【正文】 ，是真正的自己學(xué)習(xí)的過程和研究的過程，沒有學(xué)習(xí)就不可能有研究的能力，沒有自己的研究，就不會有所突破，那也就不叫論文了。 } void SYSCLK_Init (void) { int i。 WDTCN = 0xad。 P3MDOUT|=0xff。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_5 =ACC^5。//等待約 20us return。139。 } void write_1(void) { DQ=0。 DQ=1。i8。//維持 1us DQ=1。 unsigned char Read_Byte=0。//實現(xiàn) lsb 到 msb 位順序讀出到一個字節(jié) } return(Read_Byte)。//溫度的正負符號 unsigned int Absolute_Temperature=0x00。 DS18B20_PRESENCE()。 Command=0xcc。 ACC_3=Temperature_Low^7。 ACC_2=Temperature_Low^6。 } } } 29 致 謝 在民族大學(xué)的四年生活即將畫上句號，而對于我來說卻是人生 的起航，我將面對全新的生活環(huán)境，有挑戰(zhàn)也有機遇。歷經(jīng)了這么久的努力，緊張而又充實的畢業(yè)設(shè)計終要落下帷幕。通過這次畢業(yè)設(shè)計，我才明白學(xué)習(xí)是一個長期積累的過程，在以后的工作、生活中都應(yīng)該不斷的學(xué)習(xí)，努力提高自己知識和綜合素質(zhì)。遇到困難，我會覺得無從下手，不知從何寫起 ， 當(dāng)困難解決了，我會覺得豁然開朗，思路打開了 ， 當(dāng)畢業(yè)設(shè)計經(jīng)過一次次的修改后，基本成形的時候，我覺得很有成 就感。 //符號位為 0 Absolute_Temperature=ACC。 } else if(sign==1) { ACC_0=Temperature_Low^4。 ACC_1=Temperature_Low^5。//等待 DS18B20 轉(zhuǎn)換結(jié)束 } DS18B20_RESET()。 for(。 //數(shù)字溫度的低字節(jié) unsigned char Temperature_High。 Temp_Byte=Temp_Bytei。 } // //讀 DS18B20,每調(diào)用一次，讀出一個字節(jié)內(nèi)容 //讀 scratchpad 時，讀出的順序從字節(jié) 0 的 LSB 位開始 (P6) // read_DS18B20(void) { bit Read_Bit=0。 DQ=0。 unsigned int i=0。 NOP()。 NOP()。 //維持 60us DQ=1。 //發(fā)送完 RESET 脈沖后，主機等待 15us 至 60us 的時間以等待 DS18B20 回復(fù) PRESENCE信號。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_3 =ACC^3。 P1MDOUT|=0xfd。 // select external oscillator as SYSCLK source and enable missing clock detector return。 i j。通過這次的畢業(yè)設(shè)計我了解了 DS18B20 溫度控制芯片的工作原理和性能特點，同時在運用所學(xué)的 C 語言知識進行實際編程的過程中也遇到許多問題，不過在老師及時幫助下最終克服了所有的困難。 ACC_4=Temperature_High^0。 //在此，我們只需要讀兩次，即讀出數(shù)字溫度值的高低兩字節(jié)即可 //主機可以在獲取了所需字節(jié)后，隨時以發(fā)送 RESET 脈沖來中止并開始下一次訪問。 （負溫度 把得到的 16 進制數(shù) 取反后 加 1 再轉(zhuǎn)成10 進制數(shù)） 設(shè)計中關(guān)于溫度轉(zhuǎn)換的程序： // //第二次訪問 DS18B20———— 讀取溫度值 // DS18B20_RESET()。如果總線上掛有多只DS18B20，這些指令將基于器件獨有的 64 位 ROM 片序列碼使得總線控制器選出特定要進行操作的器件。 for(i=0。//延時 9us，最佳讀數(shù)時間為 10~13uS左右 value=DQ。