【正文】 aAsP/InGaP量子阱結(jié)構(gòu)涉及多項(xiàng)材料及界面的切換，特別是五族的砷磷轉(zhuǎn)換必須考慮到生長(zhǎng)氛圍的記憶效應(yīng)以及不同三族源進(jìn)行入反應(yīng)室的速度。同時(shí)為限制住高能量電子，形成有效光激發(fā)必須依靠摻雜分布的精確控制。半導(dǎo)體材料與歐姆接觸金屬之間接觸不良，界面狀態(tài)不穩(wěn)定是歐姆接觸退化的主要原因。④半導(dǎo)體激光器芯片在解理時(shí)會(huì)在端面留下許多表面態(tài)，這些表面態(tài)很容易與氧、水蒸汽發(fā)生反應(yīng)，使端面氧化，形成非輻射復(fù)合中心，從而吸收激光，端面的溫度升高，端面溫度的增加會(huì)使腔面附近的禁帶寬度變窄，致使激光更容易被吸收，導(dǎo)致光學(xué)災(zāi)變損傷發(fā)生。我們利用高性能的PECVD沉積設(shè)備設(shè)計(jì)優(yōu)化SiOSi3N4等不同成分的絕緣膜，獲得性能良好的絕緣介質(zhì)膜。另外，對(duì)635nm激光器而言，AlGaInP/GaInP量子阱的應(yīng)變需要優(yōu)化進(jìn)行波長(zhǎng)控制，同時(shí)防止晶格馳豫。 利用MOCVD設(shè)備進(jìn)行高功率半導(dǎo)體激光器外延材料生長(zhǎng)技術(shù)理論研究 高質(zhì)量的外延材料生長(zhǎng)是最基本而又關(guān)鍵的器件制備基礎(chǔ)。 半導(dǎo)體激光器的失效原因與器件本身所選用的材料、材料之間、器件表面或體內(nèi)、金屬化系統(tǒng)以及封裝結(jié)構(gòu)中存在的各種化學(xué)、物理的反應(yīng)有關(guān)。我們可以通過(guò)測(cè)試激射面積一定、不同腔長(zhǎng)的激光器來(lái)確定此激射面積下的最佳腔長(zhǎng)。 C、周期性超晶格結(jié)構(gòu)的應(yīng)用 為了得到較好的激光光束，我們?cè)O(shè)計(jì)了具有多層周期性分布的超晶格結(jié)構(gòu)。由于壓應(yīng)變能帶結(jié)構(gòu)的重空穴帶在平行結(jié)平面方向具有更小的有效質(zhì)量，導(dǎo)致態(tài)密度減小，因此要比晶格匹配的量子阱結(jié)構(gòu)更容易實(shí)現(xiàn)受激發(fā)射的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)條件。我國(guó)對(duì)激光顯示技術(shù)的關(guān)注也早已開(kāi)始，上世紀(jì)80 年代末，激光顯示技術(shù)就已進(jìn)入我國(guó)“863”計(jì)劃。國(guó)內(nèi)使用的半導(dǎo)體激光器大部分還是依賴(lài)進(jìn)口，還是沒(méi)有擺脫核心技術(shù)受制于人的被動(dòng)局面，尤其美國(guó)把大功率半導(dǎo)體激光器列為對(duì)華出口限制，隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)建設(shè)需求明顯增長(zhǎng)，走自主研制，突破國(guó)外技術(shù)封鎖的道路成為必然。激光電視是21 世紀(jì)的電視機(jī)市場(chǎng)中最強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)者，目前國(guó)際上有德國(guó)LDT 公司、韓國(guó)三星公司、日本索尼公司和日本三菱公司開(kāi)展了激光電視的研究，日本索尼公司開(kāi)發(fā)的激光電視主要采用“直掃描”和“線(xiàn)掃描”方式，德國(guó)LDT 公司、韓國(guó)三星公司則采用“點(diǎn)掃描”方式。相干列陣的最大優(yōu)點(diǎn)是高亮度, 但是很難實(shí)現(xiàn)高功率輸出, 而非相干列陣可以作到高功率輸出。隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體激光器技術(shù)日漸成熟和產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴(kuò)大，我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)及國(guó)外企業(yè)開(kāi)始大量向我國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，我國(guó)大陸地區(qū)已經(jīng)成為半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)發(fā)展最快、潛力最大的地區(qū)。