集成電路版圖設(shè)計(jì)教程-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 1 版圖 2 版圖 1特點(diǎn) :多晶柵豎直排列 ,MOS管源區(qū)面積小 ,因而反相器面積也小。 (5) 或與非門（ OAI) 電路圖 版圖 提示 ：對(duì)比 AOI和 OAI電路圖和版圖的區(qū)別和畫法，鞏固和熟練掌握 CMOS復(fù)聯(lián)電路版圖的畫法。兩個(gè)反相器共源，它們的交叉連接和襯底連接都用金屬 1，兩條位線也用金屬 1作為連線。 3） CP多晶放在 Vdd線下， CPb多晶沿 Vss水平布線，在中央部位，這兩條多晶都從有源區(qū)的空隙分別延伸到 Vdd和 Vss線附近，與傳輸門器件的柵級(jí)連接。這四個(gè) MOS管的源已經(jīng)連接到 Metal1導(dǎo)線，為了避免和 Metal1交叉短路 , M3和 M4的漏極要用 Metal2連接。 最后完成的版圖，放大器的 2個(gè)輸入從左邊進(jìn)入， 2個(gè)輸出從上方送出。 P管制作在 N阱中，用 N阱接觸包圍整個(gè)器件，并且將電源線和接觸合并為一條金屬線。主觸發(fā)器采用鐘控或非門，節(jié)省一根金屬連線。 (2) CMOS RAM陣列 CMOS SRAM 4 4陣列 特點(diǎn) ：存儲(chǔ)單元排成陣列時(shí)，列的方向只要求相鄰單元位線的間距符合設(shè)計(jì)規(guī)則；行的
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