主機在一開始拉低總線 1 微秒后釋放總線，然后在包括前面的拉低總線電平 1 微秒在內(nèi)的 15 微秒時間內(nèi)完成對總線進行采樣檢測，采樣期內(nèi)總線為低電平則確認為 0。i++) { Write_Lsb=Command^i。//釋放總線為 39。 //寫 1 時隙，拉低至少一個 1us，然后必須于 15us 內(nèi)釋放 Delay(2)。 NOP()。隨后若主機想寫 0，則繼續(xù)拉低電 平最少 60 微秒直至寫周期結(jié)束，然后釋放總線為高電平。 } // //檢測 DS18B20 回應(yīng)的 PRESENCE 脈沖 //該低脈沖持續(xù) 60us 至 240us 的時間。存在脈沖讓總線控制器知道DS18B20 在總線上且已準(zhǔn)備好操作。 CRC 由存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)計算得到，因此當(dāng)存儲器中的數(shù)據(jù)發(fā)生改變時， CRC 的值也隨之改變?？偩€控制器在發(fā)出這條命令后發(fā)出讀時序， DS18B20 返回 0 表示正在召回中，返回 1 表示操作結(jié)束。字節(jié)第 5， 6 和 7 位被器件保留，禁止寫入；這些數(shù)據(jù)在讀回時全部表現(xiàn)為邏輯 1。最后 8 位是以上 56 位的 CRC 編碼。這樣的系統(tǒng)允許每一個掛在總線上的區(qū)間都能在適當(dāng)?shù)臅r間驅(qū)動它。 注：單總線特點 —— 單總線即只有一根數(shù)據(jù)線，系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)交換，控制都由這根線完成。 （ 3 ）在使用中不需要任何外圍元件。封裝后的 DS18B20 可用于電纜溝測溫，高爐水循環(huán)測溫，鍋爐測溫，機房測溫，農(nóng)業(yè)大棚測溫，潔凈室測溫，彈藥庫測溫等各種非極限溫度場合。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_2 =ACC^2。 P0MDOUT|=0xff。 // XTLVLD blanking interval (1ms) OSCICN = 0x88。 for(i = 0。在芯片擦操作中，代碼陣列全被寫“ 1”且在任何非空存儲字節(jié)被重復(fù)編程以前，該操作必須被執(zhí)行。 XTAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時鐘工作電路的輸入。另外，該引腳被略微拉高。然而，初始復(fù)位不改變 RAM（包括工作寄存器 R0R7）的狀態(tài)。在給出地址“ 1”時，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢，當(dāng)對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進行讀寫時， P2 口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。在編程時， P0 口作為原碼輸入口，當(dāng)進行校驗時， P0 輸出原碼，此時 P0 外部必須被拉高。所有中斷分為高級和低級兩個中斷優(yōu)先級。 80C51 有 4 個物理上相互獨立的存儲器空間：即內(nèi)、外程序存儲器和內(nèi)、外數(shù)據(jù)存儲器。 （ 2）控制器電路 控制器電路包括程序計數(shù)器 PC、 PC 加 1 寄存器、指令寄存器、指令譯碼器、數(shù)據(jù)指針DPTR、堆棧指針 SP、緩沖器以及定時與控制電路等。 單片機，亦稱單片微電腦或單片微型計算機。 DS18B20 有嚴格的通信協(xié)議來保證各位數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性和完整性。 DS18B20 是一種智 能溫度傳感器 。 本 科 生 畢 業(yè) 論 文 學(xué) 院 電氣信息工程學(xué)院 專 業(yè) 通信工程 屆 別 20xx 題 目 基于 80C51單片機與 DS18B20的溫度檢測 軟件設(shè)計 學(xué)生姓名 龐京京 學(xué) 號 20xx0840133 指導(dǎo)教師 曾玉 教 務(wù) 處 制 云南民族大學(xué)畢業(yè)論文 (設(shè)計 )原創(chuàng)性聲明 本人鄭重聲明：所呈交的畢業(yè)論文 (設(shè)計 )，是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下進行研究工作所取得的成果。 