cmos工藝流程與mos電路版圖舉例-文庫吧在線文庫
【正文】 )。雜質(zhì)，三氧化二鋁必須以高速粒子撞擊，并 ： tetraethylorthosilicate58silicon)選擇性氧化：濕法氧化二氧化硅層，因以氮化硅為掩模會出現(xiàn)鳥嘴現(xiàn)象， 59 (上述中曝光技術(shù)光罩與基片的距離分為接觸式、接近式和投影式曝光三種，常用投影式又分為等比和微縮式。 此工序在約 1000℃ 中完成，不能采用鋁柵極工藝，因鋁不能耐高溫，此工藝也稱為自對準(zhǔn)工藝。(后序中的 PSG或 BPSG能很好的穩(wěn)定能動鈉離子，以保證 MOS電壓穩(wěn)定 )。所謂PECVD 7071 2. 典型 N阱 CMOS工藝的剖面圖源硅柵漏薄氧化層金屬場氧化層p阱n襯底（ FOX）低氧72CMOS processp+p+p73Process (Inverter)psubPdiffusionNdiffusionPolysiliconMetalLegend of each layercontactNwellGND低氧場氧psubp+InVDDS G D D G S圖例74Layout and CrossSection View of InverterInTop View or LayoutCrossSection ViewPdiffusionNdiffusionPolysiliconMetalLegend of each layercontactVDD GNDGNDOutVDDInverterInOutNwell圖例75Process field oxidefield oxide field oxide763. Simplified CMOS Process FlowCreate nwell and active regionsGrow gate oxide (thin oxide)Deposit and pattern polysilicon layerImplant source and drain regions, substrate contactsCreate contact windows, deposit and pattern metal layers77Nwell, Active Region, Gate OxideCross SectionnwellTop ViewS G D D G SMetalMetalMetalPolysiliconn+ p+VDDVSSpMOSFETnMOSFET78Polysilicon Layer Top ViewCrossSection79N+ and P+ RegionsTop ViewOhmic contactsCrossSection80SiO2 Upon Device Contact EtchingTop ViewCrossSection81Metal Layer – by Metal EvaporationTop ViewCrossSection82A Complete CMOS InverterTop ViewCrossSection83DiffusionSiO2FETPolysilicon84Transistor LayoutDiffusionPolysilicon85layersNDiffusionPolysiliconMetal 1Metal 2SiO2SiO2SiO2PDiffusion86Via and ContactsDiffusionMetal 2SiO2SiO2PolysiliconMetalDiff ContactMetalPoly ContactSiO2ViaMetal 187Inverter ExampleMetalnDiff溝道長度 p+， n+最小間距 3λe2λGlassCross版圖分解： P阱.?刻有源區(qū)?反相器 105 制備耗盡型 MOS管1078 108硅柵 P阱 CMOS反相器版圖設(shè)計 舉 例5. 刻 NMOS管 S、 D6. 刻接觸孔7. 反刻 Al (W/L) p=3(W/L) n1. 刻 P阱2. 刻有源區(qū)3. 刻多晶硅柵4. 刻 PMOS管 S、 D1091. 刻 P阱 2. 刻有源區(qū) 3. 刻多晶硅柵1104. 刻 PMOS管 S、 D 5. 刻 NMOS管 S、 D111VDDVoViVss7. 反刻 Al6. 刻接觸孔VDDViVssVo112光刻 1與光刻 2套刻 光刻 2與光刻 3套刻113光刻 3與光刻 4套刻光刻膠保護(hù)光刻 4與光刻 5套刻光刻膠保護(hù)刻 PMOS管 S、 D刻 NMOS管 S、 DDDSS114光刻 5與光刻 6套刻VDDViVssVo光刻 6與光刻 7套刻VDDViVDDVoViVssVDDViVssVo115Vi VoT2P+區(qū)注入，形成 PMOS管的源、漏區(qū)及P+保護(hù)環(huán)（圖中沒畫出 P+保護(hù)環(huán)）。特性方程是從特性表歸納出來的，比較簡潔；狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖這種描述方法則很直觀。 （ 3）大跨導(dǎo)管采用梳狀或馬蹄形，小跨導(dǎo)管采用條狀圖形，使圖形排列盡可能規(guī)整。 ??封閉圖形處，保留多晶硅 144N+ implant CMOS反相器版圖流程 (4)4. 有源區(qū)注入 ——P +， N+區(qū)（ select)。有源區(qū)注入 ——P +、 N+區(qū)（ select)。有源區(qū)和場區(qū)是互補(bǔ)的，晶體管做在有源區(qū)處，金屬和多晶連線多做在場區(qū)上。N+注入?yún)^(qū)比所交有源區(qū)要大些。三層布線之間，多晶硅和注入有源區(qū)不能相交布線，因為相交處形成了晶體管，使得注入有源區(qū)連線斷開。多晶硅可做連線，所注入的有源區(qū)也是導(dǎo)體，可做短連線（方塊電阻大）。6:27:5331,216:27 6:27:536:27:5331,216:27 6:27:536:27:53 一月 21一月 2118:27:5318:27:53January216:27 6:27:53 2023
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1