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正文內(nèi)容

ds18b20溫度檢測(cè)畢業(yè)設(shè)計(jì)-文庫(kù)吧在線文庫(kù)

  

【正文】 了很多知識(shí)也有很多感受,從對(duì) DS18B20 芯片的一無(wú)所知,溫度檢測(cè)等相關(guān)技術(shù)的不了解,我開(kāi)始了獨(dú)立的學(xué)習(xí)和試驗(yàn),查看相關(guān)的資料和書(shū)籍,讓自己頭腦中模糊的概念逐漸清晰,使自己非常稚嫩作品一步步完善起來(lái),每一次改進(jìn)都是我學(xué)習(xí)的收獲,每一次試驗(yàn)的成功都會(huì)讓我興奮好一段時(shí)間。 for(i = 0。 // XTLVLD blanking interval (1ms) OSCICN = 0x88。 P0MDOUT|=0xff。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_2 =ACC^2。 //拉低保持 500us DQ=1。 //寫(xiě) 0 時(shí)隙,必須拉低持續(xù)至少 60us Delay(120)。 NOP()。 NOP()。 } void write_DS18B20(unsigned char Command) //該程序判斷發(fā)送每位時(shí),寫(xiě) 0 還是寫(xiě) 1,然后調(diào)用相應(yīng)子程序 { bit Write_Lsb=0。 } read_DS18B20_bit(void) { bit value。每讀一位數(shù),需要延時(shí)一段時(shí)間,使整個(gè) read slot 保證維持至少 60us 才能開(kāi)始讀下一位信息 return(value)。 Temp_Byte=Temp_Byte|Read_Bit。//預(yù)設(shè)配置數(shù)據(jù) 27 unsigned char Temperature_Low。 Delay(1)。 while(DQ==0) { NOP()。 if(sign==0) { ACC_0=Temperature_Low^4。 //符號(hào)位為 0 28 Absolute_Temperature=ACC。 ACC_7=0。想想這段難忘的歲月,從最初的茫然,到慢慢的進(jìn)入狀態(tài),再到對(duì)思路逐漸的清晰,整個(gè)寫(xiě)作過(guò)程難以用語(yǔ)言來(lái)表達(dá)。自己要學(xué)習(xí)的東西還太多,以前老是 覺(jué)得自己什么東西都會(huì),什么東西都懂,有點(diǎn)眼高手低。在這次畢業(yè)設(shè)計(jì)的寫(xiě)作的過(guò)程中,我擁有了無(wú)數(shù)難忘的感動(dòng)和收獲。四年的大學(xué)生活充滿了激情和收獲。 ACC_3=Temperature_Low^7。 ACC_4=Temperature_High^0。 write_DS18B20(Command)。 Command=0xcc。//十進(jìn)制溫度的絕對(duì)值(不含溫度符號(hào)位) main() { Delay(1)。 } unsigned char Command。 unsigned char Temp_Byte=0。 Delay(18)。i++) { Write_Lsb=Command^i。//釋放總線為 39。 //寫(xiě) 1 時(shí)隙,拉低至少一個(gè) 1us,然后必須于 15us 內(nèi)釋放 Delay(2)。 NOP()。 } void DS18B20_PRESENCE(void) { while(DQ==1)//DS18B20 仍然沒(méi)回應(yīng) PRESENCE 信號(hào) { NOP()。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_6 =ACC^6。 P74OUT|=0xff。 return。 // Delay counter OSCXCN = 0x27。希望這次的經(jīng)歷能讓我在以后學(xué)習(xí)中激勵(lì)我繼續(xù)進(jìn)步。 ACC_7=0。//讀出的為高字節(jié)的內(nèi)容 20 //存儲(chǔ)高字節(jié)的內(nèi)容 // //將二進(jìn)制溫度轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制溫度 //忽略低字節(jié)的最后四位 (小數(shù)部分 ),取整數(shù)部分的 7 位 (不含符號(hào)位 )至 ACC 各位中,以實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換 // sign=Temperature_High^3。 