emi常見問題匯總ppt課件(完整版)
【正文】 * EMC 重要性 * EMC 的內(nèi)容 * 開關(guān)電源 EMI 探討 * 拓?fù)?EMI 分析舉例 以 flyback為例 * 國際認(rèn)證體系簡介 Santak Ramp。關(guān)掉電源，網(wǎng)絡(luò)恢復(fù)正常。 開關(guān)電源 EMI 探討 EMI 產(chǎn)生的根源： 第一、開關(guān)電源的最大缺點(diǎn)是因切換動(dòng)作（ TURNON或TURN OFF） 產(chǎn)生雜訊電壓為其雜訊源。 ② 關(guān)斷時(shí)的振蕩 1產(chǎn)生較強(qiáng)的干擾 。為了減小峰值，可減小變壓器的漏感 Lep,加大 Cds和電路的阻抗 R。 Noise 的大?。? 首先考慮以下三個(gè)方面： ① Mosfet、 Diode動(dòng)作時(shí) ， 具有很寬的頻譜含量 ， 開關(guān)頻率的諧波本身就是較強(qiáng)的干擾源 。 需注意的是：此電容的能量 1/2Cu2將全部消耗在 Q1上 ， 所以管子溫升是個(gè)問題 。 減小 Q1 D極到變壓器的引線長度 。 其效果如右圖： 紅色：未改善之前 蘭色：采取措施之后 Flyback 架構(gòu) EMI 分析 措施二：變壓器加法拉第銅環(huán)： 變壓器是 Noise傳播的主要通道之一，其中初級(jí)線圈和次級(jí)線圈間雜散電容 Ctx是重要因素。 EN6100032為 Harmonic Test (電源諧波測(cè)試 )。 EN6100043為 RS Test EN6100044為 EFT Test (電子快速脈衝測(cè)試 )。 Flyback 架構(gòu) EMI 分析 措施三：散熱片接 Rs的地端： 目的為了將 散熱片－ Ce—地－ LISN這一支路 旁路掉，從而減小到地的電流。 Flyback 架構(gòu) EMI 分析 ③： Q1 D1 上的振蕩 2 會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)干擾。 同時(shí) R能起到減小振幅的作用 。而通過調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電阻也可達(dá)到這一目的 。 RCLQ?Flyback 架構(gòu) EMI 分析 振蕩 2發(fā)生在 Mosfet Q1關(guān)斷 ， 副邊二極管由通轉(zhuǎn)向關(guān)斷 ， 原邊勵(lì)磁電感被釋放 (這時(shí) Cds被充至2Vc1)， Cds和原邊線圈的雜散電容 Clp為并聯(lián)狀態(tài) ， 再和原邊電感 Lp（ 勵(lì)磁電感和漏感之和 ） 發(fā)生振蕩 。 Flyback 架構(gòu) EMI 分析 開關(guān)管 Q1關(guān)斷，副邊二極管 D1導(dǎo)通時(shí)（帶載），原邊的勵(lì)磁電感被鉗制， 原邊漏感 Lep的能量通過 Q1的寄生電容 Cds進(jìn)行放電，主放電回路為 Lep— Cds— Rs— C1— Lep， 此時(shí)產(chǎn)生振蕩振蕩的頻率為： Lep C d sf m o s ?2 1?在 Lep上的振蕩電壓 Vlep迭加在 2Vc1上，致使 Vds=2Vc1+Vlep 。（ dv/dt） 第二、由于開關(guān)電晶體的非線性及二極體的反向恢復(fù)特性，電流作快速的非線性變化引起雜訊。 EMC 重要性
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