數(shù)字電子線(xiàn)路～ppt課件(完整版)
【正文】 tPHL tPLH 上升沿 下降沿 tPHL：導(dǎo)通傳輸時(shí)間 tPLH：截止傳輸時(shí)間 平均傳輸延遲時(shí)間 （ Propagation delay) tpd= tpHL+ tpLH 2 0 1 功耗： 靜態(tài)功耗：電路的輸出沒(méi)有狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)的功耗。 CMOS : (3～ 18） V 輸入和輸出的高、低電平： TTL 高電平 低電平 ~5V，典型值 : 0V~，典型值 : CMOS 74HC: ≥ 74HC: ≤ 數(shù)據(jù)手冊(cè)一般給出四種邏輯電平參數(shù)： 輸入高電平的下限值： VIH(min) 輸入低電平的上限值： VIL(max) 輸出高電平的下限值： VOH(min) 低電平的上限值： VOL(max) VI Lmax VOHmin VIHmin VOLmax 輸 入 輸 出 VI Lmax VOHmin VIHmin VOLmax 輸入 輸出 噪聲容限： 定量說(shuō)明集成電路抗干擾能力的參數(shù) 在數(shù)字電路中，即使有噪聲電壓疊加在輸入信號(hào)的高、低電平上，只要噪聲電壓的幅度不超過(guò)允許的界限，輸出端的邏輯狀態(tài)就不會(huì)受到影響 。 不同的門(mén)電路，輸出與輸入之間的邏輯關(guān)系也不同，如： 超大規(guī)模 大規(guī)模 小規(guī)模 中規(guī)模 二、數(shù)字 IC的分類(lèi) ： －－ (SSISmall Scale Integration)， 每片組件 內(nèi)包含 10100個(gè)元件 (或 1020個(gè)等效門(mén) )。隨著其工藝不斷進(jìn)步，無(wú)論在 工作速度 還是 驅(qū)動(dòng)能力 上，都已不比 TTL遜色。 用互補(bǔ)對(duì)稱(chēng) MOS 管構(gòu)成的邏輯門(mén)電路。 與門(mén)、或門(mén)、非門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)、與或非門(mén)、異或門(mén)等。 （ 2）微處理器產(chǎn)品，如微處理器、單片機(jī)、通用和專(zhuān)用數(shù) 字信號(hào)處理器等。 （ 1）高電平噪聲容限： VNH= VOHminVIHmin VNH VNL （ 2）低電平噪聲容限： VNL= VILmaxVOLmax ▲ 數(shù)字電路中，無(wú)論是對(duì) 元、器件參數(shù)精度 的要求，還是對(duì)供電 電源穩(wěn)定度 的要求，都比模擬電路要低一些。 （ 1）拉電流工作情況： … amp。 ? 實(shí)際 PN結(jié)電荷有 建立、存儲(chǔ)和消散 過(guò)程。 tre＝ ts十 tt稱(chēng)為反向恢復(fù)時(shí)間 + － D L i R u i ui UF UR t1 t 0 i t1 t 0 IF IS t R t s IF t i I t 0 IR t1 繼續(xù) ◆ 反向恢復(fù)時(shí)間 即 存儲(chǔ)電荷消失所需要的時(shí)間 ，遠(yuǎn)大于正向?qū)ㄋ枰臅r(shí)間。 VGS(th)稱(chēng)為閾值電壓 (開(kāi)啟電壓） 源極與襯底接在一起 N溝道 vGS增大， iD增大 二 、 MOS管的輸入、輸出特性 柵極電流為零，無(wú)輸入特性 輸出特性曲線(xiàn) （漏極特性曲線(xiàn)） 夾斷區(qū)（截止區(qū)） 用途： 斷開(kāi)狀態(tài)的 電子開(kāi)關(guān) 。 RD的范圍： RON RD ROFF 四 、 MOS管的四種基本類(lèi)型 G S D N 溝道耗盡型 G S D N溝道增強(qiáng)型
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