【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【摘要】1模擬電子技術(shù)習(xí)題答案電工電子教學(xué)部2第一章緒論一、填空題:1.自然界的各種物理量必須首先經(jīng)過傳感器將非電量轉(zhuǎn)換為電量,即電信號。2.信號在頻域中表示的圖形或曲線稱為信號的頻譜。3.通過傅立葉變換可
2025-10-29 06:22
【摘要】專業(yè)資料分享《汽車電工電子技術(shù)》試題(1)一單項(xiàng)選擇(每小題2分,共30分)1直流電的文字符號為()AACBVCCDC2電流的方向規(guī)定為()移動的方向A負(fù)電荷
2025-06-25 05:46
【摘要】《汽車電工電子技術(shù)》試題(1)一單項(xiàng)選擇(每小題2分,共30分)1直流電的文字符號為()AACBVCCDC2電流的方向規(guī)定為()移動的方向A負(fù)電荷B負(fù)離子C正電荷3電阻串聯(lián)后總電阻()A增大
2025-06-05 21:36
【摘要】系別專業(yè)(班級)姓名學(xué)號………………………密……………………封…………………………裝…………………訂………………………線………………………數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)期末考試試卷課程名稱數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)
2025-06-22 15:04
【摘要】電力電子技術(shù)試題1、請在空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動功率
2025-10-29 18:17
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM存儲
2025-06-24 06:56
【摘要】模擬電子技術(shù)試卷1答案及評分標(biāo)準(zhǔn)一、判斷題(每題1分,共10分)1.半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一類物質(zhì)。(??對??)2.三極管共集電極電路的發(fā)射極電阻Re可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)。(??對)3.結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其RGS大的特點(diǎn)。(對?)
2025-06-24 23:32
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(導(dǎo)通),反偏時(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時,結(jié)電阻
2025-06-23 22:48
2025-07-25 21:40
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(導(dǎo)通),反偏時(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時,結(jié)電阻為
2025-05-31 18:04
【摘要】班級學(xué)號姓名密封裝訂線密封裝訂線密封裝訂線2013-2014學(xué)年第(2)學(xué)期期中考試答
【摘要】電力電子技術(shù)模擬試卷四(考試時間 150分鐘)一、填空題(每小題1分,共14分)1.1.???三相半波可控整流電路中的三個晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差__________。2.2.???功率集成電路PIC分為二大類,一類是高壓集成電路,另一類是________________。3.3.?
2025-03-25 06:07
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管在使用時,穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-03-26 01:56
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散
2025-10-20 08:43