因此在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。優(yōu)化單元技術(shù)包括散熱、焊接、光束整形等保證分系統(tǒng)及整個(gè)面陣的可靠性。銅熱沉封裝時(shí)焊接界面的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致芯片變形，出現(xiàn)“smile”現(xiàn)象，嚴(yán)重影響激光器壽命。因此, 采用無(wú)鋁有源區(qū)可以提高器件的輸出功率, 并增加器件的使用壽命。2002 年6 月，國(guó)家863 正式批準(zhǔn)該項(xiàng)目并開(kāi)始研發(fā)。承擔(dān)單位所擁有的專(zhuān)利和成果覆蓋了大功率半導(dǎo)體激光器外延材料、芯片制作、器件封裝散熱技術(shù)、光束整形和光纖耦合技術(shù)、光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。其中光存儲(chǔ)銷(xiāo)售額最大，其次是檢測(cè)，第三位是激光醫(yī)療設(shè)備，第四位是激光加工設(shè)備。為了抓住顯示技術(shù)更新?lián)Q代所帶來(lái)的巨大商機(jī)，各國(guó)都在加大對(duì)激光顯示技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化力度。世界激光器市場(chǎng)可以劃分為三大區(qū)域：美國(guó)（包括北美）占55％，歐洲占22％，日本及太平洋地區(qū)占23％。在此項(xiàng)目推動(dòng)下，最近幾年大功率半導(dǎo)體激光器的研究工作獲得了顯著的進(jìn)步，功率轉(zhuǎn)換效率在逐步提高，同其他國(guó)家相差逐漸縮小。半導(dǎo)體激光器屬于新興行業(yè)，發(fā)展速度之快使得國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)顯得相對(duì)滯后，我國(guó)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展出現(xiàn)了百花爭(zhēng)鳴的現(xiàn)象，不利于產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在研發(fā)的推動(dòng)下，公司生產(chǎn)的產(chǎn)品由低功率不斷向高功率邁進(jìn)，適應(yīng)了市場(chǎng)需求，逐步占領(lǐng)了高端市場(chǎng)。發(fā)展半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)的上中游產(chǎn)業(yè)，提升產(chǎn)業(yè)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力意義重大。如美國(guó)的JDSU 、COHERENT，德國(guó)的OSRAM、西門(mén)子等。我國(guó)對(duì)激光顯示技術(shù)的關(guān)注也早已開(kāi)始，激光顯示專(zhuān)利涉及到激光器外延材料激光顯示系統(tǒng)的主要關(guān)鍵環(huán)節(jié)和核心技術(shù)，特別在共性核心技術(shù)領(lǐng)域——大色域激光光源、勻場(chǎng)消相干等取得了完整的自主創(chuàng)新知識(shí)產(chǎn)權(quán)，處于領(lǐng)先地位。我國(guó)在光學(xué)引擎、投影屏發(fā)展方面都比較迅速，急需大功率半導(dǎo)體激光器的產(chǎn)業(yè)化來(lái)推進(jìn)激光顯示技術(shù)的應(yīng)用。四十年來(lái)，激光廣泛地應(yīng)用于國(guó)防、通訊、醫(yī)療、工業(yè)應(yīng)用、出版業(yè)、科學(xué)和工程研究、環(huán)境監(jiān)測(cè)、精密測(cè)量、服務(wù)業(yè)和家庭娛樂(lè)等各個(gè)領(lǐng)域。量子阱激光二極管具有閾值電流低，輸出功率高的優(yōu)點(diǎn)，是目前市場(chǎng)應(yīng)用的主流產(chǎn)品。