光電子學(xué)與光學(xué)(完整版)
【正文】 了光子聯(lián)合研究中心，重點(diǎn)開(kāi)拓信息技術(shù)和新產(chǎn)品。微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科點(diǎn)61年開(kāi)始招收研究生，81年被評(píng)為我國(guó)首批半導(dǎo)體物理與半導(dǎo)體器件物理博士授權(quán)點(diǎn)開(kāi)始招收博士研究生，95年被評(píng)為吉林省重點(diǎn)學(xué)科，97年調(diào)整為微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，2002年被評(píng)為國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科?！半姶鸥袘?yīng)光透明”、“高色散高折射率介質(zhì)”、“相干燒孔效應(yīng)”、“半導(dǎo)體量子阱材料中的光開(kāi)關(guān)”和“等離子體中的電磁感應(yīng)光透明”等課題取得了許多國(guó)際水平的成果，發(fā)表學(xué)術(shù)論文三十余篇。本建設(shè)項(xiàng)目學(xué)科研究領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，形成多個(gè)研究方向，受到國(guó)內(nèi)外同行專家的高度重視，尤其在半導(dǎo)體光電子學(xué)、原子相干光學(xué)的某些領(lǐng)域處于國(guó)內(nèi)高校領(lǐng)先地位。重點(diǎn)研究基于新型半導(dǎo)體光電子材料、低維納米結(jié)構(gòu)材料的各種新型光電子器件以及集成器件。近十年來(lái)，隨著信息量的不斷擴(kuò)大，DWDM技術(shù)的發(fā)展可以說(shuō)是日新月異，特別是支持該技術(shù)的兩項(xiàng)核心技術(shù)即光纖放大和復(fù)用/解復(fù)用技術(shù)發(fā)展尤為迅速。主要包括：可調(diào)諧近、中紅外激光的研究、甲烷氣體探測(cè)的研究、以光纖激光器為基礎(chǔ)的紫外光源系統(tǒng)的研究、有機(jī)非線性光學(xué)材料研究、可調(diào)諧上轉(zhuǎn)換紫外光纖激光研究和非線性光學(xué)系統(tǒng)的同步化研究。繼續(xù)加大對(duì)教學(xué)實(shí)驗(yàn)室的投入，加強(qiáng)與企業(yè)的合作，建設(shè)相關(guān)專業(yè)教學(xué)實(shí)驗(yàn)室。本項(xiàng)目擬購(gòu)的代表性儀器設(shè)備有：掃描隧道顯微鏡、臺(tái)階儀、ZnO生長(zhǎng)MOCVD系統(tǒng)、光譜分析儀、保偏光纖熔接機(jī)、頻譜分析儀等。在“十五”期間，爭(zhēng)取承擔(dān)國(guó)家重大基礎(chǔ)研究“973”二級(jí)子課題以上項(xiàng)目1~3項(xiàng)，“863”計(jì)劃項(xiàng)目4~8項(xiàng)，國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目20~30項(xiàng)，及國(guó)家國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)、社會(huì)發(fā)展、國(guó)家安全所需的各級(jí)各類項(xiàng)目。學(xué)術(shù)隊(duì)伍中擁有1~2名中國(guó)科學(xué)院或中國(guó)工程院院士，25名左右博士研究生導(dǎo)師，100名左右的教授和副教授，及工程技術(shù)人員，教師隊(duì)伍中具有博士學(xué)位的占70%以上。本領(lǐng)域主要以各種光纖光柵為核心，充分發(fā)揮紫外激光微細(xì)加工技術(shù)得優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)研究高起點(diǎn)無(wú)源器件，增益平坦寬帶光纖放大器、紫外寫(xiě)入AWG基礎(chǔ)技術(shù)及MOEMS光通信器件等。——有機(jī)光電子學(xué)。本建設(shè)項(xiàng)目學(xué)科研究成果共獲國(guó)家自然科學(xué)四等獎(jiǎng)1項(xiàng)，國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)1項(xiàng)，國(guó)家發(fā)明獎(jiǎng)7項(xiàng)，省部級(jí)獎(jiǎng)23項(xiàng)，獲授權(quán)發(fā)明專利24項(xiàng)，出版著作和教材17部，在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物和會(huì)議發(fā)表論文1500余篇，.，., ., Opt. Commun.，Appl. Phys. Lett., IEEE J. Quan. Electron., J. ., Electron. Lett. 等國(guó)際著名刊物上，在國(guó)內(nèi)外有較大影響。80年代初期，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)始研究晶體管低頻噪聲，對(duì)GM噪聲、1/f噪聲進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,提出了精確的測(cè)定方法和系統(tǒng),取得了行業(yè)公認(rèn)的成就,獲電子部科技成果二、三等獎(jiǎng)各一項(xiàng)。80年代中期曾提出新的波導(dǎo)互補(bǔ)原理和新器件結(jié)構(gòu)，研制了“分段壓縮平面共腔條形半導(dǎo)體激光器”，改善了器件模式特性，獲國(guó)家發(fā)明三等獎(jiǎng)和電子部科技成果一等獎(jiǎng)，并獲我國(guó)半導(dǎo)體器件的第一個(gè)發(fā)明專利；“可見(jiàn)光階梯襯底內(nèi)條形激光器”92年獲國(guó)家發(fā)明三等獎(jiǎng)，“用鹵化物氣相外延在GaAs 襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量InP薄膜”，“中心錐形槽狀光敏門(mén)極大功率光控雙向晶閘管”，“JETG
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