【正文】 電流不能根據(jù)電池的狀態(tài)變化；動(dòng)態(tài)地跟蹤理想的的充電電流曲線，因此充電質(zhì)量和效果還不理想。 數(shù)字式智能充電器開(kāi)發(fā)的基本要求從20世紀(jì)60年代用于商業(yè)的鎳鎘和密封鉛酸蓄電池一直到最近幾年的鎳氫和鋰離子電池，可充電電池的容量和性能有了快速的發(fā)展。第2章 方案的選擇 方案選擇的原理對(duì)于充電電池，傳統(tǒng)的充電方法主要是恒流充電、恒壓充電或兩者結(jié)合充電等方法，這些充電方法都沒(méi)有動(dòng)態(tài)的跟蹤電池能夠接受的充電電流的大小，事實(shí)證明這些充電方法不僅充電時(shí)間長(zhǎng)而且比較容易對(duì)電池過(guò)沖，縮短了電池的壽命。缺點(diǎn)是：它不能區(qū)別電池的放電深度；而且容易造成過(guò)充電，以至于使電池內(nèi)部電壓過(guò)高，造成嚴(yán)重的極化現(xiàn)象，使電池的失水過(guò)多，對(duì)充電電池造成不能恢復(fù)的傷害，縮短電池的壽命。數(shù)字式智能充電器的系統(tǒng)圖如下：圖21 系統(tǒng)組成框圖4洛陽(yáng)理工學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）第3章 電池的充電特性和控制算法 電池的充電特性 鋰離子電池單節(jié)鋰離子電池的正常工作電壓為 ，充足電時(shí)的電壓可達(dá) 。從C點(diǎn)處開(kāi)始繼續(xù)充電，電池電壓會(huì)下降，出現(xiàn)ΔU，并且電池有明顯的溫升，此時(shí)可判定電池已充足電 。單節(jié)密封鉛酸電池的正常工作電壓為 ，充滿電時(shí)的電壓可達(dá) ，放完電時(shí)的電壓可降至1V。在充電過(guò)程中，為了可靠判斷電池是否充滿，系統(tǒng)采取多種方式來(lái)作為充電中止標(biāo)志：①針對(duì)鎳鎘電池，準(zhǔn)確檢測(cè)ΔU，針對(duì)鎳氫電池準(zhǔn)確檢測(cè)0ΔU，若檢測(cè)到ΔU和0ΔU，則停止充電；②若電池的ΔU變化不明顯時(shí)，電池電壓將持續(xù)出現(xiàn)極大值，若該極大值持續(xù) 5min不變化時(shí)，認(rèn)為電池充滿；③根據(jù)電池溫度判斷，若電池溫度超過(guò) 40℃，則停充。它的輸出緩沖器有對(duì)稱的驅(qū)動(dòng)特性，可以吸收和輸出大電流。使用ADC時(shí)應(yīng)通過(guò)一個(gè)低通濾波器與VCC相連。源極S和高壓功率回路的MOSFET管的源極相連，同時(shí)做初級(jí)電路的公共點(diǎn)和參考點(diǎn)。 充放電模塊 圖43電路為 Buck拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，主要作用是對(duì)AC/DC輸出的直流電壓進(jìn)行PWM斬波，得到充電所需要的充電電壓和充電電流，其中PWM的占空比通過(guò)單片機(jī)根據(jù)電池的充電狀態(tài)實(shí)時(shí)計(jì)算得到的。另外，電池組中各單體電池的最高充電電壓也會(huì)有差別，因此采用這種方法不可能非常準(zhǔn)確地判斷電池已充足電。它的優(yōu)勢(shì)如下：（1） 可以加快開(kāi)發(fā)進(jìn)度，如果程序量越大，用C語(yǔ)言的優(yōu)勢(shì)就越明顯。C編譯器可以自動(dòng)實(shí)現(xiàn)中斷服務(wù)程序的現(xiàn)場(chǎng)恢復(fù)和保護(hù)，對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的函數(shù)庫(kù)，它都能夠提供給用戶使用，而且C編譯器還可以自動(dòng)生成一些硬件的初始化代碼。 為了方便程序的設(shè)計(jì)，這里首先畫出了主程序流程圖，通過(guò)主流程圖我們可以大致了解系統(tǒng)的運(yùn)行狀況，現(xiàn)具體分析如下圖51：圖51 系統(tǒng)程序流程圖 液晶顯示本著簡(jiǎn)單明了的基本思想，結(jié)合液晶顯示模塊的相關(guān)知識(shí)，設(shè)計(jì)出如圖52液晶顯示界面：智能型充電器電壓： V　　電流： A溫度： ℃圖52 LCD初始化顯示界面初始化液晶顯示的第一行為“智能型充電器”，通過(guò)按鍵來(lái)控制電池的運(yùn)行狀態(tài)，所以第一行可以在“充電、放電、充電狀態(tài)、充電完成”之間選取。