hspice分析綜合實例——答案(完整版)
【正文】 0ns .ac dec 10 1k 500meg $sweep rzv 0 2k .noise v(vo) v_vac 10 .para rzv=1k ccv=1p clv=1p .inc ‘NETLIST_PATH\’ .end 分析熱噪聲 噪聲分析 .lis文件中會給出每一個頻率采樣點上的噪聲頻譜密度，以及從開始頻率到該頻率點的等效噪聲電壓等 找到如下一段： **** the results of the sqrt of integral (v**2 / freq) from fstart upto hz. using more freq points results in more accurate total noise values. **** total output noise voltage = volts **** total equivalent input noise = 注意 .lis文件中各個 MOS元件的噪聲大小對比，并根據(jù)電路圖進行對應(yīng)的分析 還可以改變 Cc的值，來看總的等效輸入噪聲有什么變化 ?系統(tǒng)失調(diào)之外的失調(diào)主要來源：輸入差分對 u1和 u電流鏡 m1和 m2的失配 ?U1, u2電壓失調(diào)為： ?M1, m2帶來的失調(diào)為： Ngs NtNos WWVVV ?????? ????21?????????????? ?????? ????mNmPPg s PtPos ggWWVVV *22ΔVt, ΔW為元件間的閾值電壓和跨導(dǎo)之差 失調(diào)分析 ?晶體管隨機失配 ?在良好的版圖設(shè)計條件下 ?閾值電壓 (mV) ?柵寬 (u) ?均與柵面積的平方根成反比 MWLts oxV t?MW LWs W ??NMOS: tox=+toxn PMOS: tox=+toxp toxn, toxp的值與model的 corner有關(guān)，在 tt情況下，toxn=toxp=0 根據(jù)類似工藝的一個估計值 tox的單位為 e10 在 MOS晶體管的參數(shù)中考慮失配 例：原有的 W=30u, M=8 修改為 W=‘30u+30u**alfa/sqrt(2*30um*5um)’ M=8 delvto=‘*alfa/sqrt(2*30um*5um)’ 這里 alfa為 (0,1)高斯分布變量 依次將網(wǎng)表 失調(diào)分析 失調(diào)分析 Ota simulation .prot .lib ‘LIB_PATH\’ tt .unprot .option post probe .probe dc v(vo1) v(vo) .op .dc v_vdc sweep monte = 30 *.trans 10ns 200ns 20ns *.ac dec 10 1k 500meg $sweep ccv 0 5p 1p *.noise v(vo) v_vac 20 .para rzv=1k ccv=1p clv=1p alfa=agauss(0,3,3) .inc ‘NETLIST_PATH\’ .end 用 montecarlo仿真來分析失配導(dǎo)致的失調(diào)分布 失調(diào)分析 30次 montecarlo仿真結(jié)果 由此可見 ota的失調(diào)分布可達 (10mV~10mV) 可增大晶體管來減小 Vos，但是會帶來速度問題 在輸入端輸入一個較大的脈沖信號，以觀察輸出端的電壓擺率 V_vac的定義換成： V_v
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