write_DS18B20(Command)??偩€控制器在發(fā)起一條 DS18B20 功能指令之前必須先發(fā)出一條 ROM 指令。 Temp_Byte=Temp_Byte|Read_Bit。每讀一位數(shù),需要延時(shí)一段時(shí)間,使整個(gè) read slot 保證維持至少 60us 才能開(kāi)始讀下一位信息 return(value)。 圖 讀時(shí)隙圖“ [14]” 讀操作程序 : // //讀 DS18B20: READ TIME SLOTS:每次調(diào)用后讀出一位 //讀 scratchpad 時(shí),讀出的順序從字節(jié) 0 的 LSB 位開(kāi)始 // read_DS18B20_bit(void) { bit value。 } } return。 //每個(gè) wirte/read 時(shí)隙至少維持 60us,寫(xiě) 1 時(shí)隙中釋放總線后時(shí)間應(yīng)延遲 (60 1)uS 以上 return。 NOP()。 NOP()。 圖 寫(xiě)操作圖“ [12]” 寫(xiě)操作程序: // //write 0 slot:每次調(diào)用后向 DS18B20 寫(xiě)一次‘ 0’ // void write_0(void) { DQ=0。 } return。 Delay(1000)。如果計(jì)算得到的 CRC 值和讀取出來(lái)的 CRC 值相吻合,數(shù)據(jù)被無(wú)錯(cuò)傳輸。上電默認(rèn)設(shè)置: R0=1,R1=1( 12 位精度)。為了完整的驗(yàn)證數(shù)據(jù),高速暫存器能夠在數(shù)據(jù)寫(xiě)入后被讀?。ㄊ褂米x暫存器指令 [BEh])。當(dāng)報(bào)警功能不使用時(shí), TH 和 TL 寄存器可以被當(dāng)作普通寄存器使用。在恢復(fù)期間,如果單總線處于非活動(dòng)(高電平)狀態(tài),位與位間的恢復(fù)時(shí)間可以無(wú)限長(zhǎng)。 ROM 中的 64 位序列號(hào)是出廠前被光刻好的,它可以看作 是該 DS18B20 的地址序列碼,每個(gè) DS18B20 的 64 位序列號(hào)均不相同。因此,當(dāng)數(shù)據(jù)線上的時(shí)序滿足一定的要求時(shí),可以不接外部電源,從而 使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更趨簡(jiǎn)單,可靠性更高。 單總線具有經(jīng)濟(jì)性好,抗干擾能力強(qiáng),適合于惡劣環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)溫度測(cè)量,使用方便等優(yōu)點(diǎn),使用戶可輕松地組建傳感器網(wǎng)絡(luò),為測(cè)量系統(tǒng)的構(gòu)建引入全新概念。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_5 =ACC^5。 P3MDOUT|=0xff。 WDTCN = 0xad。 } 系統(tǒng)時(shí)鐘初始化設(shè)置: // //系統(tǒng)時(shí)鐘初始化設(shè)置 // void SYSCLK_Init (void) { int i。但 RAM,定時(shí)器,計(jì)數(shù)器,串口和中斷系統(tǒng)仍在工作。該反向放大器可以配置為片內(nèi)振蕩器。在由外部程序存儲(chǔ)器取指期間,每個(gè)機(jī)器周期兩次 /PSEN 有效。在平時(shí), ALE 端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號(hào),此頻率為振蕩器頻率的 1/6。作為輸入,由于外部下拉為低電平, P3 口將輸出電流( ILL)這 是由于上拉的緣故。在編程和校驗(yàn)時(shí), P1 口作為第八位地址接收。 7. 總線 以上所有組成部分都是通過(guò)總線連接起來(lái),從而構(gòu)成一個(gè)完整的單片機(jī)。 P0 口為三態(tài)雙向口,能帶 8 個(gè) TTL 門(mén)電路, P P2 和 P3 口為準(zhǔn)雙向口,負(fù)載能力為 4 個(gè) TTL 門(mén)電路。數(shù)據(jù)指針 DPTR 為 16 位數(shù)據(jù)指針,它可以對(duì) 64K 的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和 I/O 口進(jìn)行尋址,它的低8 位為 DPL(地址 82H),高 8 位為 DPH(地址為 83H)。 MCS51 單片機(jī)在一塊芯片上集成了 CPU、 RAM、 ROM、定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器和多功能 I/O 口等。