多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹(完整版)
【正文】 中的含量約占%，主要以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在。電阻率約為 10－ 8～ 107歐姆 它的顯著特點是對溫度、雜質(zhì)和光照等外界作用十分的敏感。浙江光普能源有限公司 多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹 多晶硅片生產(chǎn)技術部 目錄 一、光伏產(chǎn)業(yè)鏈 二、多晶硅片生產(chǎn)流程 三、半導體和硅材料 四、多晶硅片生產(chǎn)技術指標（簡介） 一、光伏產(chǎn)業(yè)鏈 “晶體硅原料生產(chǎn)” +“硅棒 /硅錠生產(chǎn)”為光伏產(chǎn)業(yè)鏈上游；“太陽能電池制造” +“組件生產(chǎn)” +“光伏產(chǎn)品生產(chǎn)”為光伏產(chǎn)業(yè)鏈中游；“光伏發(fā)電系統(tǒng)”為光伏產(chǎn)業(yè)鏈下游。 半導體材料的內(nèi)部結(jié)構 半導體材料之所以具有介于導體與絕緣體之間的性質(zhì)，一部分原因是因為它的特殊的結(jié)構。米。 灰色金屬光澤，密度 ，熔點1410℃ ，沸點 2355℃ ，溶于氫氟酸和硝酸的混算中，不溶于水、硝酸和鹽酸。 、氧含量：在鑄造多晶過程中，由于外在的諸多因素，造成多晶鑄錠后碳、氧含量不合格，直接影響后續(xù)電池片的轉(zhuǎn)換效率，一般多晶硅錠頂部碳含量較高，底部氧含量較高。 ：在鑄造多晶過程中，包括原料狀況、多晶爐熱場材料等往往會帶來大塊的雜質(zhì)，這些雜質(zhì)的存在會嚴重影響后續(xù)切片的效果，而且夾雜的硅片光電轉(zhuǎn)換效率特別低，一般有雜
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