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粉末冶金法制備sicwaz91復合材料研究畢業(yè)論文(完整版)

2025-08-02 15:54上一頁面

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【正文】 鎂合金基體組織由αMg固溶體和βMg17Al12相兩相組成,最佳燒結溫度為610℃,%。 復合強化復合強化是指在鎂合金中添加碳纖維、SiC顆粒、Al2O3短纖維等增強相,以改善基體力學性能。因此,鎂合金時效強化效果比鋁合金中所見到的要小得多。 固溶強化固溶強化是由于合金元素固溶到金屬基體后,由于合金元素和基體元素的原子半徑和彈性模量的差異,使基體產(chǎn)生點陣畸變,阻礙位錯的運動,從而使基體得到強化。國內(nèi)重慶長安集團公司在發(fā)動機變速器上、下殼體用鎂合金替代鋁合金;中國一汽集團研制成功了氣門室罩蓋、變速箱蓋、發(fā)動機油噴等鎂合金壓鑄件;東風汽車公司以鎂合金變速箱上蓋的產(chǎn)業(yè)化應用為重點突破對象。另外還用于煉鋼脫硫劑、金屬還原等領域[4]。鎂的晶體結構為密排六方結構,在25℃時的晶格常數(shù)為a=,c=,軸比c/a=。 SiCW/AZ91(分散處理)復合材料微觀磨損形貌29 燒結溫度與密度關系曲線16 真空熱壓燒結示意圖11 研究技術路線50參考文獻41 SiCw(未處理)/AZ91復合材料的磨損形貌35 復合材料的顯微硬度26 壓力工藝參數(shù)的確定18 試樣密度測試17 SEM分析12 試樣制備10 實驗設備及化學試劑5 噴射沉積法4 粉末冶金法3 復合強化1 鎂及鎂合金目 錄粉末冶金法制備SiCw/AZ91復合材料研究畢業(yè)論文目 錄摘要`2 沉淀(析出)強化10 復合材料的成分設計10 增強相的選擇12 配粉203 SiC晶須分散研究26 球磨工藝的確定31 粉末冶金燒結過程分析345 SiCw/AZ91復合材料的性能36 復合材料摩擦磨損性能496主 要 結 論3 MgAl二元相圖6 MgAlZn合金的可鑄性22 經(jīng)Tween80處理后的SiC晶須形貌33 實驗材料溫度硬度關系圖37 AZ91 基體粉末試樣的摩擦系數(shù)—時間曲線圖28 燒結工藝參數(shù)鎂化學性質(zhì)非?;顫?,在潮濕空氣、海水及絕大多數(shù)酸、鹽溶液中急易受腐蝕和氧化,高溫下鎂則易發(fā)生燃燒。 鎂合金的種類及用途鎂合金是具有高的比強度、比剛度、減振性、導熱性、可切削加工性和可回收性,因而被譽為“21世紀最具發(fā)展?jié)摿Φ木G色工程材料”。綜合看來,儀表盤基座、車輪、方向盤軸、汽車車身、座位框架、變速箱殼、發(fā)動機閥蓋等幾十種零部件使用鎂合金普及率最高[12]。溶質(zhì)原子濃度越大,溶質(zhì)與溶劑原子半徑和彈性模量差別越大,所得到的屈服強度也越高。促使強化的機理是滑動位錯與沉淀相相互作用。復合強化可以通過控制工藝參數(shù),使增強相與基體良好結合,從而獲得所需性能[21]。wang[26]等人應用粉末冶金的方法將Mg、Ti和C等粉末混合后,制備出了TiC顆粒在37nm,鎂晶粒尺度在25.60nm的超細結構復合材料,并且具有良好的力學性能。 噴射沉積法噴射沉積法是把液態(tài)金屬在高壓惰性氣體噴射下霧化,形成熔融的金屬噴射流,同時將增強相顆粒噴入射流中,使固液兩相混合并共同沉積到經(jīng)預處理的襯底上,快速凝固得到鎂基復合材料[32]。