【正文】 IE/mA 0 4. 在表的第一列數(shù)據(jù)中， IE = 0 時(shí)， IC = mA = ICBO， ICBO 稱為 反向飽和電流 。 * 特性右移 (因集電結(jié)開始吸引電子 )OIB/?AUCE ≥ 1 時(shí)的輸入特性具有實(shí)用意義。截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)　 　 1. 截止區(qū)　 IB ≤ 0 的區(qū)域。A40 181。 特點(diǎn) ： IC 基本上不隨 IB 而變化，在飽和區(qū)三極管失去放大作用。在 IC = ICM 時(shí)， ? 值下降到額定值的三分之二。UCEUBE+?+?IEIBICebCUCEUBE(+)(?)IEIBICebC(+)(?) PNP 三極管各極電流和電壓的規(guī)定正方向。第一章 半導(dǎo)體器件P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管圖 　 P 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖N+ N+P型溝道GSD P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管是在 P 型硅棒的兩側(cè)做成高摻雜的 N 型區(qū) (N+)， 導(dǎo)電溝道為 P 型 ，多數(shù)載流子為空穴。ID = 0GDSP+ P+N型溝道 (b) UGS 0VGGID = 0GDSP+ P+ (c) UGS = UPVGG第一章 半導(dǎo)體器件　 　 2. 在漏源極間加正向 VDD，使 UDS 0，在柵源間加負(fù)電源 VGG，觀察 UGS 變化時(shí)耗盡層和漏極 ID 。UDS = 常數(shù)ID/mA0??1? UGS /VUDS = 15 V5ID/mAUDS /V0UGS = 0? V? V? V? V10 15 20 25　 　 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極基本不取電流，其輸入電阻很高，可達(dá) 107 ? 以上。SBD圖 第一章 半導(dǎo)體器件(2) UDS = 0， 0 UGS UTP 型襯底N+ N+BGS D P 型襯底中的電子被吸引靠近 SiO2 與空穴復(fù)合， 產(chǎn)生由負(fù)離子組成的耗盡層。b. UDS= UGS – UT， UGD = UT　 　 靠近漏極溝道達(dá)到臨界開啟程度，出現(xiàn)預(yù)夾斷。ID/mAUGS /VOUP(a)轉(zhuǎn)移特性IDSS圖 　 MOS 管的符號(hào)SGDBSGDB(b)漏極特性ID/mAUDS /VO+1VUGS=0?3 V?1 V?2 V43215 10 15 20圖 　特性曲線第一章 半導(dǎo)體器件　場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)一、直流參數(shù)1. 飽和漏極電流 IDSS2. 夾斷電壓 UP3. 開啟電壓 UT4. 直流輸入電阻 RGS為耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的一個(gè)重要參數(shù)。一般為幾個(gè)皮法。 漏極耗散功率轉(zhuǎn)化為熱能使管子的溫度升高。為耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的一個(gè)重要參數(shù)。a. UDS UGS – UT ，即 UGD = UGS – UDS UTP 型襯底N+ N+BGS DVGGVDDP 型襯底N+ N+BS DVGGVDDP 型襯底N+ N+BGS DVGGVDD夾斷區(qū)第一章 半導(dǎo)體器件DP型襯底N+ N+BGSVGGVDDP型襯底N+ N+BGS DVGGVDDP型襯底N+ N+BGS DVGGVDD夾斷區(qū)圖 　 UDS 對(duì)導(dǎo)電溝道的影響(a) UGD UT (b) UGD = UT (c) UGD UT第一章 半導(dǎo)體器件3. 特性曲線(a)轉(zhuǎn)移特性(b)漏極特性ID/mAUDS /VO預(yù)夾斷軌跡恒流區(qū)擊穿區(qū) 可變電阻區(qū)UGS UT ， ID = 0；　 　 UGS ≥ UT，形成導(dǎo)電溝道，隨著 UGS 的增加，ID 逐漸增大。VGG? ? ?(3) UDS = 0， UGS ≥ UT　　由于吸引了足夠多的電子，會(huì)在耗盡層和 SiO2 之間形成可移動(dòng)的表面電荷層 ——? ? ?N 型溝道反型層、 N 型導(dǎo)電溝道。圖 　在漏極特性上用作圖法求轉(zhuǎn)移特性第一章 半導(dǎo)體器件　絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 由金屬、氧化物和半導(dǎo)體制成。