【正文】 如果加密位LB1被編程,復(fù)位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。對Flash存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。作輸入口使用時,被外部信號拉低的P3口將用上拉電阻輸出電流(I)。作輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(I)。掉電模式凍結(jié)振蕩器而保存RAM的數(shù)據(jù)，停止芯片其它功能直至外中斷激活或硬件復(fù)位。 復(fù)制暫存器 48H 將RAM中第3 、4字節(jié)的內(nèi)容復(fù)制到EEPROM中。 搜索 ROM 0FOH用于確定掛接在同一總線上 DS1820 的個數(shù)和識別 64 位 ROM 地址。 　　（2）延時2微秒。 DS18B20的寫操作 　?。?） 數(shù)據(jù)線先置低電平“0”。 DS18B20的初始化 　?。?） 先將數(shù)據(jù)線置高電平“1”。當(dāng)工作于寄生電源時，此引腳必須接地。例如+125℃的數(shù)字輸出為07D0H，+℃的數(shù)字輸出為0191H，℃的數(shù)字輸出為FF6FH，55℃的數(shù)字輸出為FC90H。圖3中的斜率累加器用于補償和修正測溫過程中的非線性，其輸出用于修正計數(shù)器1的預(yù)置值。本文利用單片機結(jié)合傳感器技術(shù)開發(fā)設(shè)計，把傳感器理論與單片機實際應(yīng)用有機結(jié)合，詳細地講述了利用溫度傳感器DS18B20測量環(huán)境溫度，設(shè)置上下報警溫度，當(dāng)溫度不在設(shè)置范圍內(nèi)是，可以報警。 DS18B20測溫原理如圖3所示。 DS18B20有4個主要的數(shù)據(jù)部件： （1）光刻ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。在DS18B20出廠時該位被設(shè)置為0，用戶不要去改動。DS18B20有嚴(yán)格的通信協(xié)議來保證各位數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性和完整性。 　?。?） 數(shù)據(jù)線拉到高電平“1”。 　?。?） 延時時間為45微秒。 　?。?）將數(shù)據(jù)線拉高“1”。適用于單片工作。寄生供電時DS1820發(fā)送“ 0 ”，外接電源供電 DS1820發(fā)送“ 1 ”。對端口寫“1”時，被定義為高阻輸入。作輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(I)。WDT溢出將使該引腳輸出高電平,設(shè)置SFR AUXR的DISRTO位(地址8EH)可打開或關(guān)閉該功能。此外,該引腳會被微弱拉高,單片機執(zhí)行外部程序時,應(yīng)設(shè)置ALE無效。符號位和耗電量位公用的存放單元 TEMP2 EQU 5BH 。循環(huán)INT:L0: SETB P3. 6 。存在低脈沖保持60US240US 。送入溫度轉(zhuǎn)換命令 LCALL WRITE NOP LCALL DELAY LCALL INT 。求反 INC A 。把小數(shù)結(jié)果保存在TEMP7中 MOV A,TEMP4 。暫時保存于R5中 MOV A,TEMP8 。取出十位 CJNE A,00H,NEXT MOV TEMP2,0CH 。把小數(shù)結(jié)果保存在TEMP7中 MOV A,TEMP4 。整數(shù)部分存到TEMP6中 LCALL HBCD 。先釋放總線 MOV R4,8 RRC A 。保持低電平015US SETB 。將十位存到TEMP2 MOV TEMP1,A 。取個位 MOVC A,A+DPTR ANL A,7FH 。在進行程序設(shè)計時，首先需要對單片機應(yīng)用系統(tǒng)預(yù)先完成的任務(wù)進入深入的分析，明確系統(tǒng)的設(shè)計任務(wù)、功能要求、技術(shù)指標(biāo)。感謝老師，感謝我們的組員。在仿真過程中我們的問題是無法正常顯示數(shù)字，通過老師指導(dǎo)，我們發(fā)現(xiàn)了編程中的問題以及電路圖中數(shù)碼管連接問題并改正。循環(huán)顯示 DJNZ R0,DP1 RETDELAY100: MOV R7,80 。顯示在數(shù)碼管上 SETB 。持續(xù)60US RRC A 。 MOV R4 ,20 DJNZ R4,$ DJNZ R3,WR1 SETB RETREAD: MOV R6,8RE1: SETB 。為0則不顯 MOV A,TEMP2 。取出溫度的高字節(jié) ANL A,0FH 。調(diào)用乘以625子程序 LCALL HB2 。合并成溫度的整數(shù)部分 MOV TEMP6,A 。不為則直接將溫度的高字節(jié)取反 SJMP YYXX: MOV A,TEMP5 。調(diào)用乘以625子程序 LCALL HB2 。讀出溫度的低字節(jié)存在TEMP4 LCALL READ MOV TEMP5,A 。設(shè)置工作寄存器當(dāng)前所在的區(qū)域 CLR EA 。保持低電平的時間至少為480US SETB 。調(diào)用DS18B20初始化函數(shù)MAIN1: LCALL GETTEMP 。欲使CPU僅訪問外部程序存儲器（地址為0000HFFFFH），EA端必須保持低電平(接地)。值得注意的是:每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個ALE脈沖。對P3口寫“1”時,它們被內(nèi)部的上拉電阻拉高并可作為輸入端口。對端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作輸入口。此外，AT89S51可降至0Hz的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式,空閑模式，CPU暫停工作，而RAM、定時/計數(shù)器、串行通信口、外中斷系統(tǒng)可繼續(xù)工作。 讀暫存器 0BEH 讀內(nèi)部RAM中9字節(jié)的內(nèi)容 寫暫存器 4EH 發(fā)出向內(nèi)部RAM的4字節(jié)寫上、下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟該命令之后，是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù)。 ROM指令表 　　 指 令 約定代碼功 能讀ROM33H讀DS1820溫度傳感器ROM中的編碼（即64位地址） 符合 ROM 55H發(fā)出此命令之后，接著發(fā)出 64 位 ROM 編碼，訪問單總線上與該編碼相對應(yīng)的 DS1820 使之作出響應(yīng)，為下一步對該 DS1820 的讀寫作準(zhǔn)備。 DS18B20的讀操作 　?。?）將數(shù)據(jù)線拉高“1”。 　　（8） 將數(shù)據(jù)線再次拉高到高電