【正文】 .1 屏蔽電磁波是電磁能量的傳播的主要形式，高頻電路工作時，會向外輻射電磁波，對鄰近的其它設備產(chǎn)生干擾；另一方面，空間的各種電磁波也會感應到電路中，對電路造成干擾。在圖81中，干擾源A和受感應物的電位分別為UA和UB，那么UA和UB間的關系為： （81）式中，C1為A、B之間的分布電容；C2為受感應物B的對地電容。SC1162。因此，當屏蔽盒需要開狹縫時，狹縫不能切斷磁路，即狹縫只能與磁通的方向一致，而不能與磁通的方向垂直，否則將影響磁屏蔽的效果。此外，由于趨膚效應，渦流只在材料的表面產(chǎn)生。電磁波在穿透屏蔽體時的能量吸收損耗主要是由于渦流引起的。例如，全封閉的金屬盒可以有最好的電場屏蔽效果，而開孔或帶縫隙的屏蔽盒，其屏蔽效能都會受到不同程度的影響。若需要接地時，可選用非鐵磁材料（如銅、鋁）做支撐件。2) 對于既定的材料，磁場比電場要有更厚的屏蔽體。3) 反射損耗與輻射源的特性有關，對于電場輻射源，反射損耗很大；對于磁場輻射源，反射損耗很小。這里以能量場原理來說明屏蔽效能。低阻抗場（如距離λ/2π的環(huán)）的反射損耗為： （87）條件為：f2x109 Hz高阻抗場（如距離λ/2π的棒）的反射損耗為： (88)條件為：f2x109 Hz平面波（如距離λ/2π的棒或環(huán)）的反射損耗為： （89）條件為：f2x109Hz. 內(nèi)部反射修正項如果A等于或大于15dB，修正項B可以忽略不計。3) 在強電磁場環(huán)境中，要求材料能屏蔽電場和磁場兩種成分，因此需要結構上完好的鐵磁材料。3) 在可能的情況下，接縫應焊接。9) 選擇硬韌材料做成的襯墊，以便劃破金屬上的任何表面。資料表明，頻率較低時衰減最大。變形度限制值為25%。具有濾波插針的多芯連接器（插座）適于這種場合使用。10) 盡可能在指示器、顯示器后面加屏蔽，并對所有引線用穿心電容濾波。而就電性上言，所謂濾波器是集中或分散之定值電阻、電感以及電容在不同組合下之線路，其目的是讓需要的信號順利通過，而阻止其它不需要的信號進入線路、裝備或系統(tǒng)中。也就是說，如果噪音源內(nèi)阻是低阻抗的，則與之對接的濾波器的輸入阻抗應該是高阻抗（如電感量很大的串聯(lián)電感）；如果噪音源內(nèi)阻是高阻抗的，則濾波器的輸入阻抗應該是低阻抗（如容量很大的并聯(lián)電容）。通常用于軍用裝備中的溫度范圍為65℃至＋85℃；而商用及工業(yè)用的溫度范圍則較小。. 電源濾波器. 干擾的方式電源干擾復雜性中眾多原因之一就是包含了許多可變的因素。差模干擾有時也稱為常模干擾、串模干擾、橫模干擾或對稱干擾，這是載流導體之間的電位差。連接在電源線上的電器設備接通或斷開電源時所產(chǎn)生的脈沖電壓雖然由差模電流開關轉換所形成，但卻很容易耦合到共模電路和接地回路中，成為信號電纜接收感應的主要來源。圖86是幾種常用的電源濾波器的結果原理圖。圖d)是濾除電源差模干擾的濾波器，LL2對于干擾源來說是高阻抗，C為低阻抗。C1要高頻特性好的陶瓷電容或聚酯電容，耐壓要根據(jù)電源電壓值再留有充分的余量。設備安裝濾波器后，設備的金屬機殼應該接大地，這是為了防止濾波器的泄漏電流對人身的危害。線路板安裝濾波器適合于安裝在線路板上，具有成本低、安裝方便等優(yōu)點。當不同電路之間沒有任何連線是，按照一般的屏蔽設計技術就可以了。2) 在選擇濾波器時，除了要注意插入損耗這一指標外（注意一般產(chǎn)品目前都是提供20℃時的數(shù)據(jù)），還要注意電源額定值、電壓額定值和漏電流等指標。物體在接觸、摩擦、分離、感應、電解等過程中，發(fā)生電子或離子的轉移，正電荷和負電荷在局部范圍內(nèi)失去平衡，就形成了靜電。