從MgAl二元相圖[36]()可以看出,當Al元素含量較低時,主要是以固溶體的形式出現(xiàn),隨著Al含量的增多,從合金中析出βMg17Al12相,βMg17Al12相是MgAl合金中最主要的第二相,該相的出現(xiàn),使合金的強度升高。Zr元素可作為鎂基體形核的異質(zhì)核心,從而細化合金組織。研究結果表明,SiC晶須加入后,MB15復合材料的硬度明顯提高,時效速度加快,另外發(fā)現(xiàn),濕混加干混混粉法效果比直接球磨法好。 B4C顆粒B4C顆粒在鎂基體中分布較均勻,界面穩(wěn)定,成本低,并具有良好的耐腐蝕性能,具有很大的應用潛力。 (wt.%)Table Materials Composition (wt. %)粉末編號AlZnMnMg+SiCw191Bal.0291Bal.20(未處理)391Bal.20(已處理)注:1試樣為AZ91基體粉末,2試樣是指未經(jīng)任何方法處理過的SiCw/AZ91粉末,3試樣為經(jīng)過KH550分散處理后的SiCw/AZ91粉末。本試驗試樣制備選用熱壓燒結粉末冶金法,粉末冶金法是把增強體和基體鎂合金粉末進行機械混合,并通過壓制燒結制備成型的一種生產(chǎn)工藝[55],廣泛應用于制備顆粒、晶須、纖維等增強金屬基復合材料。分散程度主要取決于粒子抵抗團聚的能力。 球磨球磨是粉末冶金法制備復合材料的一種常用的預處理方法。球磨時間取決于被研磨物料的種類以及上述諸因素,球磨時間并非越長越好。真空熱壓燒結技術是近十幾年來比較常用的燒結技術,是在高真空狀態(tài)下,利用高溫高壓的方法制備固體材料。浸蝕劑:選用4%的硝酸酒精溶液,浸蝕時間:4 s。加載持續(xù)時間為30s。 10 3 SiC晶須分散研究3 SiC晶須分散研究SiC晶須是在人工控制條件下以單晶形式生長的一種針狀纖維,它的直徑非常小,以致難以容納在大晶體中常出現(xiàn)的晶界、位錯、孔洞等缺陷,原子高度有序,因此強度接近完整晶體的理論值。 SiCw分散試驗結果本文采用焦磷酸鈉、吐溫80和硅烷偶聯(lián)劑三種分散劑對SiCw進行分散處理,研究對比了其分散效果。 吐溫80(Tween80)分散處理。 經(jīng)KH550處理后的SiC晶須形貌 Dispersed treatment of silicon carbide whisker morphology by KH550。從圖中可以看出,混合粉末經(jīng)球磨處理后,SiC晶須被基體粉末包覆,未見明顯的團聚現(xiàn)象。裝料量:一般鋼球和粉末占球磨罐體積的40%~50%時,研磨效果較好。第二階段主要依靠顆粒變形來消除孔隙,需要更大的力來實現(xiàn)。由于燒結機最低測試溫度為400℃,因此,本燒結工藝設定溫度從400℃時為起始溫度,同樣燒結完成最低溫度也為400℃,之后真空狀態(tài)冷卻2小時后,自然冷卻。從圖中可以看出,粉末顆粒之間形成了結晶狀第二相,該相主要由Mg和Al組成的Mg17Al12相,說明在燒結的過程中,Mg和Al在界面處發(fā)生的共晶反應,隨著燒結溫度的升高,第二相數(shù)量明顯增多。第二階段是固相溶解和再析出階段,在該階段近液相的固體顆粒表面原子逐漸溶解到液相中去,由于小顆粒和粗大顆粒的凸起或棱角優(yōu)先溶解,使得粉末中小顆粒數(shù)量逐漸減少,大顆粒表面趨向光滑并逐漸長大和球化,(c)所示。 8 5 SiCw/AZ91復合材料的性能5 SiCw/AZ91復合材料的性能 復合材料的顯微硬度 硬度是衡量材料軟硬程度的一個性能指標。2秒。燒結溫度的升高使得材料中的缺陷得到逐步的彌合,提高了基體抗變形的能力,因此顯微硬度也得到提高。