應用與45nmcmos的具有數(shù)字調(diào)制功能的全差分集成開關(guān)電容dc-dc轉(zhuǎn)換器論文翻譯-文庫吧在線文庫
【正文】 的能量被丟失的歐姆損失沿開關(guān)。 電荷轉(zhuǎn)移電容在哪里用，是電荷傳遞到負載每個開關(guān)周期的交錯結(jié)構(gòu)的 onebank，是當前在負載電壓的交付。雖然這種方法控制在一定的數(shù)字系統(tǒng)是有用的，無線的應用在數(shù)字負載提供關(guān)鍵的共同存在模擬 /RF塊不能處理的不受控制的音調(diào)，蓋較寬的頻率范圍內(nèi)。這兩種效應導致在低負載的效率下降。電荷轉(zhuǎn)移電容被分成 5個不同的尺寸 8倍，4倍， 2倍的 庫存 ， 1X和 1X，細。電荷轉(zhuǎn)移在這家 庫存 進一步細分為三個電容的電容價值，和。的反饋電壓與負載電壓得到使用電阻分壓網(wǎng)絡(luò)，數(shù)字控制由 3位參考信號 0:2。在此之后，添加 /子塊適當修改＜ 0比 3， 0:1信號控制量的電荷轉(zhuǎn)移電容訂婚。只有在這種模式 0:3 改變 4粗 2細比特位 ， 0:1設(shè)置為 ―11‖，并調(diào)節(jié)電容器的步長。 p3比較參考電壓產(chǎn)生的片上，設(shè)計為 100毫伏低于所需的。由于開關(guān)損耗極小的功率取決于開關(guān)頻率的轉(zhuǎn)換器在銀行，和最低的電容轉(zhuǎn)換器允許操作。這可以從（ 4）的地方固定電容和頻率意味著需要 增加為減小。同時，閾值負載電流時，切換到 PFM模式可以很容易地設(shè)定最低允許通過改變電容器組的狀態(tài)。通 過使用電容器用聚 N阱電容器，具有最高的密度使用過程。這與最大電容可用立即可防止負載電壓下垂太低。當參考電壓被轉(zhuǎn)換到 ―000‖，比較器 p3使 coarse_en信號走高，轉(zhuǎn)換器立即切換到粗模式可以通過對精 /粗信號過渡看到。同時提供一個電壓接近 1 V，該轉(zhuǎn)換器提供了 %的總效率?？刂拼a模式有助于保持在負載電流恒定的范圍廣泛的效率。轉(zhuǎn)換器總的芯片面積占 1V電源具有效率高當負載電流69%之間的 100和 8毫安。 第八 、 結(jié)論 本文提出了一個完全集成的開關(guān)電容器 DCDC變換器作為一種替代的片上穩(wěn)壓器在 45納米數(shù)字 CMOS技術(shù)。同時，在貢獻下降 底板的損失是一致的（ 3）。當電壓開始作業(yè)后再次上升，自動轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換到控制好的方式。 圖 10顯示測量的瞬態(tài)響應波形轉(zhuǎn)換器的參考電壓是變化的時。當負載電流為 270一，由于它的低值，變頻器自動運行在與 PFM調(diào)制控制精細模式和輸出電壓調(diào)節(jié)到 1 transitionoccurs，比較器 p3有下垂的負載電壓使 coarse_en信號走高。圖 8顯示了模具的照片測試芯片。如果這個數(shù)字超過 certainthreshold，邏輯塊變換模式切換到 PFM。因此，不可預知的開關(guān)與PFM控制相關(guān)的噪聲可以被容忍的。出現(xiàn)這種情況的轉(zhuǎn)換器過渡到操作 PFM 模式如下描述部分。粗到細的過渡也可以當所有的 4coarse 模式位是零和一的發(fā)生go_down 信號發(fā)生。該信號源在邏輯塊的變換器轉(zhuǎn)變成粗模式。 2時鐘比較器 COMP1，p2幫助保持監(jiān)管的產(chǎn)生 go_down或 go_up信號。 五、建筑 圖 5顯示的開關(guān)電容結(jié)構(gòu) DCDC變換器。作為電荷的大小改變各 庫存 轉(zhuǎn)移電容，所以做寬度開關(guān)，使得每一個 庫存 也有類似的充電 /放電倍。這個方案的優(yōu)點是，寬度的電荷轉(zhuǎn)移開關(guān)可以進行規(guī)模為電容表。另一種方法是使用分段開關(guān)寬度 [11]改變控制開關(guān)的大小，作為負載電流的變化。在這里，電荷傳遞到負載僅在需要的時候根據(jù)負載電流。作為一個結(jié)果，每個周期的能量損失由于底板寄生可由下式給出 (13) 本文結(jié)合開關(guān)的電荷轉(zhuǎn)移能量損失每個周期的開關(guān)與控制損失保持輸出電壓調(diào)節(jié)值帶來的效率進一步下降。在這里開關(guān)的大小足以使電容器電壓接近其最終價值解決。然而，在 45納米技術(shù)，開關(guān) 頻率可顯著增加總面積減少基礎(chǔ)的解決方案，而不損害效率的電容器。 第二個要求可以通過完成選擇合適的電感和電容器之間的切換監(jiān)管機構(gòu)。因此，該轉(zhuǎn)換器本身固有的開關(guān)噪聲占主導地位總開關(guān)噪聲在輸入和輸出雙方的轉(zhuǎn)換器，而不是任何負載電流引起的步驟 通過負載電路的作用。然而，該取得了顯著降低儲蓄。第二個因素是，數(shù)字電源 包含很多不可預知的噪音，不是鎮(zhèn)壓容易使用的片上電容的線性穩(wěn)壓器。這消除了可靠性問題與接口的低壓 SOC直接與鋰離子電壓等級。 Y. K. ramadass與麻省理工學院，劍橋，馬 02139美國。使 用 30MHz 的開關(guān)頻制，而不是傳統(tǒng)的金屬烤瓷冠和 PWM 控制方法，以保持對負荷的調(diào)節(jié)電流的變化。首先，大的外部無源元件（電感器和電容器）所要求的這些類型的監(jiān)管使用其中的幾個，在 SOC的成本 /大小望而卻步的策略。擴展數(shù)字處理功能驅(qū)動 IC產(chǎn)業(yè)走向徹底縮小到納米硅制造技術(shù)隨著降低電源分訴這個水平縮放允許非常密集的數(shù)字實現(xiàn)的最小功率消耗。本文提出了一種
畢業(yè)設(shè)計相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1