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光調(diào)制器畢業(yè)設計論文(完整版)

2025-07-11 16:14上一頁面

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【正文】 主電路與控制電路隔離,再把驅(qū)動信號加一級推挽電 路進行放大使得驅(qū)動信號足以驅(qū)動 IGBT 管。針對驅(qū)動電路的隔離方式,有以下 2 種驅(qū)動電路,下面對其進行比較選擇。因此可以將驅(qū)動電路輸出的過流保護電流信號經(jīng)一電阻作用,轉(zhuǎn)換成電壓信號來進行過流保護,同理也可以用 10 端進行過壓保護 。一個到振蕩器的同步輸入可以使多個單元成為從電路或一個單元和外部系統(tǒng)時鐘同步。在狀態(tài)轉(zhuǎn)換中,由于存在開 閉滯后,使流出和吸收間出現(xiàn)重迭導通。 另外,由于 PWM 鎖存器對比較器來的置位信號鎖存,將誤差放大器上的噪音、振鈴及系統(tǒng)所有的跳動和振蕩信號消除了。該放大器共模輸入電壓范圍在 ~,需要將基準電壓分壓送至誤差放大器 1 腳(正電壓輸出)或 2 腳(負電阻輸出)。若輸入電壓低于6V時,可把 1 16 腳短接,這時 5V電壓調(diào)整器不起作用。 PWM 控制就是對脈沖寬度進行調(diào)制的技術(shù)。為了使負載電流連續(xù)且脈動小,故串聯(lián)L 值較大的電感。這就可以根據(jù)所學的 buck 降壓電路作為主電路,這個方案是較為簡單的方案,直接進行直直變換簡化了電路結(jié)構(gòu)。的大小。的大小。 全控型器件選擇絕緣柵雙極晶體管( IGBT)具有良好的特性,目前已取代了原來 GTR 和一部分電力 MOSFET 的市場,應用領(lǐng)域迅速擴展,成為中小功率電力電子設備的主導器件。 對光調(diào)制器進行結(jié)構(gòu)設計,畫出電機支 撐座,外殼和斬波片的機械結(jié)構(gòu)圖。我國也在這方面取得了一定的成績,其中北京卓立漢光公司生產(chǎn)的 Model 300CD 型光學斬波器代表了國內(nèi)光調(diào)制器的先進水平。 國內(nèi)外研究發(fā)展現(xiàn)狀 光調(diào)制技術(shù)雖然早在四十年代就已有不少研究和報導,但具有實用價值的光調(diào)制器卻是在七十年代前后才發(fā)展成熟的。 光學斬波器的設計內(nèi)容主要包括主電路,控制電路,驅(qū)動電路和保護電路 的設計,器件選型和結(jié)構(gòu)設計。 ~ 對 光調(diào)制器 的結(jié)構(gòu)進行設計,并進行器件選型; ~ 對 光調(diào)制器 電路 進行設計;完成中期報告。 ~ 撰寫論文 ,并準備畢業(yè)答辯 。深入了解各個模塊的工作原理和功能,使各部分正常運轉(zhuǎn)。 近一二十年來 ,光學和光電子學中的光調(diào)制器的研究和應用迅速地發(fā)展。 論文的組織結(jié)構(gòu) 本論文的組織結(jié)構(gòu)如下 : 第一章 : 介紹關(guān)于光學斬波器的研究背景、研究意義以及開發(fā)者的主要工作。 對光調(diào)制器進行器件選型。 直流斬波器根據(jù)其輸入和輸出電壓的大小可以分為降壓式直流斬波器和升壓式直流斬波器的兩類。 b. 控制電路模塊??刂齐娐纺K, ,它簡單可靠及使用方便靈 活 。而另一種方案是先把直流變交流降壓,再把交流變直流,這種方案把本該簡單的電路復雜化,不可取。 至一個周期 T 結(jié)束,再驅(qū)動 IGBT 導通,重復上一周期的過程。這種電路把直流電壓“斬”成一系列脈沖,改變脈沖的占空比來獲得所需的輸出電壓。 