微波技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)ppt課件(完整版)
【正文】 MOD5A之 P1端子的 S11測(cè)量：設(shè)定頻段： BAND3。 實(shí)驗(yàn)六、濾波器設(shè)計(jì) 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康? ? 了解基本低通及帶通濾波器之設(shè)計(jì)方法。 解：查表可以知道其對(duì)應(yīng)的低通原型值為 g1=g3=,g2=,g0=g4=1 如圖所示，選擇的低通原型第一個(gè)元件為并聯(lián)電容，則根據(jù) (540),(541) 對(duì)于低通原型的并聯(lián)電容，轉(zhuǎn)換為帶通濾波器中的 LC并聯(lián)，其電容、電感值為： 對(duì)于低通原型的串聯(lián)電感，轉(zhuǎn)換為帶通濾波器中的 LC串聯(lián)，其電容、電感值為： 例子：設(shè)計(jì)一個(gè)通帶波紋為 4階切比雪夫帶通濾波器，其中心頻率為 4GHz， 分?jǐn)?shù)帶寬為 5%。針對(duì)模組 P3及 P4端子做 S21測(cè)量，并將測(cè)量結(jié)果記錄于表（ 84）中。針對(duì)模組 P1端子做 S11測(cè)量，并將測(cè)量結(jié)果記錄于表（ 81）中。 g0為電路的源電阻或電導(dǎo)， gi為串聯(lián)電感或并聯(lián)電容， gN+1為負(fù)載電阻或電導(dǎo) 等波紋切比雪夫低通原型的值可以通過(guò)下面的公式來(lái)求取 為了滿(mǎn)足需要的通帶波紋大小 LAr，以及在頻率 ΩS處的 阻帶衰減量 LAS， Chebyshev濾波器低通原型的階數(shù)可以通過(guò)下式確定 (a)低通濾波器原型 (b)低通濾波器響應(yīng)的頻率定標(biāo) 如圖所示為了將低通原型的截止頻率從 1變換到 ωC， 需要乘以因子 1/ ωC來(lái)定標(biāo)濾波器的頻率，這是通過(guò)用 ω/ ωC來(lái)代替 ω得到的 . 對(duì)于低通原型中的串聯(lián)電感 jXL, 并聯(lián)電容 jXC,變換為低通濾波器中的感抗、容抗為： 由上面的式子可以知道由低通原型變換為低通濾波器，其元件的性質(zhì)不變，只是元件的值進(jìn)行一定比例的變化，其變化的大小關(guān)系由上式確定 .（即頻率變換） 得到了低通實(shí)際低通濾波器的電容、電感值，需要將其變換為實(shí)際源、負(fù)載阻抗條件下的電容、電感值。 ? MOD51之 P1及 P3端子的 S21測(cè)量：設(shè)定頻段： BAND3。如圖所示輸入端口的功率為 P1,信號(hào)傳輸端口的功率為 P2,信號(hào)耦合端口的功率為 P3,信號(hào)隔離端口的功率為 P4。 ? MOD4B之 P1及 P2端子的 S21測(cè)量：設(shè)定頻段：BAND4。 設(shè)計(jì)任務(wù)：設(shè)計(jì)兩種集總參數(shù)電阻等功率分配器； 微帶 wilkinson等功率分配器 微帶 wilkinson等功率分配器 微帶 wilkinson功率分配器設(shè)計(jì)公式 四、硬件測(cè)量 ? MOD4A之 P1端子的 S11測(cè)量：設(shè)定頻段：BAND3。針對(duì)模組 P3及 P4端子做 S21測(cè)量，并將測(cè)量結(jié)果紀(jì)錄于表（ 34）中。 表示需要的衰減其中＝型同阻式計(jì)算公式：AZRRZRPi1121100120310A????????????????????????????121121*5011121212*5012211001203103?????ZRRZRT＝型同阻式計(jì)算公式：例如衰減 3dB，輸入、輸出阻抗為 50歐，代入上面的公式有 R3＝ ， R2＝ ， R1=。 實(shí)驗(yàn)三、功率衰減器 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康? ? 了解功率衰減器的原理及基本 設(shè)計(jì)方法。針對(duì)模組 P3及 P4端子做 S21測(cè)量，并將測(cè)量結(jié)果紀(jì)錄于表 (14)。 ? 利用 ADS軟件進(jìn)行基本傳輸線和微帶線的電路設(shè)計(jì)和仿真。本實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)是以微波技術(shù)理論為基礎(chǔ)，微波軟硬件為工具編寫(xiě)的，并進(jìn)行了內(nèi)容擴(kuò)展，具有通用性。 ? 3 MOD1C的 S11測(cè)量：設(shè)定頻段 BAND3。 ? MOD2A的 S21測(cè)量：設(shè)定頻段 : P1及 P2端子做 S21測(cè)量，并將測(cè)量結(jié)果紀(jì)錄于表（ 22）中。 三、理論分析 功率衰減器的指標(biāo)包含工作頻率范圍，衰減量、功率容量、 回波損耗等等。 ? MOD3B的 S11測(cè)量：設(shè)定頻段： BAND3。 各類(lèi)型等功率分配器： 根據(jù)功率分配器的組成形式可以分為三種類(lèi)型功率分配器，即集總參數(shù)構(gòu)成的 Δ 型電阻式功率分配， Y型電阻式功率分配器；分布參數(shù)構(gòu)成微帶功率分配器。 ? MOD4B之 P1端子的 S11測(cè)量：設(shè)定頻段： BAND4。 ? 利用實(shí)驗(yàn)?zāi)＝M實(shí)際測(cè)量以了解方向耦合器的特性。將 LOAD1及LAOD2分別接在模組 P2及 P4端子上；將于 RF2022 RFIN 端子連接的 CA1接在模組 P3端子上；針對(duì)模組 P1端子做 S11測(cè)量，并將測(cè)量結(jié)果紀(jì)錄于表（ 61）中。 ? 利用實(shí)驗(yàn)?zāi)＝M實(shí)際測(cè)量以了解濾波器的特性。 附錄：低通原型值： Buttworth型 Cheb
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