【正文】 c式 中hkl 為整數(shù)。tθA 2m s s0 Hhklθ s01 s t n O 1入射線； 2衍射線 二、衍射方程 z 過 O 作垂直于 SO 的波陣面得 m 點(diǎn)；又過 A 作垂直于 S 的 波陣面得 n 點(diǎn)，則 O 和 A 兩個(gè)原子的散射線在 S 方向 上的程差為： θ z δ=OnAm=OAc*)=(b* a =（ca）b=1 同文字的倒易矢量與正矢量的 數(shù)量積為1的圖形解釋見圖2. z 從圖2可知，c cosδ是（001） 面的面間距d001，因此： c* c* ⊥a及b。 陣中倒易矢量的關(guān)系(hkl) X N PhklO 一、倒易點(diǎn)陣基礎(chǔ) z 從原點(diǎn)到Phkl點(diǎn)的 Z 矢量稱為倒易矢 量，其大小為： Hhkl=k/dhkl z 式中k位比例系數(shù)，在多 H 數(shù)場合下取作1，但很多 時(shí)候亦可令之等于X射線 的波長。 倒易點(diǎn)陣與衍射 西安交通大學(xué) 材料物理系 宋曉平 一、倒易點(diǎn)陣基礎(chǔ) z 倒易點(diǎn)陣是一種數(shù)學(xué)方法 z 利用這一概念，可使晶體幾何的問題大為簡化。 陣中倒易矢量的關(guān)系 倒易矢量的數(shù)學(xué)定義 z 設(shè)真點(diǎn)陣的基本平移矢量為 a b c z 設(shè)倒易點(diǎn)陣的基本平移矢量為 a* b* c* z a* b*⊥a及c。c=c* c cosδ=c*d001=1 可得 c*=1/d001