生理學(xué)講義2--文庫吧在線文庫
【正文】 n等開始利用槍烏鲗的巨大神經(jīng)軸突進行了一系列有意義的實驗，不僅對經(jīng)典膜學(xué)說關(guān)于靜息電位產(chǎn)生機制的假說予以證實，而且對動作電位的產(chǎn)生提出了新的解釋和論證。至于負后電位，則一般認為是在復(fù)極時迅速外流的 K+蓄積在膜外附近，因而暫時阻礙了 K+外流的結(jié)果。 n閘門也是電壓依賴性的，細胞膜內(nèi)外的極化狀態(tài)越大，膜對 K+的通透性就越小，膜電位趨向去極化，膜對 K+的通透性增大。 ? Na+通道是： m閘門關(guān)閉和 h閘門開放為 備用狀態(tài) ，兩種閘門都開放時為 激活狀態(tài) ， h閘門關(guān)閉為 失活狀 態(tài) 。 室溫 27℃ ? ?)(][][)(][][9 6 5 0 01272 7 mVKKEVKKEioKioK??????????時 間 胞外 胞內(nèi) 低 K+ 高 K+ K+ K+ K+ + + + + + + 濃度梯度 電場梯度 EK (細胞膜僅對 K+通透 ) (細胞膜僅對 Na+通透 ) 胞外 胞內(nèi) 高 Na+ 低 Na+ + + + 靜息狀態(tài) Na+ Na+ Na+ + + + + + + + ? 細胞內(nèi)高 K+和 安靜時膜主要對 K+有通透性 ，是大多數(shù)細胞產(chǎn)生和維持靜息電位的主要原因。 動作電位
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