所造成的誤區(qū)有以下幾點：，因為IKV ~ 2KV以下的靜電放電感覺不到的，但確能使器件因電擊而受到損傷。靜電主要是對半導體器件產(chǎn)生損傷，其失效模式如表141所示。二極管①反向漏電流增加，擊穿電壓降低② 反向電壓降增大② 反向電壓降增大靜電放電的類型電暈放電 電暈放電一種高電位、小電流、空氣被局部電離的放電過程。由于過電壓的作用，會導致MOS器件的柵氧化層被擊穿或引起極間空氣隙擊穿致使器件失效。205。 赤 腳 尼龍襪薄毛襪導電襪 襪料 靜電位（kV） 工作服 鞋 鞋205。163。254。208。189。172。表表23不同濕度人體靜電位66在工作臺上操作212。207。207。176。195。207。198。219。人體靜電電位（kV）靜電產(chǎn)生原因18180。176。221。210。.5； 35 35在合成纖維地毯上走動212。206。223。各類器件的耐靜電電壓值 一般將靜電敏感器件分為三級： 一級：0 ~ 2kV 二級：2 ~ 4kV 三級： 4 ~ 16kV一級器件應作重點控制，二級器件一般控制，抗16kV器件認為是非敏感器件。192。182。1GHz181。188。208。MOSFET163。208。JFET163。178。163。241。163。OP AMP163。194。196。201。247。169。182。181。194。254。244。220。166。225。166。249。203。169。207。169。243。175。168。231。185。163。181。188。236。188。192。182。? MOS179。163。179。163。195。198。186。188。203。163。181。? 177。247。172。187。179。181。只要控制環(huán)境的溫度、濕度和溫度變化率，隨著濕度增加，靜電產(chǎn)生明顯下降。當一種物體表面與另一種物體表面磨擦時，磨擦熱轉變物體表面的電子能量，使之超過庫侖約束能極，而使這些電子脫離它們的外層運轉軌道，進入另一物體的外層運轉軌道，產(chǎn)生兩種離子，即：帶正電荷和帶負電荷。b. 中和：中和法一般使用離子靜電消除器。在訂貨單上ESDS器件應注明。（3）貯存與配套：同意入庫的有ESD標記的各種器件，應按原來包裝放在接地的貨架上。應注意材料的壽命期，某些材料表面防靜電涂層的磨損情況。此外，波峰焊接設備必須良好接地。 c. 除非另有規(guī)定，電源電壓應在信號輸入前加上。也不應在電源斷開的情況下輸入信號。 對于設備級的ESD防護設計，其重點應放在為靜電放電設置一條通暢的泄放通道。搭接處要采用面接觸，避免點接觸。6 機架設備的接地點與外部接地樁之間要保證可靠的電氣連接，連接銅線截面的外周長不小于20mm。2)保證接縫處金屬對金屬的接觸，嚴禁接縫處有油漆或氧化層等絕緣物，以防電磁能的泄漏和輻射。 選擇硬韌材料做成的襯墊，以便劃破金屬上的任何表面。表25 按優(yōu)先等級排列的各種襯墊表。3導電橡膠適用于只需名義上連接和少地方。PCB的ESD防護設計主要應做好以下措施：1 接口電路應盡量采用ESD敏感度為3級（靜電損傷閾值大于4000V）或不敏感的元器件， 否則在輸入輸出接口電路上應采取保護措施。 6 相互之間具有很多互連線的元器件應盡可能彼此靠近。13 對于雙面板，如果印制板上的電源線引線很長。16 CMOS器件所有不用的輸入端引線不允許懸空，應視21 操作面板上容易被人體接觸的部件，如小面板、按鈕、鍵盤、旋鈕等應采用絕緣物，也可以采用帶塑料薄膜的金屬開關面板。它使危險的電壓尖峰以箝位方式（由硅PN結的雪崩效應）來限制在電路可以允許的范圍。對于VRM，從保護的角度，該參數(shù)應取較小值，但從不影響正常工作的角度，該參數(shù)應取較大值。