【正文】 ice edge, then a layer around the original edge, or a layer of vice edge, a layer of the original edge, final layer vice edge, it can make the coupling between the former vice edge better, reduce leakage feeling, reduce leakage caused due to sense electromagic induction noise. (design wire line diameter, besides should consider the current through the size and hasten skin effect, but also should strive to make wires of each layer, and don39。t work normally. To Boost circuit, for example, if the S very grounded not MOSFET processing, that is very, very, G S PWM signal and a ground loops between very big, it can39。 作者簡(jiǎn)介 楊益平（ 1979－），男，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院在讀碩士生，研究方向?yàn)殡娏﹄娮蛹夹g(shù)。這時(shí)，應(yīng)盡量將相互關(guān)聯(lián)的元器件擺放在一起，以避免因器件 離的太遠(yuǎn)而造成印制線過(guò)長(zhǎng)所帶來(lái)的干擾；再者將輸入信號(hào)和輸出信號(hào)盡量放置在引線端口附近，以避免因耦合路徑而產(chǎn)生的干擾。但是在實(shí)際應(yīng)用中，變壓器還要考慮原副邊之間的高壓隔離，所以實(shí)際當(dāng)中更多應(yīng)用的是“ 三明治”的夾心繞法（如圖 3 所示），即繞一層原邊，繞一層副邊，再繞一層原邊，或者一層副邊，一層原邊，最后一層副邊，這就能使原副邊之間的耦合更好，減少漏感，減少由于漏感引起的電磁感應(yīng)噪聲。以 Boost電路為例，如果 MOSFET 的 S 極接地沒(méi)有處理，也就是說(shuō) G 極、 S 極、 PWM 信號(hào)和地之間構(gòu)成地回路很大的話，電路就不能正常工作，有時(shí)候 PWM 信號(hào)無(wú)法驅(qū)動(dòng) MOSFET，這就是通過(guò)公共地阻抗給 Boost 電路引入了一個(gè)很大的干擾。 濾波器 的輸入、輸出線不能交叉，應(yīng)采用屏蔽線或相互間設(shè)置屏蔽層。另外，濾波器應(yīng)盡量安裝在靠近電源入口處，避免干擾信號(hào)從輸入端直接耦合到輸出端。 L3 與 L4 是獨(dú)立的差模抑制電感， CC2 和 C3 是電容器。因?yàn)?，干擾頻譜窄，且集中在諧振頻率附近，易于濾波器的設(shè)計(jì)。高頻電磁屏蔽的機(jī)理主要是基于電磁波穿過(guò)金屬屏蔽體產(chǎn)生波反射和波吸收的機(jī)理。當(dāng)開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)， Ls 所產(chǎn)生的反電勢(shì)－ Lsdi/dt 會(huì)使開(kāi)關(guān)管的漏源極之間的電壓出現(xiàn)上沖。而在開(kāi)關(guān)頻率的選擇上也不是越高越好，而是應(yīng)當(dāng)選取合適的頻率。 眾所周知，構(gòu)成電磁干擾有三個(gè)要素，即：騷擾源（噪聲）、噪聲的耦合途徑及噪聲接收器（被干擾設(shè)備）。 開(kāi)關(guān)電源具有體積小、重量輕、效率高的優(yōu)點(diǎn)，且市場(chǎng)上已有開(kāi)關(guān)電源集成控制模塊，這使電源設(shè)計(jì)、調(diào)試簡(jiǎn)化了許多，所以，在大多數(shù)的電子設(shè)備（如計(jì)算機(jī)、電視機(jī)及各種控制系統(tǒng)）中得到了廣泛的應(yīng)用。 電磁兼容（ EMC）是指電子設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。因此，只有提高開(kāi) 關(guān)電源的電磁兼容性，才能使開(kāi)關(guān)電源在那些對(duì)電源噪聲指標(biāo)有嚴(yán)格要求的場(chǎng)合被采用。 1 騷擾源的分析 在小功率 DC／ DC 變換器中，主要的騷擾源是電磁感應(yīng)噪聲和非線性開(kāi)關(guān)過(guò)程噪聲。另外，高頻二極管在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)反向恢復(fù)的情況，這也是一個(gè)很大的騷擾源。而且它還 是一種傳導(dǎo)性電磁干擾，既影響變壓器的初級(jí)，還會(huì)使干擾傳導(dǎo)返回配電系統(tǒng)，造成輸入側(cè)電網(wǎng)的電磁干擾，從而影響其它用電設(shè)備的安全和經(jīng)濟(jì)運(yùn)行。而電磁波在穿透屏蔽體時(shí)產(chǎn)生的吸收損耗則主要是由電磁波在屏蔽體中的感生渦流引起的。欲削弱傳導(dǎo)干擾，把 EMI 電平控制在有關(guān) EMC 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的極限電平以下。 適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)或選擇合適的濾波器，并正確地安裝濾波器是抗干擾技術(shù)的重要組成部分，具體措施如下。如果把多個(gè)電容并聯(lián)，效果將會(huì)更好。線圈采用單層或分段式繞法，小電流時(shí)可采用蜂房繞制的多層線圈。若地線很細(xì)或者接地點(diǎn)很小，接地電位則 隨電流的變化而變化，使抗噪聲性能變壞。 為了減少變壓器的輻射干擾，制作變壓器的屏蔽層時(shí)，常采用的方法是在變壓器 的線包和磁芯外表面包上一層薄薄的銅皮。這些硅膠和絕緣墊片相當(dāng)于在功率管和散熱片之間串聯(lián)了耦合電容 Ck。t through the transformer coupling to vice edge for release, so this part of the energy with the switch tube parasitic capacitance Cs and input power Vin pose a decay of the LC resonance, in addition to the shutoff voltage forming shut off the voltage spikes. The peak noise is actually pointed pulse, in addition to cause interference outside, the person that weigh likely breakdown switch tube. And it is still a conductive emi, affecting both of transformer39。