【正文】 ?AT89C51/89C52/89C55是低功耗、高性能的片內(nèi)含有4KB/8KB/20KB閃爍可編程 /擦除只讀存儲器芯片上的FEPROM允許在線編程或采用通用的編程器對其重復編程 ? 89C51的主要性能 （ 1） 與 MCS51微控制器系列產(chǎn)品兼容 。 線選法地址不連續(xù)，地址空間利用不充分 2022/3/13 36 例 采用譯碼器法擴展 2片 8KB EPROM， 2片 8KB RAM。地址范圍為0000H～ 7FFFH。 S 1 S 2 S 3 S 4 S 5 S 6 S 13 4 H3 4 H1 2 H 1 3 H1 個 機 器 周 期A L EP S E NP 2 口P 0 口7 4 H 5 0 H3 4 1 2 HM O V A , 5 0 H7 4 H片 外 R O M5 0 H3 4 1 3 H2022/3/13 20 RAM擴展原理 讀操作時序 數(shù)據(jù)存儲器的擴展 【 例 82】 若（ DPTR） =2030H，片外 RAM單元 2030H內(nèi)容為55H，指令 MOVX A， DPTR（該指令代碼為 E0H）所在片外ROM的地址為 2314H。 引腳如下圖。但 PROM只能寫入一次，且不能再修改 . （ 3） EPROM 電信號編程，紫外線擦除的只讀存儲器芯片。 (1)74LS138（ 3～ 8譯碼器 ） 引腳如圖 85， 譯碼功能如表 81（ P167） 所示 。 缺點：可尋址的器件數(shù)目受到限制，地址空間不連 續(xù)，地址不唯一。 *使用 ALE信號作為低 8位地址的鎖存控制信號。 2022/3/13 5 系統(tǒng)總線 2022/3/13 6 P0口作為低 8位地址 /數(shù)據(jù)總線。 MCS51發(fā)出的地址是用來選擇某個存儲器單元進行讀寫 ， 要完成這種功能 ， 必須進行兩種選擇： “ 片選 ” 和 “ 單元選擇 ” 。 2022/3/13 10 2. 譯碼法 最常用的譯碼器芯片： 74LS138（ 38譯碼器 ） 74LS139（ 雙24譯碼器 ） 74LS154（ 416譯碼器 ） 。 （ 1）掩膜 ROM 在制造過程中編程。大有取代 E2PROM的趨勢 2022/3/13 15 ROM芯片及其擴展方法 常用 ROM芯片特性 芯片型號 27C64 27C128 27C256 27C512 容量 8 KB 16 KB 32 KB 64 KB 引腳數(shù) 28 28 28 28 讀出時間 /ns 120 120 90 90 最大工作電流 /mA 20 20 20 25 最大維持電流 /mA 注：應注意優(yōu)先選用 CMOS器件，其讀出時間短，耗電少。 2022/3/13 18 擴展電路 O E2 7 C 2 5 6A 7::A 0A 8 A 1 4C ED 0 ～ D 774LS573O EGA L E8 0 C 3 1D 7::D 0Q 7::Q 0P S E NE AP 2 . 0 P 2 . 6P 02022/3/13 19 片外 ROM操作時序 片內(nèi)片外 ROM讀 ， 用指令 MOVC（ 產(chǎn)生 PSEN信號 ） 片外片外 ROM選擇 ， 用 EA。 3片 6264對應的存儲器空間如下表。RAM選 6264， EPROM選 2764。 這時通過 P0口輸出 Ri中的內(nèi)容（低 8位地址），而把 P2口原有的內(nèi)容作為高 8位地址輸出 ?例 : 將程序存儲器中以 TAB為首址的 32個單元的內(nèi)容依次傳送到外部 RAM以 7000H為首地址的區(qū)域去 。 （ 6） 全靜態(tài)工作：可從 0Hz～ 16MHz。 CGRAM可定義 8個字形 0 0 0 0 0 1 0 0 B0 0 0 0 0 1 0 0 B0 0 0 1 1 1 1 1 B0 0 0 0 0 1 0 0 B0 0 0 0 0 1 0 0 B0 0 0 0 0 0 0 0 B0 0 0 1 1 1 1 1 B0 0 0 0 0 0 0 0 B0 1 0 0 0 0 0 0 B0 1 0 0 0 0 0 1 B0 1 0 0 0 0 1 0 B0 1 0 0 0 0 1 1 B0 1 0 0 0 1 0 0 B0 1 0 0 0 1 0 1 B0 1 0 0 0 1 1 0 B0 1 0 0 0 1 1 1 B字 型編 碼C G R A M 地 址第 0 號 字 型 ，對 應 字 符 編 碼 0 0 0 0 x 0 0 0 B8 個 字 節(jié) 高 2位 的 “ 0 1 ”對 應 于 設 置C G R A M 地址 的 命 令 。 （ 8）空閑狀態(tài)維持低功耗和掉電狀態(tài)保存存儲器內(nèi)容。 R0既指示外部 RAM的地址，又表示數(shù)據(jù)標號 TAB的位移量。 同理 IC IC3地址范圍 4000H～ 5FFFH（ ==0、 =0）。 2022/3/13 31 單片 62256與 8031的接口電路如圖所示。 【 例 】 讀外部 ROM時序。 EPROM芯片 參數(shù)見表 84（ P123）。 （ 2）可編程 ROM（ PROM） 用獨立的編程器寫入。 全譯碼：全部高位地址線都參加譯碼； 部分譯碼：僅部分高位地址線參加譯碼 。 優(yōu)點：電路簡單，不需要地址譯碼器硬件，體積小， 成本低。 。 2．以 P2口的口線作高位地址線。 存儲器空間分配除考慮地址線連接外 ， 還討論各存儲器芯片在整個存儲空間中所占據(jù)的地址范圍 ， 常用的存儲器地址分配的方法有兩種： 線性選擇法 （ 簡