電力電子器件半控型器件(完整版)
【正文】 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 2023/1/16 3 半控型器件 — 晶閘管 晶閘管是一種能夠用控制信號(hào)控制其導(dǎo)通 ， 但不能控制其關(guān)斷的半控型器件 。 ?平板型晶閘管可由兩個(gè)散熱器 將其夾在中間 。 ?開通狀態(tài) ： 注入觸發(fā)電流使晶體管的發(fā)射極電流增大以致 ?1+?2趨近于 1的話，流過晶閘管的電流 IA，將趨近于無窮大，實(shí)現(xiàn)飽和導(dǎo)通。 2023/1/16 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 16 1. 靜態(tài)特性 ?承受 反向電壓 時(shí) ， 不論門極是否有觸發(fā)電流 ， 晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通；伏安特性類似二極管的反向特性 。 晶閘管的基本特性 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 19 1) 開通過程 延遲時(shí)間 td：門極電流階躍時(shí)刻開始 ， 到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的 10%的時(shí)間 。 晶閘管的基本特性 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 21 ?開通過程 延遲時(shí)間 td (~?s) 上升時(shí)間 tr (~3?s) 開通時(shí)間 tgt 以 上 兩 者 之 和 ， tgt=td+ tr 100% 90% 10% u AK t t O 0 t d t r t rr t gr U RRM I RM i A ?關(guān)斷過程 反向阻斷恢復(fù)時(shí)間 trr 正向阻斷恢復(fù)時(shí)間 tgr 關(guān)斷時(shí)間 tq以上兩者之和tq=trr+tgr 普通晶閘管的關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒 。 應(yīng)留一定的裕量 ， 一般取 ~2倍 。 晶閘管的主要參數(shù) 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 2023/1/16 27 晶閘管型號(hào)及其含義 導(dǎo)通時(shí)平均電壓組別 共九級(jí) , 用字母 A~I表示 ~ 額定電壓 ,用百位或千位數(shù)表示 取UDRM或 URRM較小者 額定通態(tài)平均電流 (IF) （晶閘管類型） P普通晶閘管 K快速晶閘管 S 雙向晶閘管 K P 晶閘管 (可控硅 ) 普通型 如 KP57表示額定正向平均電流為 5A,額定電壓為 700V。 UT2UT1時(shí)， 控制極相對(duì)于 T2加 負(fù) 脈沖 ，晶閘管反向?qū)?，電流?T2流向 T1。 3) 擎住電流 IL—— 晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并 移除觸發(fā)信號(hào) 后 ， 能維持導(dǎo)通所需的最小電流 。 2) 反向 重復(fù)峰值電壓 URRM—— 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí) ， 允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓 。 開通時(shí)間 tgt為以上兩者之和 ， tgt=td+tr 普通晶閘管延遲時(shí)間為： ~?s， 上升時(shí)間為：~3?s。 ?晶閘管一旦導(dǎo)通 ， 門極就失去控制作用； ?要使晶閘管關(guān)斷 ， 只有使晶閘管承受反向電壓 ，或使晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下 。 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 2023/1/16 14 晶閘管導(dǎo)通的條件： 1. 晶閘管陽極電路 (陽極與陰極之間 )施加正向電壓 （ EA0）。 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 2023/1/16 8 符號(hào) G 控制極 (Gate) K 陰極 (Kathode) 陽極 (Anode) A P1 P2 N1 N2 四 層 半 導(dǎo) 體 三
規(guī)章制度相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1