t appear to pave the sparse two or three turns of the phenomenon, only in this way, the former vice side of the coupling effect to further improve). Figure 4 the experimental wave graph, from figure 4, it is known that the use of the method of the sandwich transformer, MOSFET of much smaller in oscillation. In order to reduce the transformer radiated interference, making the transformer shield, often using method is in the bag and magic core transformer lines appearance bread a thin layer of TongPi. In order to reduce the former vice side of the distributed capacitance, still can be in transformer between the primary and secondary windings and a layer of electrostatic shielding. Specific approach is in orbit around the system after the primary winding, wrap a layer of ~ mm thick thin TongPi, the beginning of the end and TongPi must have 3 黃河科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (文獻(xiàn)翻譯 ) 第 16 頁(yè) ~ 5 mm long overlap (overlap must be mutual insulation). In order to guarantee electrostatic shielding to achieve the desired goals, the key to reduce leakage from process design let Cs and ground impedance Z39。t take double and circle, should be symmetrical two independent coil. should choose high frequency characteristics good capacitors. grounded Attention must be paid to the circuit ground problems, because public impedance coupling mainly through the public to impedance. If no deal with ground, may be introduced into a lot of the circuit to interference, so that the circuit can39。本文對(duì)反激式功率因數(shù)校正電路的騷擾源進(jìn)行了分析，同時(shí)給出了相應(yīng)的解決方案，另外，還對(duì)此電路的電磁兼容的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)的分析。 3 其他減少電磁干擾的方法 元器件的布局 在設(shè)計(jì)電路時(shí)，通常騷擾源和受擾電路由于受到工作條件的限制而難以避免。根據(jù)這個(gè)原則，最好的繞法就是原邊和副邊交叉并繞，這樣能達(dá)到使漏電感 黃河科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (文獻(xiàn)翻譯 ) 第 6頁(yè) 最小的目的。如果接地沒(méi)有處理好，可能會(huì)對(duì)電路引入很大的地干擾 ，從而使電路不能正常工作。若可能的話，盡可能作為一個(gè)獨(dú)立部件與電源合理連接。一般的接地方法除了將濾波器與金屬外殼相接之外，還要用較粗的導(dǎo)線將濾波器外殼與設(shè)備的接地點(diǎn)相連， 接地阻抗越小濾波效果越好。它是開(kāi)關(guān)電源 EMI 濾波器的基本網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，其中 L1 和 L2 是繞在同一磁環(huán)上兩只獨(dú)立線圈，匝數(shù)相同，有相同方向的同名端，稱之為共模電感線圈或者共模線圈。在零電壓諧振變換器中，功率開(kāi)關(guān) 上的電壓波形為準(zhǔn)正弦， dv/dt ??；在零電流準(zhǔn)諧振變換中，流過(guò)功率開(kāi)關(guān)的電流為準(zhǔn)正弦， di/dt 小，這樣就可以減小 EMI 電平。所以，在屏蔽電磁場(chǎng)時(shí)，必須對(duì)電場(chǎng)與磁場(chǎng)同時(shí)加以屏蔽。在反激式電路中，由于原副 黃河科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (文獻(xiàn)翻譯 ) 第 3頁(yè) 邊繞組耦合系數(shù)不為 1，變壓器存在著一定的漏感 Ls。在各方面條件成熟和允許的情況下，對(duì)于主開(kāi)關(guān)管的設(shè)計(jì)應(yīng)采用軟開(kāi)關(guān)電路（例如中功率電路當(dāng)中廣為采用的移相全橋電路等），這樣不但可以極大地減小開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗，而且有助于降低電路中 的 di/dt。 黃河科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (文獻(xiàn)翻譯 ) 第 2頁(yè) 設(shè)備或系統(tǒng)自己產(chǎn)生的電磁噪聲 (Electromagic Noise－ EMN)必須被限制在一定的電平 ，使由它所造成的電磁干擾不致對(duì)它周圍的電磁環(huán)境造成嚴(yán)重的污染和影響其他設(shè)備或系統(tǒng)的正常運(yùn)行。特別是歐共體將產(chǎn)品的電磁兼容性要求納入技術(shù)法規(guī)，強(qiáng)制執(zhí)行 89/336/EEC指令，即規(guī)定從 1996 年 1 月 1 日起電氣和電子產(chǎn)品都必須符合 EMC 要求，并加貼 CE標(biāo)志后才能在歐共體市場(chǎng)上銷售以來(lái)，促使了各國(guó)政府從國(guó)際貿(mào)易的角度，高度重視電磁兼容技術(shù)。隨著電子產(chǎn)品越來(lái)越多地采用低功耗、高速度、高集成度的 LSI 電路，而使得這些裝置比以往任何時(shí)候更容易受到電磁干擾的威脅。 電磁兼 容包括兩個(gè)方面的含義。這都是由于功率變換