GDSP+ NISIDP+ P+ VDDVGG UGS 0， UDG ， ID 較小。GDSNN型溝道柵極源極漏極P+ P+耗盡層 　 　 *在柵極和源極之間加反向電壓，耗盡層會(huì)變寬，導(dǎo)電溝道寬度減小，使溝道本身的電阻值增大，漏極電流 ID 減小，反之，漏極 ID 電流將增加。　 　 電壓 (UBE、 UCE)實(shí)際方向與規(guī)定正方向相反。ICUCE PCM 為安全工作區(qū)ICUCE PCM 為過損耗區(qū)ICUCEOPCM = ICUCE安全工 作 區(qū)安全工 作 區(qū)過損耗區(qū)過損耗區(qū)圖 　三極管的安全工作區(qū)第一章 半導(dǎo)體器件3. 極間反向擊穿電壓外加在三極管各電極之間的最大允許反向電壓。 當(dāng) UCE = UBE，即 UCB = 0 時(shí)，稱 臨界飽和 ， UCE UBE時(shí)稱為 過飽和 。AIB =0O 5 10 154321放大區(qū)　 　 集電極電流和基極電流體現(xiàn)放大作用，即放大區(qū)放大區(qū)對(duì) NPN 管 UBE 0， UBC 0圖 　 NPN 三極管的輸出特性曲線第一章 半導(dǎo)體器件3. 飽和區(qū)：條件 ：兩個(gè)結(jié)均正偏I(xiàn)C / mAUCE /V100 181?！?　 IB= 0 時(shí)， IC = ICEO。圖 　三極管共射特性曲線測(cè)試電路圖 　三極管的輸入特性第一章 半導(dǎo)體器件二、輸出特性圖 　 NPN 三極管的輸出特性曲線IC / mAUCE /V100 181。第一章 半導(dǎo)體器件　 　 根據(jù) ? 和 ? 的定義，以及三極管中三個(gè)電流的關(guān)系，可得故 ? 與 ? 兩個(gè)參數(shù)之間滿足以下關(guān)系：　 　 直流參數(shù) 與交流參數(shù) ?、 ? 的含義是不同的，但是，對(duì)于大多數(shù)三極管來說， ? 與 ， ? 與 的數(shù)值卻差別不大，計(jì)算中，可不將它們嚴(yán)格區(qū)分。第一章 半導(dǎo)體器件上式中的后一項(xiàng)常用 ICEO 表示， ICEO 稱穿透電流。第一章 半導(dǎo)體器件becRcRb三極管中載流子運(yùn)動(dòng)過程I EIB　 　 1. 發(fā)射　 發(fā)射區(qū)的電子越過發(fā)射結(jié)擴(kuò)散到基區(qū)，基區(qū)的空穴擴(kuò)散到發(fā)射區(qū) — 形成發(fā)射極電流 IE (基區(qū)多子數(shù)目較少，空穴電流可忽略 )。引出三個(gè)電極即可。[解 ]第一章 半導(dǎo)體器件VDZR使用穩(wěn)壓管需要注意的幾個(gè)問題：圖 　穩(wěn)壓管電路UOIO +IZIRUI+ 　 　 1. 外加 電源的正極接管子的 N 區(qū) ，電源的 負(fù)極接 P 區(qū) ，保證管子工作在反向擊穿區(qū)；RL　 　 2. 穩(wěn)壓管 應(yīng) 與 負(fù)載電阻 RL 并聯(lián) ；　 　 3. 必須限制流過穩(wěn)壓管的電流 IZ，不能超過規(guī)定值 ，以免因過熱而燒毀管子。IZ = 5 mA rZ ? 16 ?IZ = 20 mA rZ ? 3 ?IZ/mA第一章 半導(dǎo)體器件4. 電壓溫度系數(shù) ?U　 　 穩(wěn)壓管電流不變時(shí)，環(huán)境溫度每變化 1 ℃ 引起穩(wěn)定電壓變化的百分比?！?　 Cb 和 Cd 值都很小，通常為幾個(gè)皮法 ~ 幾十皮法，有些結(jié)面積大的二極管可達(dá)幾百皮法。? ：半導(dǎo)體材料的介電比系數(shù)；S ：結(jié)面積；l ：耗盡層寬度。3. 反向電流 IR通常希望 IR 值愈小愈好。擊穿電壓U(BR)第一章 半導(dǎo)體器件3. 伏安特性表達(dá)式 (二極管方程 )IS ：反向飽和電流UT ：溫度的電壓當(dāng)量在常溫 (300 K)下， UT ? 26 mV　 　 二極管加反向電壓，即 U 0，且 |U| UT ，則 I ? ? IS。第一章 半導(dǎo)體器件二極管的伏安特性　 　 在二極管的兩端加上電壓，測(cè)量流過管子的電流， I = f (U )之間的關(guān)系曲線 ?！　】梢?， PN 結(jié)具有 單向?qū)щ娦?。電壓壁壘 UD，硅材料約為 ( ~ ) V, 鍺材料約為 ( ~ ) V?！?　 2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體 載流子的數(shù)目 要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)體，因而其導(dǎo)電能力大大改善。 電子稱為多數(shù)載流子 (簡(jiǎn)稱多子 )， 空穴稱為少數(shù)載流子(簡(jiǎn)稱