積極支持某浪潮某光電子有限公司半導(dǎo)體照明用外延片、管芯、器件及應(yīng)用產(chǎn)品等項(xiàng)目的建設(shè)和實(shí)施”。即重點(diǎn)研發(fā)SiC和GaN等單晶材料技術(shù)；襯底技術(shù)和單晶生產(chǎn)設(shè)備；新SiC襯底工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)；藍(lán)光外延生長(zhǎng)及管芯制作技術(shù)；大功率白光制造與封裝生產(chǎn)技術(shù)。（3）《某省半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（20082010）》指出“加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合，建立企業(yè)研發(fā)中心，提高產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力。某某光電子有限公司半導(dǎo)體激光器的產(chǎn)業(yè)化將會(huì)大大降低半導(dǎo)體激光器的價(jià)格，帶動(dòng)激光器應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展和更加廣泛的應(yīng)用。 項(xiàng)目總投資、投資構(gòu)成及資金籌措方案本項(xiàng)目總投資為1000萬(wàn)元，其中設(shè)備購(gòu)置費(fèi)用650萬(wàn)元，關(guān)鍵原材料材料等其他費(fèi)用200萬(wàn)元，預(yù)備費(fèi)用150萬(wàn)元。 高功率半導(dǎo)體激光器列陣、模組設(shè)計(jì)及可靠性研究。某省大功率半導(dǎo)體激光器工程實(shí)驗(yàn)室組建后，將集產(chǎn)、學(xué)、研各方面的優(yōu)勢(shì)，搭建一個(gè)廣闊的平臺(tái)，為我省光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供強(qiáng)大的智力支持和技術(shù)支持。3）在醫(yī)療和生命科學(xué)研究方面的應(yīng)用：Ⅰ）激光手術(shù)治療；Ⅱ）激光動(dòng)力學(xué)治療；Ⅲ）生命科學(xué)研究等。在科研方面通過(guò)和某大學(xué)的合作，成為國(guó)內(nèi)產(chǎn)學(xué)研合作的典范。公司現(xiàn)占地43畝，建筑面積5000平方米，擁有世界最大的光電子器件生產(chǎn)型MOCVD設(shè)備6臺(tái)（套），配套300多臺(tái)（套）管芯生產(chǎn)設(shè)備和測(cè)試設(shè)備，是國(guó)內(nèi)最大的發(fā)光二極管和激光二極管生產(chǎn)企業(yè)。2）在產(chǎn)業(yè)和技術(shù)方面的應(yīng)用：Ⅰ）光纖通信；Ⅱ）光盤(pán)存取；Ⅲ）光譜分析；Ⅳ）光信息處理；Ⅴ）激光微細(xì)加工；Ⅵ）激光報(bào)警器；Ⅶ）激光機(jī)打印機(jī)；Ⅷ）激光條碼掃描器；Ⅸ）抽運(yùn)固體激光器；Ⅹ）高清晰度激光電視等。某某建立某省大功率半導(dǎo)體激光器工程實(shí)驗(yàn)室，可迅速提高技術(shù)水平和產(chǎn)品檔次，促進(jìn)壯大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，對(duì)于加快推進(jìn)某省半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢(shì)地位、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整、形成國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)基地具有重要意義。 高功率半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)理論研究。項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)為某省濟(jì)南市某某光電子有限公司原廠(chǎng)區(qū)內(nèi)；建設(shè)期自2010年7月至2011年12月，共計(jì)18個(gè)月。