低壓氣體直流擊穿特性實驗論文(完整版)
【正文】 90532568619680擊穿電壓2/(V)453491532569618669擊穿電壓3/(V)455492532570631664擊穿電壓平均值/(V)氣體壓強/（pa）5055606570帕邢參數(shù)/(Pa*cm)420462504546588擊穿電壓1/(V)709750811860910擊穿電壓2/(V)693746820858898擊穿電壓3/(V)689747815857905擊穿電壓平均值/(V)四、實驗結(jié)論與討論： 根據(jù)繪制出的曲線可得，帕邢參數(shù)為126Pa*。記錄氣壓和電壓的數(shù)值。注意在擊穿瞬間讀取擊穿電壓，并且每次測量都應(yīng)使放電管內(nèi)氣體回到穩(wěn)定狀態(tài)，讀取電壓結(jié)束后，立即降低電壓至50V以下。測量擊穿電壓分兩個部分測量，以10Pa為分隔。由于 A、B 和g等常數(shù)與氣體種類和電極材料有關(guān)，因此研究不同氣體的帕邢曲線很有意義。1889年，Paschen通過實驗系統(tǒng)研究了低氣壓放電擊穿現(xiàn)象，發(fā)現(xiàn)：在平行板電極條件下，低氣壓氣體的擊穿電壓Vs是氣壓和電極間隙之積Pd（稱為帕邢參數(shù)，Paschen’s Factor）的一元函數(shù)，并找到了多種氣體的擊穿電壓最小值。隨著電場增強，離子撞擊陰極的能量也增加。湯森（Townsend）引入了a過程和g 過程描述電子雪崩電離和二次電子發(fā)射。自持放電是指沒有外電離因素，能夠在導(dǎo)電電場的支持下自主維持下去的放電過程。（2）認識低氣壓氣體直流擊穿現(xiàn)象，研究放電條件與氣體擊穿電壓的關(guān)系，體會探索物理規(guī)律的實驗研究過程。（3）掌握帕邢定律和帕邢曲線。在外電離因素支持下，氣體中會存在一定量的背景電離過程，因而含有一定濃度的帶電粒子，可以在外加電場作用下形成導(dǎo)電電流。根據(jù)湯森（Townsend）理論，氣體擊穿過程包括以下步驟：由于宇宙射線的作用，氣體中總存在一定量電離事件，即背景電離。當(dāng)電場達到足夠強時，離子轟擊可在陰極誘導(dǎo)二次電子發(fā)射，這一過程稱為g 過程。由此，Paschen建立了擊穿電壓與帕邢參數(shù)的實驗規(guī)律，稱為Paschen定律。二、實驗內(nèi)容與方法（1） 設(shè)定電極間隙在89cm之間，測量氬氣氣壓在（4100P
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