【正文】 2cmQ ? ，飽和磁感應(yīng)強度 GSBS 5100? ，選用GSBM 3800? ,濾波電感匝數(shù)為 ： 443m a x ???? ??? ???CM Lff SB ILN 取 N=52 匝，氣隙 mmLSN fCoo ?? ?? 。窗口利用系數(shù) )(41321)(4141 22 ????? ??uK ， 可 以繞下。從波形看出，能滿足快速開關(guān)功率管的要求，并滿足同一橋臂上兩個開關(guān)管的死區(qū)控制。 圖 11 輸出波形 電力電子技術(shù)課程設(shè)計（論文） 13 4．基于 DSP 完成了數(shù)字控制 SPWM 逆變器的原理試驗，試驗結(jié)果表明，數(shù)字控制在改善逆變器的動態(tài)和穩(wěn)態(tài)性能方面也能獲得良好的效果。在選擇此種調(diào)制方式的基礎(chǔ)上給出了系統(tǒng)的傳遞函數(shù)，分析了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和外特性。在這里由于逆變器最高直流輸入電壓為 ,所以我們選用耐壓等級為 100V 的 MOSFET. 器件的電流等級要根據(jù)它所通過的最大峰值電流來確定。因為硅鋼片是由鋼片疊加而成，所以實際鐵心截面積為 cm?? 。如果 PDPINT 未被屏蔽，當(dāng) PDPINT 引腳拉低以后，所有的 PWM 輸出均為高阻態(tài)。 在電壓電流雙閉環(huán)控制系統(tǒng)中，需采樣逆變器的輸出電壓作為反饋量。 驅(qū)動電路的設(shè)計 隔離驅(qū)動電路采用 A3120 光耦隔離型驅(qū)動電路， A3120 結(jié)構(gòu)框圖及驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖 5 所示。由于 DSP 具有豐富的硬件資源、改進(jìn)的并行結(jié)構(gòu)、高速數(shù)據(jù)處理能力，強大的指令系統(tǒng)和日益提高的性價比己經(jīng)成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中緊隨微處理器與微控制器之后的又一個熱點，在通信、航空、航天、雷達(dá)、工業(yè)控制。它的設(shè)計應(yīng)滿足四個方面的要求。直流偏磁的存在致使鐵心飽和，從而加大了逆變器輸出變壓器的損耗，降低了效率，甚至?xí)鹉孀兪?，對系統(tǒng)的運行有著極大的危害，必須采取措施加以解決。 3 方案 設(shè)計 系統(tǒng)總體框圖 以數(shù)字信號處理器 (DSP)為核心的逆變器控制框圖如圖 3 所示。 根據(jù) PWM 控制信號的產(chǎn)生方式，常用的混合控制實現(xiàn)方案有兩類：模擬 /數(shù)字混合控制方案 Ⅰ 、模擬 /數(shù)字混合控制方案 Ⅱ 。 2 逆變器控制方式 選擇 傳統(tǒng)逆變器的控制電路都是采用模擬電路和小規(guī)模數(shù)字集成電路實現(xiàn)的。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字控制技術(shù)在逆變電源控制領(lǐng)域已得到越來越廣泛的應(yīng)用。方案 Ⅰ 的實現(xiàn)框圖如圖 1。在數(shù)字信號圖 2 混合控制方案 Ⅱ 的實現(xiàn)框圖 低通濾波器 基準(zhǔn)正弦發(fā)生器 有源 PI校正電路 SPWP生成 驅(qū)動電路 逆變橋 LC 濾波器 無源超前網(wǎng)絡(luò) 電壓采樣電路 DSP ov 采樣保持 + 電力電子技術(shù)課程設(shè)計（論文） 4 處理器 (DSP)中產(chǎn)生 SPWM 控制信號，逆變器輸出高頻脈寬調(diào)制型交流電。小容量逆變電源因為輸出容量小，電壓和電流不大，因此開關(guān)器件多選用電力 MOSFET。 1）盡可能濾除調(diào)制波 ABU 的高次諧波分量，提高 輸出電壓波形質(zhì)量，濾波電感的高頻阻抗與濾波電容的高頻阻抗相比不能過低，即濾波電感的感值不能太小。網(wǎng)絡(luò)及家用電器等各個領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 A3120 是美國惠普公司生產(chǎn)的用于驅(qū)動 IGBT、 MOSFET 器件的光電耦合器，該芯片內(nèi)部集成有光耦、接口和功放單元，可驅(qū)動 1200V/100A的 IGBT 模塊。為了滿足 DSP 的 A/D 模塊輸入信號的要求，模擬量需要經(jīng)過圖 6 所示的調(diào)理電路。這樣可以在過流等故障的情況下，把逆變器的 PWM 控制信號封死 ,關(guān)閉功率器件，從而實現(xiàn)對逆 變21D 圖 5 逆變橋功率開關(guān)驅(qū)動電路 55R 55C 54C 15Q 16Q 56R 1514WW 58R 57R 57C 56C 13W gU A3120 電力電子技術(shù)課程設(shè)計（論文） 8 器的保護(hù)。 2 0 0 02 210 8m i n1 ??? ??????? BS TUN oni ?N 取變壓器原邊繞組為 411?N 匝，副邊繞組 3211?N 匝。假定系統(tǒng)輸出功率為 oP ，變壓器的變比為 21 NN ，假設(shè)系統(tǒng)的過載系數(shù)為 ，逆變橋中每個MOSFET 電流應(yīng)力為變壓器原邊最大電流，則逆變橋中每個 MOSFET 中流過的電流峰值為： ANU NPIOoLf 12 ?? ?????? 此外，考慮電流紋波以及反并聯(lián)二極管反向恢復(fù)尖峰電流等因素 的影響，選MOSFET 的電流定額為 150A。 2．給出了系統(tǒng)的硬 件結(jié)構(gòu)框圖，并設(shè)計了系統(tǒng)各個部分的硬件電路，包括主電路，驅(qū)動電路，采樣電路和保護(hù)電路，以及數(shù)字控制系統(tǒng)的硬件電路，并完成了數(shù)字控制電路部分的 PCB 板的