我們的設(shè)計實驗?zāi)康氖菍?DS18B20 進行編程，了解其性能特點，通過所學(xué)的 C 語言知識和相關(guān)資料提供的指令代碼完成單片機與 DS18B20 的溫度檢測。由于 DS18B20 是在一根 I/O 線上讀寫數(shù)據(jù)，因此，對讀寫的數(shù)據(jù)位有著嚴格的時序要求。通過對 80C51 單片機進行編程，從而控制 DS18B20 進行溫度測量和溫度轉(zhuǎn)換。運算電路以 ALU 為核心單元，可以完成半字節(jié)、單字節(jié)以及多字節(jié)數(shù)據(jù)的運算操作，其中包括加、減、乘、除等算術(shù)運算以及與、或 、異或、求補和循環(huán)等邏輯操作，運算結(jié)果的狀態(tài)由狀態(tài)寄存器保存。 2. 存儲器 80C51 系列單片機的存儲器包括數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器，其主要特點是程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器的尋址空間是相互獨立的，物理結(jié)構(gòu)也不相同。 80C51 共有 5 個中斷源，即外中斷 2 個，定時 /計數(shù)中斷 2 個，串行中斷 1 個。 P0 能夠用于外 部程序數(shù)據(jù)存儲器，它可以被定義為 4 數(shù)據(jù) /地址的第八位。 P2 口當(dāng)用于外部程序存儲器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進行存取時， P2 口輸出地址的高八位。 RESET 由高電平下降為低電平后，系統(tǒng)即從 0000H 地址開始執(zhí)行程序。此時， ALE 只有在執(zhí)行 MOVX， MOVC 指令是 ALE 才起作用。在編程期間，此引腳也用于施加 12V 編程電源（ VPP）。 芯片擦除：整個 PEROM 陣列和三個鎖定位的電擦除可通過正確的控制信號組合，并保持 ALE 管腳處于低電平 10ms 來完成。 j =milliseconds。 i++) 。 XBR2 = 0x40。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_1 =ACC^1。主要根據(jù)應(yīng)用場合的不同而改變其外觀。 C 。 DS18B20 具有體積更小、適用電壓更寬、更經(jīng)濟、可選更小的封裝方式，更寬的電壓適用范圍，適合于構(gòu)建自己的經(jīng)濟的測溫系統(tǒng)，因此也就被設(shè)計者們所青睞。每一個總線上的器件必須是漏極開路或三態(tài)輸出。接著的 48 位是一個唯一的序列號。位 4 包含配置寄存器 數(shù)據(jù)，其被詳述于配置寄存器節(jié)。數(shù)據(jù)也可以通過召回 EEPROM 命令從暫存器載入 EEPROM。 CRC 碼由 ROM 的前 56 位計算得到，被包含在 ROM 的重要字節(jié)當(dāng)中。初始化序列包括一個由總線控制器發(fā)出的復(fù)位脈沖和其后由從機發(fā)出的存在脈沖。//等待約 20us return。寫周期一開始做為主機先把總線拉低 1 微秒表示寫周期開始。139。 } // //write 1 slot：每次調(diào)用后向 DS18B20 寫一次‘ 1’ // void write_1(void) { DQ=0。 DQ=1。i8。若要送出 1 則釋放總線為高電平。 Delay(18)。 unsigned char Temp_Byte=0。 } ROM 指令代碼 一旦總線控制器探測到一 個存在脈沖，它就發(fā)出一條 ROM 指令。 圖 DS18B20 溫度轉(zhuǎn)換圖 例如：＋ 125℃ 的數(shù)字輸出為 07D0H （正溫度 直接吧 16 進制數(shù)轉(zhuǎn)成 10 進制即得到溫度值 ） 55℃ 的數(shù)字輸出為 FC90H。（字節(jié) 0 和字 節(jié) 1 中分別存儲了數(shù)字溫度值的低 8 位和高 8 位） //發(fā)送功能指令 BEh 后， DS18B20 將連續(xù)送出 9 個字節(jié)的內(nèi)容，從字節(jié) 0 的 LSB 位開始， //依次為 Temperature LSB,Temperature MSB（ P10） ,TH,TL,Config,FFh,OCh,10h,CRC。 ACC_3=Temperature_Low^7。在這段時間里，我學(xué)到