【摘要】納米二氧化硅(SiO2)宋攀婷3113037013定義及性質(zhì)?納米SiO2,呈三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),表面存在大量的不飽和殘鍵和不同狀態(tài)的羥基,這使得納米二氧化硅表面能高,處于熱力學(xué)非穩(wěn)定狀態(tài),俗稱為“超微細白炭黑”。?粒徑小,比表面積大,表面吸附能力強,表面能大,化學(xué)純度高,分散性能好,在熱阻及電阻方面具
2025-05-03 03:30
【摘要】Nafion/二氧化鈦復(fù)合膜電極檢測多巴胺Nafion/tio2positefilmelectrodesdetectionofdopamine摘要化學(xué)修飾電極是上世紀下半頁發(fā)展起來的一門新興學(xué)科,現(xiàn)階段在電化學(xué)和電分析化學(xué)方面應(yīng)用較多。目前應(yīng)用十分廣泛,主要有食品分析、環(huán)境科學(xué),以及生物領(lǐng)域。另外分析化學(xué)及材料學(xué)方面也有很重要的應(yīng)用。聚合物修飾電
2025-07-07 12:28
【摘要】(中文):羥基磷灰石支持的二氧化鈦光催化劑的合成及對復(fù)合污染物的光降解研究(英文):TheResearchoftheCompoundoftheTitaniumDioxideAccreteontheHydroxyapatiteandItsPhotode
2025-06-20 02:52
【摘要】2121畢業(yè)設(shè)計(論文)題目:水熱法制備金紅石型二氧化鈦納米棒的研究學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明:,.??作者簽名:年月日??學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)
2025-06-28 16:01
【摘要】211畢業(yè)設(shè)計(論文)題目:水熱法制備金紅石型二氧化鈦納米棒的研究212學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明:所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨立進行研究所取得的研究成果.除了文中特別加以標注引用的內(nèi)容外,本
2025-08-17 11:42
【摘要】第四章納米固體材料第四章納米固體材料第四章納米固體材料可以簡稱為納米材料。它是由顆?;蚓Я3叽鐬?-100mn的粒子凝聚而成的三維塊體。納米固體材料定義(納米結(jié)構(gòu)材料)4.4納米固體材料制備方法第四章納米固體材料4.4.1納米金屬材料的制備1、惰性氣體蒸發(fā)原位加壓法
2024-10-16 21:02
【摘要】第四章金屬催化劑第二講宋偉明4-2某些金屬對氣體的化學(xué)吸附能力-金屬的化學(xué)吸附最容易吸附的是O2O2〉C2H2〉C2H4〉CO〉CH4〉H2〉CO2〉N2對于金屬而言,過渡金屬有1-4,6-9個d電子的,對氣體吸附能力最大。Mn、Cu的d電子分別為5和10,
2025-01-20 04:38
【摘要】第四章不對稱催化?手性是地球中最基本的方面。DNA和RNA的核糖和脫氧核糖都是D型,構(gòu)成蛋白質(zhì)的各種氨基酸除甘氨酸外都是L型。?現(xiàn)代藥物化學(xué)??手性的重要性。20世紀60年代,歐洲的反應(yīng)停悲劇,五十年恩怨,
2024-10-18 16:10
【摘要】IntroductionTheoryofthemetalchemicalbondThechemicaladsorptionofmetallacunaandcatalysisactivitymetalcatalystSupportedmetalcatalloycatalys
2024-12-07 19:06
【摘要】第四章Inter基礎(chǔ)教師:周巧臨課程名稱:計算機網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)與應(yīng)用第四章Inter基礎(chǔ)Inter的基本知識本節(jié)要求達到“領(lǐng)會”層次,考核知識點包括:?Inter定義;?Inter發(fā)展;?Inter的服務(wù);?因特網(wǎng)的組織和管理課程名稱:計算機網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)與應(yīng)用I
2024-09-28 12:36
【摘要】第四章領(lǐng)導(dǎo)體制第一節(jié)領(lǐng)導(dǎo)體制的功能和含義第二節(jié)領(lǐng)導(dǎo)體制的結(jié)構(gòu)和環(huán)境第三節(jié)領(lǐng)導(dǎo)體制的演變和變革“體制”是一種制度化、模式化的體系或系統(tǒng),是包括價值理論、理想目標、制度規(guī)范、組織結(jié)構(gòu)、基本行為方式在內(nèi)的有機整體。具體指社會組織在機構(gòu)設(shè)置、權(quán)限劃分、隸屬關(guān)系及發(fā)揮作用的方式等方
2025-01-04 19:56
【摘要】第4章熱氧化熱氧化的目的在Si襯底的表面生長一層SiO2薄膜。SiO2薄膜的用途1、用作選擇擴散時的掩蔽膜;2、用作離子注入時的掩蔽膜及緩沖介質(zhì)層等;3、用作絕緣介質(zhì)(隔離、絕緣柵、多層布線絕緣、電容介質(zhì)等)
2025-05-05 18:17