半導體hgs在高壓下的電子結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)。黃海鋒-文庫吧在線文庫
【正文】 壓力的增加而改變，同時樣品的電導率隨著溫度的增加而減小，樣品呈現(xiàn)金屬導電特性。在計算中得到了HgS的間接帶隙為Eg=。當光通過晶體材料時會發(fā)生各種現(xiàn)象：反射、吸收、能量損失等。關(guān)鍵詞：硫化汞；電子結(jié)構(gòu)；能帶結(jié)構(gòu)；變化規(guī)律1 引言半導體技術(shù)是近50多年發(fā)展最迅速的技術(shù)。Castep軟件是一個基于密度泛函方法的從頭算量子力學程序:利用總能量平面波贗勢方法,將粒子勢用贗勢替代,電子波函數(shù)用平面波基組展開。定理2 能量泛函在粒子數(shù)不變的條件下，對正確的粒子數(shù)密度函數(shù)取極小值，并等于基態(tài)能量[2,3]。我們把導帶底和價帶頂處于空間同一點的半導體，稱為直接帶隙半導體，而把導帶底和夾帶頂處于空間不同點的半導體，稱為間接帶隙半導體。在計算中得到了HgS的間接帶隙為Eg=。我們計算了HgS的吸收系數(shù)、介電函數(shù)（包含實部和虛部）、反射系數(shù)以及折射率。n Pend225。 密度泛函理論及其數(shù)值方法新進展[J]。最后，我們研究了HgS的光學性質(zhì)。當光照射到固體的表面時，部分光被反射，若入射光強為、反射光強為時，則有： ()R為反射系數(shù)。在本征吸收邊的光躍遷有兩種類型。 HohenbergKohn定理密度泛函理論另辟蹊徑，它的關(guān)鍵之處是將電子密度分布—而不再是電子波函數(shù)分布—作為試探函數(shù)，將總能E表示為電子密度的泛函。鑒于半導體HgS在光電技術(shù)方面的廣泛應(yīng)用，對半導體HgS電子結(jié)構(gòu)和屬性以及高壓下半導體HgS電子能帶結(jié)構(gòu)特性的研究已引起廣大科研工作者的極大興趣。當壓力大于8GPa時，它的電導率隨著壓力的增加而迅速增加，同時電導率隨著溫度的增加而增加，表現(xiàn)出半導體的導電特性。首先，我們可以利用平面波贗勢密度泛函理論研究HgS的能帶結(jié)構(gòu)以及態(tài)密度。這和光與晶體中的電子、雜質(zhì)等的相互作用密切相關(guān)。元素和二元化合物半導體的基本性質(zhì)一直是高壓科學研究中最活躍的領(lǐng)域之一。電子一電子相互作用的交換和相關(guān)勢由局域密度近似（LDA）或廣義梯度近似（GGA）
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