)先放置初始硅芯，利用特別的啟動(dòng)裝置來(lái)對(duì)初棒進(jìn)行預(yù)熱，然后對(duì)初棒直接通電加熱，三氯氫硅還原后在初棒上沉積出多晶硅棒。 改良西門(mén)子法中的核心技術(shù) ? A、大型多對(duì)棒節(jié)能型還原爐。 一般每生產(chǎn) 1公斤多晶硅產(chǎn)品 ， 大約要產(chǎn)生 1820公斤四氯化硅 。 還原尾氣干法回收的整套工藝都不接觸水分 ， 只是把尾氣中各種成分逐一分離， 并且不受污地回收 ， 再送回相適應(yīng)的工序重復(fù)利用 ， 實(shí)行閉路循環(huán)式工作 。塔的操作就是按照塔頂和塔底產(chǎn)品的組成要求來(lái)對(duì)這幾個(gè)影響因素進(jìn)行調(diào)節(jié)。 ? 在 SiHCl3氫還原過(guò)程中 ， 由于 H2不足 ， 發(fā)生其它副反應(yīng) 。 ? 增大氣體流量后 ， 使?fàn)t內(nèi)氣體湍動(dòng)程度隨之增加 。 ? 作為沉積硅的載體材料 ， 要求材料的熔點(diǎn)高 、 純度高 、 在硅中擴(kuò)散系數(shù)小 ， 要避免在高溫時(shí)對(duì)多晶硅生產(chǎn)沾污 ， 又應(yīng)有利于沉積硅與載體的分離 ， 因此 ， 采用硅芯作為載體 。 經(jīng)常檢查 還原底盤(pán) 、 電極 ,檢查冷卻水 是否通暢 ， 水溫 、 水壓 及 操作系統(tǒng)壓力是否正常 。 它是一種疏松 、粗糙的夾層 ， 中間常常有許多氣泡和雜質(zhì) 。 ? 光 — 電直接轉(zhuǎn)換方式該方式是利用光電效應(yīng)，將太陽(yáng)輻射能直接轉(zhuǎn)換成電能，光 — 電轉(zhuǎn)換的基本裝置就是太陽(yáng)能電池。焊接用的熱源為一個(gè)紅外燈（利用紅外線的熱效應(yīng)）。層壓工藝是組件生產(chǎn)的關(guān)鍵一步，層壓溫度層壓時(shí)間根據(jù) EVA的性質(zhì)決定。 ? 高壓測(cè)試： 高壓測(cè)試是指在組件邊框和電極引線間施加一定的電壓，測(cè)試組件的耐壓性和絕緣強(qiáng)度，以保證組件在惡劣的自然條件（雷擊等）下不被損壞。 2023年 1月 24日星期二 上午 3時(shí) 49分 1秒 03:49: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 03:49:0103:49:0103:49Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 03:49:0103:49:0103:491/24/2023 3:49:01 AM ? 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 上午 3時(shí) 49分 1秒 上午 3時(shí) 49分 03:49: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴 。 03:49:0103:49:0103:49Tuesday, January 24, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 2023年 1月 24日星期二 上午 3時(shí) 49分 1秒 03:49: ? 1楚塞三湘接，荊門(mén)九派通。 2023年 1月 上午 3時(shí) 49分 :49January 24, 2023 ? 1行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。 謝謝！ ? 靜夜四無(wú)鄰，荒居舊業(yè)貧。固化溫度為 150℃ 。多出的焊帶在背面焊接時(shí)與后面的電池片的背面電極相連 ? 背面串接 ：背面焊接是將 36片電池串接在一起形成一個(gè)組件串，我們目前采用的工藝是手動(dòng)的，電池的定位主要靠一個(gè)膜具板，上面有 36個(gè)放置電池片的凹槽，槽的大小和電池的大小相對(duì)應(yīng)，槽的位置已經(jīng)設(shè)計(jì)好，不同規(guī)格的組件使用不同的模板，操作者使用電烙鐵和焊錫絲將“前面電池