ads課程設(shè)計(jì)--射頻控制電路移相器的設(shè)計(jì)(完整版)
【正文】 W= mm， L= mm， C= pF,不考慮電感參數(shù)。如圖 7 燕 山 大 學(xué) 課 程 設(shè) 計(jì) 說 明 書 第 11 頁 共 22 頁 圖 7 ，結(jié)果如下。在“ LumpedComponents”元器件面板列表里選擇兩個(gè)電容“ C”以及兩個(gè)電感“ L”添加到原理圖中。 燕 山 大 學(xué) 課 程 設(shè) 計(jì) 說 明 書 第 7 頁 共 22 頁 圖 2 【 LineCale】對(duì)話框，計(jì)算微帶線的數(shù)據(jù)。 下面我們將進(jìn)行一個(gè)改進(jìn)的負(fù)載線型移相器的設(shè)計(jì)。第一種方法利用鐵氧化磁性材料的可開關(guān)移 相性能；另一種方法主要是采用半導(dǎo)體活 MEMS 器件。 微波移相器是相陣控雷達(dá)、衛(wèi)星通信、移動(dòng)通信設(shè)備中的核心組件，它的工作它的工作頻帶、插入損耗直接影響著這些設(shè)備的抗干擾能力和靈敏度，以及系統(tǒng)的重量、體積和成本，因此寬帶、低插損的移相器在軍事上和民用衛(wèi)星通信領(lǐng)域具有重要的意義。 ， 4GHz處兩端口間的相位差為 78176。software design。 數(shù)字移相器在相控陣天線系統(tǒng)得到了廣泛的應(yīng)用。由于容易集成，混合電橋耦合的反射型移相器更為常用。 ， 4GHz 處兩端口間的相位差為 78176。 W=， L=。 圖 5 ，得到如下圖 6 的結(jié)果。 至此，我們小組耗費(fèi)了大量時(shí)間與精力，嘗試了多種數(shù)據(jù)組合，找到了比較符合要求的參數(shù)組合。 、電容的影響大，且電容型移相器中微帶線 L參數(shù)與電容 C 參數(shù)，跟中心頻率成正相關(guān)，跟 phase(S(2,1))成負(fù)相關(guān)；電感型移相器中微帶線 L參數(shù)與電感 L 參數(shù)，跟中心頻率成負(fù)相關(guān)，跟 phase(S(2,1))成正相關(guān)。上網(wǎng)查找了許多資料，嘗試了多種參數(shù)組合。一個(gè)有高度競(jìng)爭力的組織，包括企業(yè)，不但要求有完美的個(gè)人，更要有完美的團(tuán)隊(duì)。好不容易波形有些靠譜，卻總是相差那么一點(diǎn)點(diǎn)，每每優(yōu)化后的圖形都差強(qiáng)人意。由最初的遇到如此之大誤差后的不知所措到最后慢慢開 始習(xí)慣，更改參數(shù)重新來。如下圖 16 圖 16 在此參數(shù)下關(guān)閉電容，仿真結(jié)果如下圖 17 燕 山 大 學(xué) 課 程 設(shè) 計(jì) 說 明 書 第 18 頁 共 22 頁 圖 17 從圖 17 可以看到各項(xiàng)仿真結(jié)果已經(jīng)基本符合設(shè)計(jì)要求。使電容斷路，電感通路。 “ MLIN”有關(guān)參數(shù)，在“ SimulationS_Param”元器件面板列表里選擇 S 參數(shù)仿真控制器添加到原理圖中。如圖 1 燕 山 大 學(xué) 課 程 設(shè) 計(jì) 說 明 書 第 6 頁 共 22 頁 圖 1 “ MSub”按照?qǐng)D 2修改“ MSUB”的參數(shù)。對(duì)于傳輸型半導(dǎo)體移相器，大致可以分 為三類，即開關(guān)線型移相器，負(fù)載線型移相器和開關(guān)網(wǎng)絡(luò)型移相器。在微波頻段設(shè)計(jì)數(shù)字移相器有兩種不同方法。 廣泛應(yīng)用于微波通信、雷達(dá)和測(cè)量系統(tǒng)中，它是一種二端口網(wǎng)絡(luò)，用于提高輸出和輸入信號(hào)之間的相
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