而每一次命令和數(shù)據(jù)的傳輸都是從 主設(shè)備 主動(dòng)啟動(dòng)寫(xiě)時(shí)序開(kāi)始,如果要求單總線器件回送數(shù)據(jù), 則 在進(jìn)行寫(xiě)命令后,主機(jī)需啟動(dòng)讀時(shí)序完成數(shù)據(jù)接收。 關(guān)鍵詞: 溫度測(cè)量;微處理器控制; C 語(yǔ)言 2 Based on 80C51 microprocessor with DS18B20 temperature measurement Jingjing,pang Yunnan University of Nationalities,School of Electrical and Information Technology,class of Communication Engineering Abstract:The graduation project is based on 80C51 microprocessor with DS18B20 temperature measurement .80C51 microprocessor as the core of it, the use of singlechip bus temperature conversion temperature DS18B20 realtime acquisition. Our experimental purpose is programming to DS18B20 and understand its performance characteristics .The instruction code through the C language knowledge and relevant information to plete the DS18B20 temperature measurements .DS18B20 is a smart temperature sensor .The DS18B20 digital thermometer provides 9bit to 12bit Celsius temperature DS18B20 makes the system structure more simple , and higher reliability . Key words: temperature measurement; microprocessor ; C language 前 言 這次的畢業(yè)設(shè)計(jì)以虛擬環(huán)境下 通過(guò) 80C51 單片機(jī) 實(shí)現(xiàn) DS18B20 芯片溫度測(cè)量為目標(biāo)。 畢業(yè)論文 (設(shè)計(jì) )作者簽名: 日 期: 年 月 日 ????????????????????????????? 關(guān)于畢業(yè)論文 (設(shè)計(jì) )使用授權(quán)的說(shuō)明 本人完全了解云南民族大學(xué)有關(guān)保留、使用畢業(yè)論文 (設(shè)計(jì) )的規(guī)定,即:學(xué)校有權(quán)保留、送交論文的復(fù)印件,允許論文被查閱,學(xué)??梢怨颊撐?(設(shè)計(jì) )的全部或部分內(nèi)容,可以采用影印或其他復(fù)制手段保存論文 (設(shè)計(jì) )。 (保密論文在解密后應(yīng)遵守) 指導(dǎo)教師簽名: 論文 (設(shè)計(jì) )作者簽名: 日期: 年 月 日 注:此頁(yè)放在封面后,目錄前。DS18B20 數(shù)字溫度計(jì)是 DALLAS 公司生產(chǎn)的 1- Wire,即單總線器件,具有線路簡(jiǎn)單,體積小的特點(diǎn)??梢哉f(shuō)對(duì) DS18B20 的編譯即是一個(gè)寫(xiě)讀時(shí)隙的過(guò)程 。 圖 單片機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖“ [1]” 由圖看出,單片機(jī)內(nèi)部主要包含下列幾個(gè)部件: ? 一個(gè) 8 位 CPU; ? 一個(gè)時(shí)鐘電路; ? 4KB 程序存儲(chǔ)器; ? 128KB 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器; ? 兩個(gè) 16 位定時(shí) /計(jì)數(shù)器; ? 64KB 擴(kuò)展總線控制電路; ? 四個(gè) 8bit 并行 I/O 端口; ? 一個(gè)可編程串行接口; ? 五個(gè)中斷源,其中包括兩個(gè)優(yōu)先級(jí)嵌套中斷。堆棧指針
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