[材料科學(xué)]第八章電子衍射(完整版)
【正文】 inθ ＝ λ 因為 所以 這說明，對于給定的晶體樣品，只有當(dāng)入射波長足夠短時，才能產(chǎn)生衍射。 ?由圖可知，在偏離布拉格角177。用底片記錄下來的圖像稱之為衍射花樣。λ =L＇ λ ?稱 Lˊλ 為有效相機常數(shù) Company Logo 選區(qū)衍射 ?選區(qū)衍射就是在樣品上選擇一個感興趣的區(qū)域 ， 并限制其大小 ，得到該微區(qū)電子衍射圖的方法 。嚴(yán)重時，實際衍射區(qū)甚至不是光闌所選微區(qū)，以致衍射像和微區(qū)像來自兩個不同部位，造成分析錯誤。 單晶電子衍射花樣標(biāo)定 Company Logo 單晶電子衍射花樣的標(biāo)定 ?電子衍射花樣幾何圖形 可能所屬晶系 ?平行四邊形 三斜、單斜、正交、四方、六方、三方、立方 ?矩形 單斜、正交、四方、六方、三方、立方 ?有心矩形 同上 ?正方形 四方、立方 ?正六角形 六方、三方、立方 Company Logo 標(biāo)定前的預(yù)先縮小范圍 ?根據(jù)斑點的規(guī)律性判斷： 7大晶系都有可能 不可能是三斜晶系 不可能是三斜晶系 只可能是四方或立方晶系 只可能是六角、三角或立方晶系 Company Logo ?通常電子衍射圖的標(biāo)定過程可分為下列三種情況： 1） 已知晶體 （ 晶系 、 點陣類型 ） 可以嘗試標(biāo)定 。 3） 校正儀器常數(shù) 。 ? 求得晶帶軸指數(shù)。 Company Logo 標(biāo)準(zhǔn)花樣對照法 ?這是一種簡單易行而又常用的方法。 Company Logo R2比值規(guī)律對比法 ?R2比值規(guī)律對比法與我們在前面德拜花樣標(biāo)定中介紹的方法完全相同 ?其實德拜花樣就是多晶衍射環(huán)被矩形截取的部分 Company Logo 例 :標(biāo)定 TiC多晶電子衍射圖 編號 1 2 3 4 5 Di Ri Ri2 Ri2/ R12 1 (Ri2/ R12) 3 3 N 3 4 8 11 12 {hkl}i 111 200 220 311 222 Company Logo 86復(fù)雜電子衍射花樣 1__高階勞厄斑點 ?點陣常數(shù)較大的晶體，倒易空間中倒易面間距較小。 ?高階勞厄斑點可以給出晶體更多的信息。 ?二次衍射可使上述一些 Fhkl=0的消光又出現(xiàn)強度；也使Fhkl≠0 處的反射強度發(fā)生變化。把許多張底片拼接起來，就得到菊池圖 。 Company Logo 復(fù)雜電子衍射花樣 4__菊池衍射花樣 ?當(dāng)電子束穿透較厚的完整單晶體樣品時，衍射圖上除斑點花樣外，又出現(xiàn)一些平行的亮暗線對。 不唯一性和測定薄晶體厚度等 。如圖 615所示，圖中通過倒易原點的倒易面為零層倒易面。 ?所謂標(biāo)準(zhǔn)花樣直接就是各種晶體點陣主要晶帶的倒易截面，它可以根據(jù)晶帶定理和相應(yīng)晶體點陣的消光規(guī)律繪出（見附錄）。 ? R12值，根據(jù) R12 ： R22 ： R32…=N1 ： N2 ： N3…關(guān)系，確定是否是某個立方晶體。長度測量誤差小于
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