張永林第二版光電子技術(shù)課后習(xí)題答案-文庫吧在線文庫
【正文】 散較大。，Sk=20μA/lm，倍增極有11級。 MTF：能客觀地表示器件對不同空間頻率目標(biāo)的傳遞能力。當(dāng)表面存在勢阱時(shí)，如果有信號(hào)電子（電荷）來到勢阱及其鄰近，它們便可以聚集在表面。每相隔兩個(gè)柵的柵電極連接到同一驅(qū)動(dòng)信號(hào)上，亦稱時(shí)鐘脈沖。t4時(shí)刻，φ2為高電位，φφ3為低電位，φ2下面的勢阱最深，信號(hào)電荷都被轉(zhuǎn)移到φ2下面的勢阱中，這與t1時(shí)刻的情況相似，但電荷包向右移動(dòng)了一個(gè)電極的位置。在φ3為高電位期間，電荷包存儲(chǔ)在φ3電極下面。 CCD驅(qū)動(dòng)脈沖工作頻率的上、下限受哪些條件限制，應(yīng)該如何估算？、φSH、RS起什么作用？它們之間的位相關(guān)系如何？為什么？ 2：驅(qū)動(dòng)脈沖驅(qū)動(dòng)脈沖2，將模擬寄存器中的信號(hào)電荷定向轉(zhuǎn)移到輸出端形成序列脈沖輸出。？ 存儲(chǔ)密度高。⑶可擦重寫光盤（rewrite,RW） 用戶除了可在這種光盤上寫入、讀出信息外，還可以將已經(jīng)記錄在盤上的信息擦除掉，然后再寫入新的信息；但擦與寫需要兩束激光、兩次動(dòng)作才能完成。⑴信息的記錄 對應(yīng)介質(zhì)從晶態(tài)C向玻璃態(tài)G的轉(zhuǎn)變。、寫、擦原理。反之，若光掃描到磁化方向向下的微斑，反射光的偏振方向則左旋一個(gè)，以－表示。①由于LCD器件厚度僅數(shù)毫米，所以非常適于便攜式電子裝置的顯示。④剛性結(jié)構(gòu)，耐震動(dòng)，機(jī)械強(qiáng)度高，壽命長。脈沖寬度調(diào)制（PWM）技術(shù)允許10比特灰度等級再現(xiàn)。性價(jià)比較好。在紛雜的塵世里，為自己留下一片純靜的心靈空間，不管是潮起潮落，也不管是陰晴圓缺，你都可以免去浮躁，義無反顧，勇往直前，輕松自如地走好人生路上的每一步3. 花一些時(shí)間，總會(huì)看清一些事。只有你自己才能把歲月描畫成一幅難以忘懷的人生畫卷。努力過后，才知道許多事情，堅(jiān)持堅(jiān)持，就過來了。DMD填充因子大于90%，稱為“無縫圖像”。單片式：用三個(gè)DMD裝置。 DMD是帶有集成微鏡部件的微電子機(jī)械光調(diào)制器，由百萬個(gè)方形微鏡組成二維陣列。？ ①等離子體顯示為自發(fā)光型顯示，發(fā)光效率與亮度較高，視角大。的旋光。當(dāng)介質(zhì)微斑溫度高于時(shí)，該區(qū)的矯頑力很快下降至極小值。在寫入信息前，用一定強(qiáng)度的磁場對介質(zhì)進(jìn)行初始磁化，使各磁疇單元具有相同的磁化方向。在讀出過程中，介質(zhì)的相結(jié)構(gòu)保持不變。、寫、擦原理。信息位價(jià)格低。，指出變像管和圖像增強(qiáng)器的主要區(qū)別。此時(shí)FD區(qū)（即A點(diǎn)）的電位變化量為：式中，QFD是信號(hào)電荷包的大小，C是與FD區(qū)有關(guān)的總電容（包括輸出管T的輸入電容、分布電容等）。其中“浮置擴(kuò)散輸出”結(jié)構(gòu)應(yīng)用最廣泛。假設(shè)此時(shí)已有信號(hào)電荷（電子）注入，則電荷就被存儲(chǔ)在φ1電極下的勢阱中。