目前國(guó)內(nèi)LD市場(chǎng)大部分被國(guó)外產(chǎn)品占據(jù)，國(guó)內(nèi)LD廠(chǎng)家只有某等少數(shù)廠(chǎng)家，其中某某半導(dǎo)體激光器占主導(dǎo)地位，年產(chǎn)LD外延片近萬(wàn)片，LD管芯2億粒，器件50萬(wàn)只，產(chǎn)品銷(xiāo)往國(guó)內(nèi)外，LD產(chǎn)品市場(chǎng)占有率居國(guó)內(nèi)第一位。國(guó)家《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2005年本)》列出了國(guó)家鼓勵(lì)發(fā)展的二十六大類(lèi)，其中包括半導(dǎo)體激光器系列。二是研發(fā)半導(dǎo)體照明“五大關(guān)鍵技術(shù)”。支持下游LED、LD半導(dǎo)體照明燈產(chǎn)業(yè)和LED背光源、顯示屏等產(chǎn)業(yè)發(fā)展。（一）半導(dǎo)體激光二極管激光二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)LD），本質(zhì)上是一個(gè)半導(dǎo)體二極管，按照PN結(jié)材料是否相同，可以把激光二極管分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)（SH）、雙異質(zhì)結(jié)（DH）和量子阱（QW）激光二極管。激光技術(shù)的發(fā)展，極大地帶動(dòng)了相關(guān)科學(xué)研究的蓬勃發(fā)展，帶來(lái)了遍及社會(huì)和經(jīng)濟(jì)生活各個(gè)領(lǐng)域的廣泛用途。其中大功率激光器是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的核心。為了抓住顯示技術(shù)更新?lián)Q代所帶來(lái)的巨大商機(jī)，各國(guó)都在加大對(duì)激光顯示技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化力度。用于激光加工、軍事、醫(yī)療等領(lǐng)域的大功率的固體激光器，德國(guó)、美國(guó)具有非常大的優(yōu)勢(shì)，配套的大功率半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)幾乎被幾個(gè)大公司壟斷。我國(guó)是世界半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)第一大國(guó)，但主要是中低端產(chǎn)品，大而不強(qiáng)。公司現(xiàn)有半導(dǎo)體激光二極管（LD）產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位，是國(guó)內(nèi)唯一一家從外延材料、管芯制作、器件及應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)的企業(yè)，LD管芯產(chǎn)銷(xiāo)量穩(wěn)居全國(guó)第一。某省大功率半導(dǎo)體激光器工程實(shí)驗(yàn)室的建設(shè)，將建立半導(dǎo)體激光器標(biāo)準(zhǔn)平臺(tái)。為了提高激光器的效率，美國(guó)國(guó)防高技術(shù)研究計(jì)劃署（DARPA ）于2003 年啟動(dòng)了超高效率半導(dǎo)體激光器光源項(xiàng)目（super high efficiency diode source ,SHEDS）,其最終目標(biāo)是將半導(dǎo)體激光器的功率轉(zhuǎn)換提升到80%以上。CS 封裝的單管激光器輸出功率最高到達(dá)了8W。而美國(guó)和歐洲由于在平板顯示領(lǐng)域落后于日本和韓國(guó)，正積極瞄準(zhǔn)新一代顯示技術(shù)——激光顯示。 倍，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)國(guó)外的增長(zhǎng)速度。同時(shí)承擔(dān)單位擁有20 多項(xiàng)有關(guān)大功率激光器的科研成果，包括“無(wú)鋁量子阱大功率激光器關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”、“大功率808nm 無(wú)鋁應(yīng)變量子阱激光器技術(shù)研究”、“Zn 擴(kuò)散窗口工藝制備大功率300mW/650nm 半導(dǎo)體激光器”等關(guān)鍵技術(shù)?！