對于輸入電容C，應保證不對電路的正常工作造成影響，不對傳送的波形產(chǎn)生畸變。它的主要電參數(shù)是擊穿電壓（UBR）、漏電流（IO）和電容等。22 對與內(nèi)部電路無聯(lián)系的金屬部件，如固定印刷板的金屬鎖簧和起拔拉手，外表涂覆絕緣層，增加其絕緣強度，并與印制板內(nèi)部電路（包括信號和地線層）隔離至少5mm以上。CMOS器件的輸入端如果接的是高阻源，則應設計上拉或下拉電阻?！?。7 信號線應該與其回流地線緊挨在一起,盡量在每根信號線的旁邊安排一條地線。芯片的保護電路緊靠芯片放置如圖142 所示圖 單板的保護電路緊靠連接器放置 2 芯片的保護電路應緊靠相應的芯片放置，并低阻抗接地，見圖223 易受ESD干擾的器件，如NMOS、CMOS器件等，應該盡量遠離易受ESD干擾的區(qū)域。變形度限制值為25%。資料表明，頻率較低時衰減最大。保證同襯墊配合的金屬表面沒有非導電保護層。4) 用螺釘或鉚接進行搭接時，應首先在縫的中部搭接好，然后逐漸向兩端延伸，以防金屬表面的彎曲。提高縫隙屏蔽效能的結構措施包括增加縫隙深度，減少縫隙長度，在接合面上加入導電襯墊，在接縫處涂上導電涂料，縮短螺釘間距等。詳見表常用金屬標準電位表 超過時可以選擇一種過度金屬（或鍍層），以降低原來兩種金屬的接觸腐蝕。如果要將設備分解成整件時，每個整件應用防靜電包裝，并貼上警告標簽。 d. 拆除并更換有故障的器件應再防靜電工作內(nèi)進行。ESD絕不允許用簡單的蜂鳴器一類儀器。庫房人員應保證：取放ESD時，只能用手與器件的殼體接觸，不能觸及引線。（2）器件進貨與進貨檢驗。工作臺應寬敞，不僅滿足工作操作自如，而且能容納所有操作工具和防靜電轉運箱。d. 防止人體帶電。通風降溫設施風速降低有利于減小靜電的產(chǎn)生。194。181。182。169。247。201。196。194。OP AMP163。163。241。163。178。JFET163。208。MOSFET163。208。??MOS場效應管（MOSFET）? 結型場效應管（JFET） ? 運算放大器（OP AMP）? 集成電路（IC）? 小信號二極管（P〈1W，I〈1A）? 一般硅整流二極管? 可控硅整流器（I〉）? 小功率雙極性晶體管? 片狀電阻器? 光電器件（光電二極管、光電晶體管、光電耦合器）? 壓電晶體? 由第三級器件組成的混合電路? 188。 188。 0 ~ 2kV續(xù) 續(xù)表22元器件類型器件分類及敏感度198。207。233。210。Pt 100mW163。213。198。169。201。247。203。247。231。168。237。220。205。220。169。208。214。 一級 0 ~ 2kV 187。187。247。201。247。216。181。163。? 188。180。CCD163。186。SAW163。194。 ? 201。211。? 189。211。185。188。?微波器件（肖特基二極管、點接觸二極管及頻率大于1GHz的檢波二極管）? MOS場效應管（MOSFET）? 結型場效應管（JFET） ? 聲表面波濾波器（SAW）? 電荷耦合器件（CCD）? 運算放大器（OP AMP）? 集成電路（IC）? 薄膜電阻器? 可控硅整流器（Pt 100mW，It 100mA）? 由第一級器件組成的混合電路? 194。 188。表24 ESD敏感器件分類和敏感電壓范圍元器件類型器件分類及敏感度198。175。181。186。201。173。187。181。210。 1820從墊有聚氨基甲酸泡沫的工作椅上站起240。202。202。201。202。217。185。224。181。a5. 新皮鞋