led芯片(完整版)
【正文】 日 各單色純芯片發(fā)光的 LED 10 2023年 1月 16日 芯片按組成元素可分為： ☆ 二元晶片 (磷 ﹑ 鎵 )： H﹑ G等； ☆ 三元晶片 (磷 ﹑ 鎵 ﹑ 砷 )： SR(較亮紅色 GaA/AS 660nm)、 HR (超亮紅色 GaAlAs 660nm)、 UR(最亮紅色 GaAlAs 660nm)等； ☆ 四元晶片 (磷 ﹑ 鋁 ﹑ 鎵 ﹑ 銦 )： SRF( 較亮紅色 AlGalnP )、HRF(超亮紅色 AlGalnP)、 URF(最亮紅色 AlGalnP 630nm)、VY(較亮黃色 GaAsP/GaP 585nm)、 HY(超亮黃色 AlGalnP 595nm)、 UY(最亮黃色 AlGalnP 595nm)、 UYS(最亮黃色 AlGalnP 587nm)、 UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、 HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、 UG (最亮綠色 AIGalnP 574nm) LED等。 ② 硅襯底 目前有部分 LED芯片采用硅襯底。包括單晶生長爐、拋光機(jī) 、變頻行星式球磨機(jī) 、晶體切割機(jī)等 高純?cè)? 化合物單晶 外延用襯底片 26 2023年 1月 16日 基本工藝流程 27 2023年 1月 16日 四、 LED芯片的制備及應(yīng)用 藍(lán)寶石 緩沖層 NGaN pGaN MQW 在半導(dǎo)體基片上形成一個(gè)與基片結(jié)晶軸同晶向的半導(dǎo)體薄層，稱為半導(dǎo)體外延生長技術(shù)，所形成的薄層稱為外延層 28 2023年 1月 16日 P、 N極的分離表現(xiàn)為元素?fù)诫s度的不同 29 2023年 1月 16日 ? 依制程的不同，可分為 LPE(液相磊晶 )、 MOCVD(有機(jī)金屬氣相磊晶 )及 MBE(分子束磊晶 )。 36 2023年 1月 16日 37 2023年 1月 16日 光刻 ITO 剝離、合金 光刻膠 ITO PGaN 金電極 襯底 緩沖層 NGaN MQW 光刻電極 蒸鍍電極 ICP刻蝕 38 2023年 1月 16日 外延片 ITO 光刻 ITO 甩 膠 前 烘 曝 光 顯 影 堅(jiān) 膜 腐 蝕 ITO氧化銦錫是 Indium Tin Oxides的縮寫。 47 2023年 1月 16日 劃片 激光打在藍(lán)寶石襯底上，所用激光為紫外光，波長為 355nm。采用擴(kuò)膜機(jī)對(duì)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，使LED芯片的間距拉伸到約 。 49 2023
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