在辛老師的耐心指導(dǎo)下，自己也有了一個(gè)全新的提高。同時(shí)，通過(guò)和同組人的合作，我的溝通和協(xié)調(diào)能力也有顯著提高。 DDRC=0x00。}void delay_1ms(void) //延時(shí)1毫秒{ unsigned int i。 } void init_devices(void)//初始化單片機(jī) { CLI()。 SEI()。=~BIT(PA2)。//把A2口拉高 delayus(40)。 PORTA|=BIT(PA2)。 delayus(50)。 delayus(2)。 val=val=1。 write_byte(0xcc)。break。break。break。 if(z0) { number_disp(x,lie,fuhao)。 } else { dis_num(x,lie,zz/100)。 word_disp(x,lie,blank)。 ADCSR=0XE1。 if(!(z/100)){dis_num(x,lie,0)。 dis_num(x,lie,zz%10)。 } void Conversion_current(void) { ADCSR=0X00。 int zz。 lie++。 word_disp(x,lie,blank)。 //延時(shí),軟件去干擾 if(PINC!=0x0F) //確認(rèn)按鍵按下 { X=PINC|0xF0。 //取出鍵值 switch ( Z ) //判斷鍵值（那一個(gè)鍵按下） { case 0xee: k=0。 case 0xed: k=4。 case 0xeb: k=8。 case 0xe7: k=12。 } return (k)。 }int cd_canshu(void)//獲取充電型號(hào) { int g,kk。 word_disp(0,6,blank)。 word_disp(0,2,blank)。 if(kk!=0) { g=kk。 //初始化PID 的相關(guān)參數(shù) PWM=300。 //計(jì)算P 值 D=kd*(e22*e1+e0)/10。 } void dapeng_fang(int V0,int C0) { PWM=1023。 word_disp(0,5,cheng)。 zt0=voltage/5。 dis_num(0,10,zt1)。 word_disp(0,2,dian)。 temp_baohu(T)。 dis_num(0,11,zt2)。 word_disp(0,3,dian)。 temp_baohu(T)。 word_disp(0,1,zhi)。 word_disp(2,1,ya)。 while(1) { pwm_out()。//充電型號(hào) dapeng_chongdian(temp,xinghao)。 word_disp(0,7,blank)。//讀取溫度 dis_temp(6,5,temp)。//智unsigned char neng[32]={0x10,0xB8,0x97,0x92,0x90,0x94,0xB8,0x10,0x00,0x7F,0x48,0x48,0x44,0x74,0x20,0x00,0x00,0xFF,0x0A,0x0A,0x4A,0x8A,0x7F,0x00,0x00,0x3F,0x44,0x44,0x42,0x72,0x20,0x00}。//度unsigned char fuhao[32]={0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x01,0x01,0x01,0x01,0x01,0x01,0x01}。//百分號(hào)%unsigned char xu[32]={0x12,0x12,0x12,0x52,0x77,0x52,0xD2,0xDA,0x52,0x52,0x37,0x92,0x12,0x12,0x12,0x00,0x00,0x00,0xFA,0xAA,0xAB,0xAB,0xAA,0xFA,0xAA,0xAA,0xAA,0xAA,0xFB,0x06,0x00,0x00}。//A/* 文字: 0 */unsigned char zero[16]={0x00,0xE0,0x10,0x08,0x08,0x10,0xE0,0x00,0x00,0x0F,0x10,0x20,0x20,0x10,0x0F,0x00}。