熬盼濉逼陂g，中科院研發(fā)成功了功率大、體積小的全固態(tài)激光器，中科院成都光電所與物理所等單位希望能將激光器用于新領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)多次論證，認(rèn)為能研發(fā)激光電視。與含鋁AlGaAs 材料相比, 無(wú)鋁材料具有更大的端面光學(xué)災(zāi)變損傷密度和更高的可靠性。 （1）低失配熱沉封裝熱沉材料的膨脹系數(shù)與GaAs 材料體系相差較大時(shí)，會(huì)使芯片承受較大的應(yīng)力，從而降低芯片壽命。采用高效散熱熱沉，控制熱沉溫度、保證系統(tǒng)良好的散熱。 應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展趨勢(shì) 半導(dǎo)體激光器是成熟較早、進(jìn)展較快的一類(lèi)激光器，由于它的波長(zhǎng)范圍寬，制作簡(jiǎn)單、成本低、易于大量生產(chǎn)，并且由于體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)，因此，品種發(fā)展快，應(yīng)用范圍廣，目前已超過(guò)300種。2006年我國(guó)實(shí)現(xiàn)LD產(chǎn)值為100億元，2008年應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到340億元，預(yù)計(jì)到2011年國(guó)內(nèi)LD產(chǎn)業(yè)的規(guī)模將超過(guò)800億元，成為全球重要的激光器生產(chǎn)基地。激光二極管列陣分為相干列陣和不相干列陣。國(guó)內(nèi)中科院半導(dǎo)體研究所研制的808nm大功率列陣已經(jīng)形成產(chǎn)品。在激光產(chǎn)業(yè)化方面與德國(guó)、日本、美國(guó)等西方發(fā)達(dá)國(guó)家則有很大差距，一些重要激光產(chǎn)品尚未形成規(guī)模生產(chǎn)，效益較低。本項(xiàng)目也正好是激光顯示產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵一環(huán)，此產(chǎn)業(yè)鏈的形成，將會(huì)大幅度的提升相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。采用壓應(yīng)變使得重空穴位于輕空穴之上，CHH躍遷占據(jù)優(yōu)勢(shì)。該結(jié)構(gòu)采用不對(duì)稱(chēng)的波導(dǎo)層厚度和非對(duì)稱(chēng)的限制層材料，使得光場(chǎng)向N型區(qū)偏離，減少了P型限制層中的光吸收，有利于提高激光器的光電轉(zhuǎn)換效率。 B、激光器的閾值電流、斜率效率等與其工作腔長(zhǎng)有很大的關(guān)系，只有在最佳的腔長(zhǎng)時(shí)，激光器才能工作在最優(yōu)狀態(tài)下。影響半導(dǎo)體激光器可靠性和壽命的因素有：有源區(qū)內(nèi)形成的缺陷；腔面損傷；非輻射復(fù)合與內(nèi)部吸收；電流限制結(jié)構(gòu)退化；歐姆接觸退化與焊料變質(zhì)；激光器封裝熱沉腐蝕及鈍化。研究提高激光器可靠性的方法，如減少粘污及工藝中所造成的機(jī)械損傷、高損傷閾值腔面膜技術(shù)、低阻歐姆接觸焊接技術(shù)、高效散熱技術(shù)等。為了選擇最佳的有源區(qū)，需要進(jìn)行多項(xiàng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和生長(zhǎng)工藝優(yōu)化，如材料組分、V/III比、生長(zhǎng)溫度、應(yīng)變控制與晶格匹配、量子阱的生長(zhǎng)界面及其氣體轉(zhuǎn)換（涉及界面組分突變及As、P的記憶效應(yīng)）。同時(shí)絕緣膜的低的散熱特性也是需要考慮的因素，因此需要設(shè)計(jì)并優(yōu)化介質(zhì)膜的致密性和厚度，提高器件的可靠性。在腔面膜和襯底之間引入一層過(guò)渡層,解決腔面膜附著力不好的問(wèn)題。降低熱損耗對(duì)半導(dǎo)體激光器性能的影響是提高半導(dǎo)體激光器的重要因素。