另外,在相同溫度燒結時,復合材料的磨損量比基體AZ91的磨損量大。③分散處理過的SiCw/AZ91復合材料比沒有分散處理的復合材料磨損量小,這也證明了處理過的SiC晶須能與基體產(chǎn)生更好的結合,使組織更加致密,這一點與公式43密度曲線圖是一致的,由此證明分散處理的SiC晶須可以有效的提高復合材料的密度和抗磨性??梢钥闯?,隨著溫度的升高,復合材料的抗拉強度逐漸提高,同種溫度下燒結的材料,經(jīng)分散處理后的SiCw增強AZ91鎂基復合材料的強度較好。因此,粉末燒結材料的宏觀硬度值不能真實反映材料的真實硬度(表觀硬度),為了準確獲得燒結材料的硬度,需要采用顯微硬度測定法,在無孔隙的致密處測定。 維氏硬度是將頂部兩相對面具有規(guī)定角度的正四棱錐體金剛石壓頭用試驗力壓入試樣表面,保持規(guī)定時間后,卸除試驗力,測量試樣表面壓痕對角線長。 (a)混合粉末 (b)重排 (c)溶解析出 (d)固相燒結 液相燒結過程示意圖[56,66] Sintering sketch of liquid phase本文燒結體系中含有Mg、Al、Zn和SiC晶須等組分,Zn的熔點為420℃,當燒結溫度高于420℃時就會發(fā)生Zn熔化現(xiàn)象,從而出現(xiàn)液相燒結。隨著溫度升高,第二相在顆粒界面處形成數(shù)量增多,空洞逐漸減少。 燒結溫度與密度關系曲線Fig. Density of different temperture從圖中可以看出,經(jīng)不同溫度燒結后,試樣的密度隨著燒結溫度的升高是先增大后減小。由于第三階段對密度增加作用很小,因此,研究合適壓力具有一定的意義。球磨速度:球磨速度過快,一方面鋼球會懸空,不利于下部粉末的研磨,另一方面溫度會升高,有可能產(chǎn)生氧化和合金化。從照片中還可以看出,復合材料經(jīng)過適當?shù)那蚰ズ螅琒iC晶須在基體粉末中彌散分布,且長徑比比較均勻,(c),這就避免了晶須長短不齊造成的晶須相互搭接形成空間位阻的現(xiàn)象,有助于提高燒結試樣的致密度。偶聯(lián)劑KH550其分散機理主要有以下兩點:a) KH550的乙氧基水解為羥基,此羥基與SiC晶須表面存在的羥基生成氫鍵,因此使KH550吸附在晶須表面,形成一定厚度的吸附層,從而降低了晶須之間的吸引力;b) KH550溶液粘度較大,高粘度的有機膠體減緩了晶須的運動,阻止晶須重新團聚。 經(jīng)Tween80處理后的SiC晶須形貌 Dispersed treatment of silicon carbide whisker morphology by Tween80Tween80在晶須表面吸附,形成高粘度狀態(tài),可以防止晶須之間的碰撞、摩擦和吸附。 經(jīng)SPP處理后的SiC晶須形貌 Dispersed treatment of silicon carbide whisker morphology by SPP,從圖中可以看出,SiCw仍存在嚴重的團聚現(xiàn)象,效果并不理想。但是,由于SiC晶須的直徑非常小,具有大的比表面積和表面能,因此晶須會產(chǎn)生嚴重的團聚現(xiàn)象,并且在晶須的生產(chǎn)過程中,不可避免的會有SiOC和催化劑等雜質(zhì)粘附在晶須表面,也會使晶須產(chǎn)生團聚和纏結。 摩擦磨損性能測試摩擦磨損試驗在MMW1屏立式萬能摩擦磨損試驗機上進行,對磨材料為45鋼。試驗所用能譜儀為掃描電鏡
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