耗盡層及其鄰近區(qū)域在一定溫度下產(chǎn)生的電子將逐漸填滿勢阱，這種熱產(chǎn)生的少數(shù)載流子電流叫作暗電流，以有別于光照下產(chǎn)生的載流子。以表面溝道CCD為例，簡述CCD電荷存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移、輸出的基本原理。光學(xué)圖像投射到光電陰極上，產(chǎn)生相應(yīng)的光電子發(fā)射，在加速電場和聚焦線圈所產(chǎn)生的磁場 共同作用下打到靶上，在靶的掃描面形成與圖像對應(yīng)的電位分布最后，通過電子束掃描把電 位圖像讀出，形成視頻信號(hào)，——極限分辨率、調(diào)制傳遞函數(shù)和惰性是如何定義的？ 分辨率表示能夠分辨圖像中明暗細(xì)節(jié)的能力。微通道板式：尺寸大為縮小，電子渡越時(shí)間很短，響應(yīng)速度極快，抗磁場干擾能力強(qiáng)，線性好。2）光電陰極電子受光子激發(fā)，離開表面發(fā)射到真空中。已知條件：光電晶體管3DU15的S=1μA/lx，繼電器K的吸合電流為10mA。由于PIN管耗盡層變寬，這就相當(dāng)于增大了結(jié)電容之間的距離，使結(jié)電容變小，而且耗盡層的厚度隨反向電壓的增加而加寬，因而結(jié)電容隨著外加反向偏壓的增大而變得更小。PIN管的頻率特性為什么比普通光電二極管好？ 工作原理：PIN管加反向電壓時(shí)，勢壘變寬，在整個(gè)本征區(qū)展開，耗盡層寬度基本上是I區(qū)的寬度，光照到I層，激發(fā)光生電子空穴時(shí)，在內(nèi)建電場和反向電場作用下，空穴向P區(qū)移動(dòng)，電子向N區(qū)移動(dòng)，形成光生電流，通過負(fù)載，在外電路形成電流。于是在P區(qū)和N區(qū)之間產(chǎn)生了電勢，成為光生電動(dòng)勢。，有光照時(shí)電阻為50歐姆，無光照時(shí)電阻為5000歐姆，求該樣品的光電導(dǎo)。 ，求照度L2下的開路電壓U 。（光照特性）有哪兩種情況？每種特性的器件各自的用途是什么？ 當(dāng)光電器件上的電壓一定時(shí)，光電流與入射于光電器件上的光通量的關(guān)系I=F( Ф) 稱為光電特性，光電流與光電器件上光照度的關(guān)系I=F(L) 稱為光照特性。光電效應(yīng)又分為外光電效應(yīng)（如光電發(fā)射效應(yīng)）和內(nèi)光電效應(yīng)（如光電導(dǎo)效應(yīng)和光伏效應(yīng)）。布拉格衍射是在超聲波頻率較高，聲光作用區(qū)較長，光線與超聲波波面有一定角度斜入射時(shí)發(fā)生的。若在KDP晶體上加調(diào)制電壓U=Um ，U在線性區(qū)內(nèi)，請寫出輸出光通量的表達(dá)式。教材P8？有哪些調(diào)制的方法？它們有什么特點(diǎn)和應(yīng)用？ 光輻射的調(diào)制是用數(shù)字或模擬信號(hào)改變光波波形的幅度、頻率或相位的過程。該激光束的平面發(fā)散角為1mrad,激光器的放電毛細(xì)管為1mm。.. .. .. ..、頻率和光子的能量范圍分別是多少？ 波長：380~780nm 400~760nm 頻率：385T~790THz 400T~750THz 能量：~？為什么量子流速率的計(jì)算公式中不能出現(xiàn)光度量？ 為了定量分析光與物質(zhì)相互作用所產(chǎn)生的光電效應(yīng)，分析光電敏感器件的光電特性，以及用
研究報(bào)告相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1