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第1章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用習(xí)題解答xx-文庫(kù)吧在線(xiàn)文庫(kù)

  

【正文】 體中載流子的形成、載流子的濃度與溫度的關(guān)系以及PN結(jié)的形成過(guò)程。N型半導(dǎo)體呈電中性。2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)具有單向?qū)щ娦?。?dāng)PN結(jié)正向偏置時(shí),擴(kuò)散電容CD起主要作用,當(dāng)PN結(jié)反向偏置時(shí),勢(shì)壘電容CB起主要作用。當(dāng)溫度每升高10 oC左右時(shí),反向飽和電流將加倍。6.半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用(1) 限幅:利用二極管的單向?qū)щ娦詫⑤敵鲂盘?hào)幅度限定在一定的范圍內(nèi),亦即當(dāng)輸入電壓超過(guò)或低于某一參考值后,輸出電壓將被限制在某一電平(稱(chēng)作限幅電平),且再不隨輸入電壓變化。光電二極管:將光能轉(zhuǎn)換成電能,它的反向電流與光照強(qiáng)度成正比。( )【】: 1. 2.√ 3. 4. √ 5.√ 選擇填空1. N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是 A ;P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是 B 。 A.增大 B.減小 C.基本不變9. 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 C 狀態(tài)。 圖(a)二極管VD導(dǎo)通,UO=5V 圖(b) 二極管VD導(dǎo)通,UO= 7V 圖169。在(b)圖所示電路中,當(dāng)二極管斷開(kāi)時(shí),二極管兩端的電壓UVD=ui。(c)1所示,(c)2所示。 【】:(1)由于,穩(wěn)壓管處于穩(wěn)壓狀態(tài)。將VD1鉗制在截止?fàn)顟B(tài)。將VD2鉗制在截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)UVD0,即ui5V時(shí),二極管導(dǎo)通,輸出電壓uo=5V;當(dāng)UVD163。(b)1所示,(b)2所示。當(dāng)VDVD2均導(dǎo)通時(shí),由此可得,VD1導(dǎo)通的條件是:ui4V;VD2導(dǎo)通的條件是:ui8V。 【】:只有直流電壓作用時(shí),電容C開(kāi)路,流過(guò)二極管的電流為mA,由此可估算出二極管VD的動(dòng)態(tài)電阻為:在進(jìn)行交流分析時(shí),令直流電壓和電容短路,二極管用交流等效電阻rd代替,此時(shí)。⑵ 同理,電路應(yīng)滿(mǎn)足,得允許負(fù)載電流的變化范圍。⑵ 若輸入電壓UI=35V時(shí)負(fù)載開(kāi)路,則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么? 【】:⑴ 根據(jù)題意可知流過(guò)穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流當(dāng)UI=12V時(shí),穩(wěn)壓管未擊穿。((b)所示,(c)所示。3V時(shí),VDVD1都截止,輸出電壓uo=ui。 在(b)圖所示電路中,當(dāng)二極管斷開(kāi)時(shí),二極管VD1兩端的電壓UVD1=ui,VD2兩端的電壓UVD2=ui3V。流過(guò)二極管VD1和VD2的電流。 【】:(1)二極管VD1和VD2均處于零偏狀態(tài),所以都截止?!尽浚海?)二極管VD1和VD2均承受正向電壓,且正向電壓相等,都導(dǎo)通。(b)1所示,(b)2所示。當(dāng)UVD179。 ,設(shè)二極管的性能理想。 A.從P區(qū)到N區(qū) B.從N區(qū)到P區(qū)5. 當(dāng)PN結(jié)未加外部電壓時(shí),擴(kuò)散電流 C 飄移電流。( )2. 溫度升高后,本征半導(dǎo)體內(nèi)自由電子和空穴數(shù)目都增多,且增量相等。當(dāng)反向電壓達(dá)到擊穿電壓UZ后,流過(guò)管子的反向電流會(huì)急劇增加,即使通過(guò)穩(wěn)壓管的反向電流在較大范圍內(nèi)變化,管子兩端的反向擊穿電壓幾乎不變,表現(xiàn)出很好的穩(wěn)壓特性。當(dāng)外加正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通,正向壓降uD為零,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合;當(dāng)外加反向電壓時(shí),二極管截止,反向電流iR為零,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。它的伏安特性與PN結(jié)的伏安特性基本相同,但又有一定的差別。(2) 反向特性 的部分稱(chēng)為反向特性,如滿(mǎn)足,則,反向電流與反向電壓的大小基本無(wú)關(guān)。在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多子濃度主要取決于摻入雜質(zhì)的濃度,摻入雜質(zhì)越多,多子濃度就越大。本征半導(dǎo)體中有兩種
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