【摘要】光學諧振腔的衍射理論對稱共焦腔內(nèi)外的光場分布高斯光束的傳播特性1引言前兩章由發(fā)光的物理基礎出發(fā),討論了激光產(chǎn)生的工作原理、在激光諧振腔中受激輻射大于自發(fā)輻射而導致光的受激輻射放大的過程和條件;為研究激光的輸出特性(從激光諧振腔中傳播到腔外的光束的強度與相位的大小與分布)建立了基礎。激光器作為光源與普通光源的主要區(qū)別:激光器有一
2025-01-21 23:10
【摘要】完美WORD格式資料IPG激光器接口說明目錄1XP1接口 2外部輸入信號: 2 32XP2接口 4輸入信號 43XP4接口 5P1、P2模擬量輸入,模擬量電壓0到1
2025-04-07 04:49
【摘要】半導體激光器常用參數(shù)的測定一實驗目的:掌握半導體激光器常用的電學參數(shù)及其測試方法一實驗基本原理1、普通光源的發(fā)光——受激吸收和自發(fā)輻射普通常見光源的發(fā)光(如電燈、火焰、太陽等地發(fā)光)是由于物質(zhì)在受到外來能量(如光能、電能、熱能等)作用時,原子中的電子就會吸收外來能量而從低能級躍遷到高能級,即原子被激發(fā)。激發(fā)的過程是一個“受激吸收”過程。處在高能級(E2)的電子壽命很短(一般
2025-06-23 23:24
【摘要】激光原理與技術課程設計課題名稱:固體激光器光路設計與計算專業(yè)班級:2011級光信息學生學號:**********學生姓名:
2025-06-24 01:50
【摘要】東北石油大學課程設計2020年3月9日課程光電子技術基礎題目穩(wěn)頻激光器的設計院系
2024-11-08 06:45
【摘要】實驗一半導體激光器系列實驗懷化學院物理與電子工程系一、實驗設備介紹1.實驗儀器序號名稱規(guī)格1半導體激光器及可調(diào)電源中心波長650nm,<5mW,電流0~40mA連續(xù)可調(diào)2WGD-6光學多道分析器光柵600L/mm,f=3可旋轉偏振片最小刻度值1°4旋轉臺0°~360&
2025-04-17 00:34
【摘要】上節(jié)課回顧:1、增益譜及閾值增益;2、半導體激光器中的波導結構及光場限制機制;3、半導體激光器中的光場模式半導體激光器典型測試曲線01020304050607001020304050600.00.10.20.30.40.
2025-08-15 23:40
【摘要】Littrow結構光柵外腔半導體激光器—宋紅芳一、半導體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理二、激光二極管產(chǎn)生激光的特點三、外腔結構四、機械設計五、電流控制—恒流源六、溫度控制一、半導體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理1、組成增益介質(zhì):半導體
2025-05-01 02:10
【摘要】題目:半導體激光器的發(fā)展與應用學院:理專業(yè):光姓名:劉半導體激光器的發(fā)展與應用摘要:激光技術自1960年面世以來便得到了飛速發(fā)展,作為激光技術中最關鍵的器件激光器的種類層出不窮,這其中發(fā)展最為迅速,應用作為廣泛的便是半導體激
2025-06-16 14:50
【摘要】優(yōu)秀畢業(yè)設計半導體激光器的溫控電路分析摘要半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是通過一定的激勵方式,在半導體物質(zhì)的能帶(導帶與價帶)之間,或者半導體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級之間,實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉,當處于粒子數(shù)反轉狀態(tài)的大量電子與空穴復合時,便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。本文首先闡述了半導體激光器的基本結構,通常激光器都是由三部
2025-06-24 19:35
【摘要】IPG激光器開啟外控模式IPG激光器開啟外控模式YLR有屏版:注:開啟外控模式請先注意激光器是否出光。(1)、點擊IPG顯示屏的INT;(2)、選擇Modulation,將其更改為OFF;(3)、外控模式已開啟,點擊QCW欄,進行功率選擇,選擇完畢請點擊set;(4)、功率選擇完畢,可以開始出光,打開start按鈕;(
2025-06-16 07:55
【摘要】畢業(yè)設計/論文外文文獻翻譯院系信息科學與技術系專業(yè)班級光信息科學與技術0803班姓名黎君原文出處Integrato
2025-05-12 10:00
【摘要】高功率全固態(tài)激光器及其關鍵技術研究院系:信息科學與技術系專業(yè):光信0802姓名:鄒雅琴指導老師:?一、研究的目的及意義?二、研究的主要內(nèi)容?三、研究方法?四、實施計劃一、課題研究的目的及意義?近年來,隨著半導體激光技術的日臻完善和半導體激光器件性能的大幅增長。高功率全固態(tài)激光
2025-01-18 20:01
【摘要】1引言GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,并與SiC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的()。在大氣壓力下,GaN晶體
2025-05-13 22:26
【摘要】摘要固體激光器具有許多突出的優(yōu)點,它是當前獲得應用最廣泛的激光器之一。本文首先系統(tǒng)地闡述了固體激光器的起源、基本結構和工作原理;列舉了幾種典型的固體激光器,并通過相互比較總結出了固體激光器的優(yōu)缺點;然后對固體激光器在工業(yè)加工、軍事領域和生物醫(yī)學等三個方面的應用進行了介紹;最后分析了固體激光器的發(fā)展方向
2025-06-26 10:12