[計算機軟件及應用]第2章基于arm920t核微處理器--三星s3c2410x處理器詳解(完整版)
【正文】 PCLK。 持續(xù)時間 = HCLK * (TWRPH0 + 1) [3] 保留位 [2:0] TWRPH1 ：設置 TWRPH1的持續(xù)時間 ， 設置值為 0～ 7 。讀操作前或者程序執(zhí)行后檢查 R/nB信號。 BANKCON6和BANKCON7的 [3:0]定義有所變化 ， 具體如下： ? [3:2] Trkd:RAS到 CAS的延時 。 ?[2:1] DW0 確定存儲器 0組的數(shù)據(jù)總線寬度 ， 只讀位 ， 由 OM[1:0]狀態(tài)決定 。 表 6組 /7組的存儲器映射地址 特殊功能寄存器 1．內(nèi)存控制器（ Memory Controller） 內(nèi)存控制器為訪問外部存儲空間提供存儲器控制信號，共有13個寄存器 。 表 內(nèi)存控制器 （ 1） BWSCON 總線寬度控制寄存器 用來控制各組存儲器的總線寬度和訪問周期 ， 各位定義： ? [31] ST7 確定存儲器 7組對應 UB/LB 端接口 ， 0 =不使用 UB/LB ， UB/LB端與 nWBE[3:0]相連； 1 = 使用 UB/LB ， UB/LB端與 nBE[3:0]相連 。 01=半字 （ 16位 ） 、 10=字 （ 32位 ） 。 00 = 2個 時鐘 、 01 = 3個 時鐘 、 10 = 4個 時鐘 ? [1:0] SCAN：列地址數(shù)目 00 = 8位 、 01 = 9位 、 10 = 10位 （ 3） REFRESH 刷新控制寄存器 ? [23] REFEN 刷新使能 SDRAM： 0 = 禁止 1 = 使能 SDRAM 的刷新 ? [22] TREFMD 設置 SDRAM 的刷新方式 0=自動刷新方式 1=自刷新方式 ? [21:20] Trp 控制 SDRAM 的行周期 00 = 2個 時鐘周期 01 = 3個 時鐘周期 10 = 4個 時鐘周期 11 = 未定義 ? [19:18] Tsrc控制 SDRAM 的列周期 00 = 4個 時鐘周期 01 = 5個 時鐘周期 10 = 6個時鐘周期 11 = 7個 時鐘周期 ? [17:16] 保留位 ? [15:11] 保留位 ? [10:0] SDRAM 的刷新計數(shù)值 。 (1) NFCONF 配置寄存器 [15] Enable/Disable： NAND Flash 控制使能 。 持續(xù)時間 = HCLK * (TWRPH1 + 1) （ 2） NFCMD 命令設置寄存器 [15:8] 保留位 [7:0] Command ： NAND Flash 存儲器命令值 。時鐘管理模塊同時擁有兩個鎖相環(huán) ， 一個稱為 MPLL， 用于 FCLK、 HCLK和 PCLK；另一個稱為 UPLL， 用于 USB設備 。 表 分頻設定表 （ 3） 電源管理 。一般模式下需要兩個電源，一個提供給喚醒邏輯，另外一個提供給 CPU和內(nèi)部邏輯，在Poweroff模式下，后一個電源關(guān)閉。 （ 4） 時鐘和電源管理寄存器 S3C2410X通過控制寄存器實現(xiàn)對時鐘和電源的管理 ， 相關(guān)寄存器如表 。 圖 示了 S3C2410電源
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