【正文】 出電流 IZmax－ IZmin≤ IZM－ IZ （ 3） 穩(wěn)壓系數(shù) OIzOILzLzOIIOr L UURrUURrRRrUUUUSR ?????????∥∥（ 4）輸出電阻 zzo rRrR ?? ∥特點： 簡單易行，穩(wěn)壓性能好。 當 |u2||uC|時，有一對二極管導通，對電容充電， τ充電 非常小 當 |u2||uC|時，所有二極管均截止，電容通過 RL放電， τ放電 =RLC。 10％，且負載有一定的變化范圍。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級；鍺二極管在微安 (?A)級。A 27 當 PN結的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結的 反向擊穿。 當 0＜ uD ＜ Uth時，正向電流為零，Uth稱為死區(qū)電壓或開啟電壓。 空間電荷區(qū)的正負離子數(shù)目發(fā)生變化 ， 如同電容的放電和充電過程 。 PN結加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴散運動，有利于漂移運動，形成漂移電流。 擴散運動 P區(qū)空穴濃度遠高于 N區(qū)。 7 空穴的移動 + 4 + 4+ 4+ 4 + 4+ 4+ 4 + 4+ 4自由電子 空穴 空穴的運動實質上是價電子填補空穴而形成的。共價鍵中的價電子為這些原子所共有，并為它們所束縛，在空間形成排列有序的晶體。光敏元件、熱敏元件屬于此類。 半導體二極管及直流穩(wěn)壓電源 1 半導體二極管及直流穩(wěn)壓電源 ? 半導體的基礎知識 ? 半導體二極管 ? 晶體二極管電路的分析方法 ? 晶體二極管的應用及直流穩(wěn)壓電源 ? 半導體器件型號命名及方法 2 半導體的基礎知識 ? 根據(jù)物體導電能力 (電阻率 )的不同，來劃分，可分為：導體、絕緣體和半導體。 ? 2) 在純凈半導體內摻入雜質，導電性能顯著增加。如圖所示： 兩個電子的共價鍵 正離子芯 + 4 + 4+ 4+ 4 + 4+ 4+ 4 + 4+ 45 由于隨機熱振動致使共價鍵被打破而產生空穴－電子對 這一現(xiàn)象稱為 本征激發(fā)， 也稱 熱激發(fā) 。 空穴的運動 8 磷（ P） 雜質半導體主要靠多數(shù)載流子導電。 N區(qū)自由電子濃度遠高于 P區(qū)。由于電流很小，故可近似認為其截止。 勢壘電容的大小可用下式表示： 由于 PN 結 寬度 l 隨外加電壓 U 而變化 ， 因此 勢壘電容 CT不是一個常數(shù) 。 當 uD＞ 0即處于正向特性區(qū)域。 熱擊穿 —— 不可逆 雪崩擊穿 齊納擊穿 電擊穿 —— 可逆 PN結被擊穿后， PN結上的壓降高，電流大，功率大。 即 IS (4)最高工作頻率 fM (5) 極間電容 CJ 二極管的主要參數(shù) 30 將指數(shù)模型 分段線化，得到二極管特性的等效模型。 直流電源的組成及各部分的作用 晶體二極管的應用及直流穩(wěn)壓電源 穩(wěn)定輸出電壓 1) 負載變化輸出電壓基本不變； 2) 電網電壓變化輸出電壓基本不變。 0 π 2 π ω tuoabcd單相橋式整流電路 50 考慮整流電路的內阻 C 越大， RL越大， τ越大， 放電越慢，曲線越平滑，脈動越小。適用于輸出電壓固定、輸出電流變化范圍較小的場合。 ZML m i nZaxImm a xD Z IIRUUI ????L m i nZMZaxImIIUUR???若求得 RminRmax，怎么辦？ 若求得 R=200~300Ω，則該取接近 200Ω還是接近 300Ω？為什么？ 59 【 例 】 硅穩(wěn)壓管電路如圖所示。O12O )1( RIURRU ????IW為幾 mA， UO與三端穩(wěn)壓器參數(shù)有關。 W 1 1 7輸 入 端輸 出 端調 整 端123調 整 端 輸 入 端輸 出 端（ 1）簡介 66 R E F12O )1( URRU ???減小紋波電壓 保護 穩(wěn)壓器 （ 2）基本應用 67 V40V3OOI????IUU －1. R1的上限值為多少？ 2. UO可能的最大值為多少？ 3. 輸出電壓最小值為多少？ 4. UOmax＝ 30V， 選取 R R2； 5. 已知電網電壓波動 177。 （ 1）試求 UO、 IO、 IR和 IZ的值。上的電壓變化補償基本不變。 有濾波電容時 θ π，且二極管平均電流增大，故其峰值很大！ θ小到一定程度，難于選擇二極管！ 單相橋式整流電路 52 。 ????? ?2uu2的負半周， D截止，承受反向電壓，為 u2； uO=0。 當二極管在靜態(tài)基礎上有一動態(tài)信號作用時，則可將二極管等效為一個電阻，稱為動態(tài)電阻，也就是微變等效電路。這時PN結的電流和溫度之間出現(xiàn)惡性循環(huán)，最終將導致 PN結燒毀。 開啟電壓 2. 二極管的伏安特性 26 當 uD＜ 0時，即處于反向特性區(qū)域。 TSCl??j T DC C C??結電容 3. PN結的電容效應 19 將 PN結封裝，引出兩個電極，就構成了二極管。 (1) PN結加正向電壓時 低電阻 大的正向擴散電流 結的單向導電性 PN結的伏安特性 (2)