【正文】 日歷和鬧鐘信息都可以訪問(wèn)， UIP 位是只讀的，而且不受 RST 信號(hào)影響，將寄存器 B 的 SET 位置 1 時(shí)，禁止任何更新傳輸并且清除 UIP 位。 DM位通過(guò)程序設(shè)置為適當(dāng)格式，如果需要可以讀出。 AIE 不受任何 DS12C887 內(nèi)部功能的影響，但會(huì)由 RST 信號(hào)清 0。如果 UF位置 1，則 UF 位的 1 狀態(tài)會(huì)使 IRQF 位置 1，并且使 IRQ 引腳有效。 PF與 PIE 位均為 1 時(shí)， IRQ 信號(hào)有效并且 IRQF 置 1。 （ 1）實(shí)物圖如下圖 （ a），原理圖如下圖 （ b） XX學(xué)院 XX屆畢業(yè)論文 9 實(shí)物圖 （ a） 原理圖 （ b） （ 2）各引腳的功能和作用： （ a） 1 腳（ MOT）： Motorola 或 Intel 總線時(shí)序選擇端。讀周期結(jié)束后，總線恢復(fù)高阻狀態(tài)，同時(shí) DS 在 Motorola時(shí)序中變低，在 Intel時(shí)序中變高。由低變高的地址選通脈沖用來(lái)分離總線的信號(hào)。在 MOT 引腳接 GND 的的 Intel時(shí)序中， RW 為低電平有效。在寫(xiě)周期中， DS 信號(hào)的下降沿使 DS12C887 鎖存所寫(xiě)的數(shù)據(jù)。 DS12C887 的 IRQ 引腳低電平有效，可用作處理器的中斷申請(qǐng)輸入，只要引起中斷的狀態(tài)置位，并且相應(yīng)中斷使能位也置位， IRQ將一直保持低電平。 （ n） 24 腳（ VCC）：主電源的 DC 電源引腳。當(dāng)片選信號(hào) CS 為低， AS 為低， DS 為低， RW 為高，一個(gè) DS 上升沿將數(shù)據(jù)讀走。// 拉低 RW P1=date。// 拉高 RW P1=add。//將數(shù)據(jù)返回 } 1602 液晶 顯示電路 設(shè)計(jì) 1602 液晶 概述 本設(shè)計(jì)采用 SMC1602A LCM 液晶芯 片，由長(zhǎng)沙太陽(yáng)人電子有限公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)，它具有 重量輕、 體積小 、 功耗低 、 顯示內(nèi)容 豐富、 可自編 8（ 5 7）或（ 5 10）種字符、指 令功能強(qiáng)； 可組合成各種輸入 、 顯示 、 移位方式以滿(mǎn)足不同的設(shè)計(jì)需求； 接口簡(jiǎn)單方XX學(xué)院 XX屆畢業(yè)論文 15 便， 可與 8 位處理器或微控制器相連；工作溫度 050℃； 可靠性高， 壽命為 50000 小時(shí)（ 25℃）； 1602 液晶基本原理 實(shí)物如圖 （ a），原理圖如圖 （ b） 實(shí)物圖 （ a） 原理圖 （ b） 該液晶有 16 個(gè)管腳，典型 工作電路如圖 （ c） 工作電路 （ c） 下面分析每個(gè)管腳的不同作用： （ a） 1 腳（ Vss）：接地，電壓為 0V； （ b） 2 腳（ VDD）：芯片電路電源正極，正常工作電壓值為（ 5V177。 ∕∕將 en 拉低后指令寫(xiě)入 } void write_data(uchar date)∕∕ 該程序的作用是向 1602 液晶內(nèi)寫(xiě)數(shù)據(jù) { lcdrs=1。 圖 （ f） XX學(xué)院 XX屆畢業(yè)論文 21 從位的定義我們可以發(fā)現(xiàn)“ 0”、“ 1”均以 的低電平開(kāi)始，不同的是高電平的寬度不同，“ 0”為 ,“ 1”為 ,所以必須根據(jù)高電平的寬度區(qū)別“ 0”和“ 1”。//返回低電平持續(xù)時(shí)間 } uint high_ir_time()//此程序的作用是檢測(cè)高電平的時(shí)間 { TH0=0。 if((temp8500)||(temp9500)) continue。 if((temp200)||(temp800)) goto restart。對(duì)于我們普通的電子愛(ài)好者來(lái)說(shuō)， DS18B20 的優(yōu)勢(shì)更是我們學(xué)習(xí)單片機(jī)技術(shù)和開(kāi)發(fā)溫度相關(guān)的小產(chǎn)品的不二選擇 ，本設(shè)計(jì)即采用由美國(guó)達(dá)拉公司生產(chǎn)的 DS18B20 溫度傳感器。