調(diào)整Ga 和In的比例，控制應(yīng)變量在35％之間，此組份的變化也影響波長(zhǎng)的變化，所以必須選擇合適的應(yīng)變量并輔以阱寬調(diào)整，才能控制波長(zhǎng)在635附近。①界面轉(zhuǎn)換技術(shù)：利用MOCVD低壓生長(zhǎng)的特性，通過(guò)程序各原材料的切換設(shè)計(jì)得到良好的異質(zhì)節(jié)界面。激光器光功率密度比較大，腔面膜在高功率密度激光的作用下,由于近場(chǎng)的不均勻、局部過(guò)熱、氧化、腐蝕、介質(zhì)膜的針孔和雜質(zhì)等因素使腔面遭受損傷,增加表面態(tài)復(fù)合和光吸收,使注入電流密度增加,局部大量發(fā)熱,造成解理面局部熔融、分解,而且溫度的增加又使吸收系數(shù)加大,形成惡性循環(huán),最終導(dǎo)致災(zāi)變性的損傷,使器件完全失效。因此, 利用銦作為焊料需要選擇適當(dāng)?shù)闹竸┘昂芎玫膶?shí)際封裝操作技巧。因此, 可靠性和壽命測(cè)試的研究成為當(dāng)前器件實(shí)用化和產(chǎn)業(yè)化的重點(diǎn)之一。 （二）創(chuàng)新點(diǎn) 低閾值、高效率應(yīng)變量子阱激光器外延材料規(guī)模化生長(zhǎng)技術(shù) 低Al光限制層與無(wú)鋁有源層結(jié)合的激光器結(jié)構(gòu)。 檢驗(yàn)器件的制作工藝。項(xiàng)目組采用激光器的冷卻塊成階梯型排列，每個(gè)階梯上安放一個(gè)或兩個(gè)單管激光器，然后通過(guò)快軸和慢軸壓縮，所用的單管激光器經(jīng)過(guò)一套光束整形系統(tǒng)（包括光束重排和聚焦）后輸出。實(shí)驗(yàn)室研發(fā)人員擬通過(guò)建立高功率半導(dǎo)體激光器腔面溫度分布模型、研究半導(dǎo)體激光器解理技術(shù)、探索新型腔面鈍化新工藝（如高質(zhì)量的氮離子鈍化工藝）、高質(zhì)量半導(dǎo)體激光器腔面成膜技術(shù)的研究。高損傷閾值的半導(dǎo)體激光器腔面光學(xué)膜蒸鍍技術(shù)腔面鍍膜是大功率半導(dǎo)體激光器制備工藝中最重要的環(huán)節(jié)之一, 它需要分別在兩腔面鍍上增透膜(AR)和高反膜(HR)。 通過(guò)光偏振特性對(duì)量子阱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化技術(shù) 量子阱結(jié)構(gòu)在激光器中的應(yīng)用不但可以改善半導(dǎo)體激光器的電特性,它對(duì)半導(dǎo)體激光器的激射過(guò)程、模式行為、閾值和溫度特性起決定性作用。 半導(dǎo)體激光器的可靠性是影響器件實(shí)際應(yīng)用的決定性因素，采用真空焊接和微波等離子體技術(shù)去除激光芯片、焊料、熱沉表面的氧化層，提高焊接質(zhì)量、減少空洞率、增強(qiáng)器件壽命和可靠性，同時(shí)研究激光器失效機(jī)理、老化衰減等提高器件可靠性。同時(shí)采用電流非注入?yún)^(qū)，減少腔面附近的載流子濃度，降低表面復(fù)合電流，減少端面處的非輻射復(fù)合，降低腔面熱量的產(chǎn)生，從而提高損傷閾值。③腔面膜層結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)、鍍膜工藝的優(yōu)化。 光學(xué)限制層的優(yōu)化：優(yōu)化限制層厚度主要有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：首先能夠節(jié)省外延生長(zhǎng)時(shí)間和源材料；其次由于半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率不是很高，優(yōu)化限制層能夠有效地減少結(jié)構(gòu)的熱阻；摻雜工藝：雜質(zhì)在半導(dǎo)體材料中起著重要的作用，采取鎂摻雜代替鋅摻雜技術(shù)，降低雜質(zhì)擴(kuò)散，獲得理想的摻雜分布，可以說(shuō)，沒(méi)有精確的半導(dǎo)體外延摻雜工藝，就沒(méi)有高性能的量子阱激光器。我公司將利用MOCVD制備各種高功率半導(dǎo)體激光器材料。實(shí)踐證明，當(dāng)溫度升高以后，器件劣化的物理化學(xué)反應(yīng)加快，失效過(guò)程加速，而Arrhneuis模型總結(jié)了由溫度應(yīng)力決定的化學(xué)反應(yīng)速度依賴(lài)關(guān)系的規(guī)律性