sic材料的特性及應(yīng)用-文庫吧在線文庫
【正文】 技術(shù)難點有待克服，其中最重要的繼續(xù)改善晶體生長工藝、降低成本、提高材料質(zhì)量、減少缺陷密度和改善上層摻雜以及獲得厚度可控的大面積晶片。 Comparison of Si and SiC devices under similar conditions 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管中高的注入效率 LED中發(fā)射藍光 (商業(yè)應(yīng)用 ) 寬帶隙 激光二極管 抗輻射器件 超低漏電流器件 晶格失配低 GaN、 AlN的最理想的襯底材料 SiC器件的應(yīng)用領(lǐng)域： 高壓大功率開關(guān)二極管，可控硅 電力電子器件 IC高密度封裝 空間應(yīng)用的大功率器件 高擊穿電場 高的熱導(dǎo)率 良好散熱的大功率器件 高的器件集成度 SiC材料的制備方法 Ⅰ .SiC Substrate Crystal Growth 無論 Lely法還是改良的 Lely法生長的單晶幾乎都是六方結(jié)構(gòu)的 4H、 6HSiC，而立方 SiC中載流子遷移率較高，更適合于研制微電子器件，但至今尚無商用的 3CSiC體單晶，另外， SiC體單晶在高溫下 (2200176。K) SiC與 Si和 GaAs的有關(guān)參數(shù)的對比 SiC的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導(dǎo)體器件的優(yōu)選材料，用于地面核反應(yīng)堆系統(tǒng)的監(jiān)控、原油勘探、環(huán)境檢測及航空、航天、雷達、通訊系統(tǒng)及汽車馬達等領(lǐng)域的極端環(huán)境中。C
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