/* 文字: 8 */unsigned char eight[16]={0x00,0x70,0x88,0x08,0x08,0x88,0x70,0x00,0x00,0x1C,0x22,0x21,0x21,0x22,0x1C,0x00}。 SETBIT2(PORTA,E)。 } void setlie(uchar lie)//設(shè)置列 { delay(100)。 CLRBIT2(PORTA,E)。CLRBIT4(PORTA,CS2)。 PORTB=shuma。SETBIT3(PORTA,CS1)。 SETBIT2(PORTA,E)。 CLRBIT1(PORTA,RW)。 CLRBIT0(PORTA,RS)。uchar t=0。/* 文字: 2 */unsigned char two[16]={0x00,0x70,0x08,0x08,0x08,0x88,0x70,0x00,0x00,0x30,0x28,0x24,0x22,0x21,0x30,0x00}。//鎳unsigned char ge[32]={0x40,0x30,0xEF,0x24,0x24,0x04,0x82,0xBA,0xAA,0xAA,0xAA,0xAA,0xAA,0xBA,0x82,0x00,0x01,0x01,0xFF,0x41,0x21,0x00,0xFF,0x00,0x05,0x06,0x7C,0x06,0x45,0x80,0x7F,0x00}。//壓unsigned char liu[32]={0x10,0x60,0x01,0x86,0x60,0x04,0x44,0x64,0x55,0x4E,0x44,0x64,0xC4,0x04,0x04,0x00,0x04,0x04,0xFC,0x03,0x40,0x30,0x0F,0x00,0x00,0x7F,0x00,0x3F,0x40,0x40,0x70,0x00}。//型unsigned char chong[32]={0x00,0x04,0x84,0xC4,0xA4,0xB4,0x9D,0x96,0x84,0x94,0xA4,0xC4,0x84,0x04,0x00,0x00,0x00,0x80,0x40,0x20,0x18,0x07,0x00,0x00,0x3F,0x40,0x40,0x41,0x40,0x70,0x00,0x00}。0xEF //RSPA4define SETBIT0(PORTA,RS) PORTA=PORTA|0x10define CLRBIT1(PORTA,RW) PORTA=PORTAamp。 pwm_out()。 word_disp(0,1,blank)。//啟動(dòng)AD電壓 if(voltage490) { dis_voltage(2,5,voltage)。 word_disp(4,0,dian)。 word_disp(0,3,xing)。 //寄存器求值 OCR1AL=PWMamp。 word_disp(0,5,maohao)。 word_disp(0,7,blank)。 word_disp(0,1,nie)。 word_disp(0,4,maohao)。 number_disp(0,12,baifenhao)。 zt2=zt0%10。 word_disp(0,7,blank)。 while(V0100) { PORTD=0xFB。 //判斷采用PD 還是采用PID 控制算法 else I=0。//設(shè)定的電流值 tempv=VV0。 } pp=c。 word_disp(0,4,dian)。 cf=1。 if(g==1) { word_disp(0,0,blank)。} else {dapeng_fang(V,C)。 case 0xd7: k=13。 case 0xdb: k=9。 case 0xdd: k=5。 //對(duì)鍵值賦值 case 0xde: k=1。 DDRC=0x0F。 word_disp(x,lie,blank)。lie++。 zz=z。//select adc input 5 ACSR=0X80。 number_disp(x,lie,fute)。} if(z/100){dis_num(x,lie,zz/100)。//AD轉(zhuǎn)換延時(shí) input=(ADCH8)+ADCL。 word_disp(x,lie,blank)。 dis_num(x,lie,(zz%100)/10)。 lie++。break。break。break。 low=read_byte(