b. 振蕩器 3525A 的振蕩器,除 CT、 RT 端外,增加了放電 同步端 3。 3524 的誤差放大器、電流控制器和關(guān)閉控制三個信號共用一個反相輸入端, 3525A 改為增加一個反相輸入端,誤差放大器與關(guān)閉電路各自送至比較器的反相端。只有在下一個時鐘周期才能重新置 位,有利于可靠性提高。在重迭處有一個電流尖脈沖,其持續(xù)時間約 100ns。在 CT 和放電腳之間用單個電阻器連接即可對死區(qū)時間進行大范圍的編程。 當驅(qū)動電路檢測到過流時發(fā)出 電流信號,由于電阻的作用將 10 腳的電位抬高,從而 1 14 腳輸出低電平,而當其沒有過流時, 10 腳一直處于低電平,從而正常的輸出 PWM 波 [13]。 方案 1:采用驅(qū)動芯片式 驅(qū)動電路,該電路雙側(cè)都有源。由于我所設計的過流保護電路是利用控制芯片 10 端來設計的,且直接用光耦電路比較 復雜 ,所以我 采用驅(qū)動芯片進行方案設計 [15]。 14 和 15 兩腳間外加 PWM 控制信號,當觸發(fā)脈沖信號施加于14 和 15 引腳時,在 GE 兩端產(chǎn)生約 16V 的 IGBT 開通電壓;當觸發(fā)控制脈沖撤銷時,在 GE 兩端產(chǎn)生 IGBT 關(guān)斷電壓。與電容串聯(lián)的電阻能消耗掉部分過壓能量,同 時抑制電路中的電感與電容產(chǎn)生振蕩,過電壓保護電路如圖 所示。 在斬波電路中對斬波器的保護,實際上就是對 IGBT 的保護。 電力電子器件在實際應用中,一般是由控制電路,驅(qū)動電路,保護電路和以電力電子器件為核心的主電路組成一個系統(tǒng)。 當工作的時候,電機帶動斬波片轉(zhuǎn)動,斬波片前端放著光源對著葉片部分,就會產(chǎn)生交替變化的光束。本方案中斬波片采用的材質(zhì)是半硬度的黃銅,并進行化學發(fā)黑處理 [20]。當 IGBT 關(guān)斷時,儲藏在電抗器中的能量使 IGBT 兩端的電壓升高并經(jīng)過二極管使電容器充電。用鎖相回路電動 機 速度控制的設計來精確保持斬波速率和參考信號的相位。通過這次設計加深了我對這門課程的了解,也大大提高了我們的實踐能力。電光調(diào)制器微波損耗的限制〔 J〕 .光電子 .激光, 2020, 12(6):608 一 610. [13] 任文平 . 高壓直流發(fā)生器中斬波電路的設計 [ D]. 銀川 : 寧夏大學 , 2020, [14] 范宇 , 楊君 . 采用自關(guān)斷器件的斬波器實驗裝置的 研制 [ J ] .實驗技術(shù)與管理 , 1997, 15( 3) : 3739. [15] Mergia K, Apostolopoulos G. Neutron reflectometryAprobe for Materials Surfaces Austria: IAEA, 2020, 109 [16] 王兆安,黃俊 .電力電子技術(shù)(第四版) [M].北京:機械工業(yè)出版社 . [17] 董小偉,裴麗,李彬等 .新型高速電光調(diào) [J]., 2020,118:67 一 70. [18] 陳福深 .集成電光調(diào)制理論與技術(shù) [M〕 .北京 :國防工業(yè)出版社, 1995. [19] 李銀柱 .聲光調(diào)制器設計 .長春光學精密機械學院碩士論文 , 1996. 3 [20] 楊亞培,劉永智 .考慮光譜寬度的光波導 F 一 P 調(diào)制器的靈敏度仁 J〕 .半導體光電,2020, 22(2):87 一 89. 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