因此，可以根據(jù) S 位來(lái)判斷溫度的正負(fù)； DS18B20 溫度傳感器 工作時(shí)序 由于 DS18B20 是單總線分時(shí)復(fù)用芯片，因此在操作時(shí)要遵守嚴(yán)格的工作時(shí)序，初始化時(shí)序如下圖 （ a），寫(xiě)時(shí)序如圖 （ b），讀時(shí)序如圖 （ c） 圖 （ a） 圖 （ b） XX學(xué)院 XX屆畢業(yè)論文 26 圖 （ c） 控制器對(duì) DS18B20 操作流程 （要想操作 DS18B20，必須要做到三步：復(fù)位 、 發(fā)送ROM 指令 、發(fā)送 RAM 指令 ） （ a）復(fù)位： 首先我們必須對(duì) DS18B20 芯片進(jìn)行復(fù)位， 如上圖 （ a）， 復(fù)位就是由控制器（單片機(jī)）給 DS18B20 單總線 由高電平拉低至 480uS960uS 的低電平信號(hào) ，然后由 MCU 釋放總線， 當(dāng) 18B20 接到此復(fù)位信號(hào)后則會(huì)在 1560uS 后回發(fā)一個(gè)芯片的存在脈沖 （即由 DS18B20 將總線拉低 60240uS），當(dāng)控制器接收到存在脈沖后表明復(fù)位成功，否則放棄此次復(fù)位操作，延時(shí)一段時(shí)間，準(zhǔn)備下一步操作； （ b）向 DS18B20 內(nèi)部寫(xiě)“ 0”或“ 1”：如上圖 （ b）， MCU 首先將單總線由高電平拉至低電平，并保持超過(guò) 1uS 后，如果寫(xiě)“ 0”，就繼續(xù)拉低總線，保持至少 60uS（但是不要超過(guò) 120uS）的時(shí)間， DS18B20 會(huì)在從總線一開(kāi)始被拉低的 1560uS 的時(shí)間內(nèi)對(duì)總線進(jìn)行采樣，如果檢測(cè)到總線為低電平就表明寫(xiě)“ 0”；當(dāng) MCU 首先將總線由高電平拉至低電平，并保持 1uS 后，如果寫(xiě)“ 1”，控制器就將總線拉高（即釋放總線），保持至少 60uS（但是不要超過(guò) 120uS）的時(shí)間， DS18B20 會(huì)在從總線一開(kāi)始被拉低的 1560uS的時(shí)間內(nèi)對(duì)總線進(jìn)行采樣，如果檢測(cè)到總線為高電平就表明寫(xiě)“ 1”；注意，如上圖（ d）中在寫(xiě) 0 或 1 時(shí)之間至少要保持 1uS 的時(shí)間，不可連續(xù)操作； （ c）從 DS18B20 內(nèi)部讀“ 0”或“ 1”：如上圖 （ c），當(dāng)控制器從 DS18B20 內(nèi)部讀0 或 1 時(shí)，控制器首先將總線由高電平拉至低電平，并保持超過(guò) 1uS 后，將總線拉低（即釋放總線）， DS18B20 會(huì)對(duì)這一操作立即 作出反應(yīng)，迅速將要輸出的數(shù)據(jù)放到總線上，控制器會(huì)在下降沿開(kāi)始的 115uS 內(nèi)對(duì)總線進(jìn)行采樣，如果 MCU 檢測(cè)到總線為低電平，則表明 DS18B20 輸出了 0，如國(guó)檢測(cè)到總線為高電平，則表明 DS18B20 輸出了 1； （ d）控制器發(fā)布 ROM 指令： 雙方 達(dá)成協(xié)議 之后 接下來(lái) 將 要 進(jìn)行 通信 了， ROM 指令共有 5 條，每一個(gè)工作周期只能發(fā)一條， ROM 指令分別是讀 ROM 數(shù)據(jù)、指定匹配芯片、XX學(xué)院 XX屆畢業(yè)論文 27 跳躍 ROM、芯片搜索、報(bào)警芯片搜索。只有當(dāng)總線上只存在一個(gè) DS18B20 的時(shí)候才可以使用此指令，如果掛接不只一個(gè)，當(dāng)通信時(shí)將會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)沖突。寫(xiě)入過(guò)程中可以用復(fù)位信號(hào)中止寫(xiě)入。在寄生工作方式時(shí)必須在發(fā)出此指令后立刻超用強(qiáng)上拉并至少保持 500MS，來(lái)維持芯片工作。//總線開(kāi)始為高 delay1(8)。 uchar dat=0。//每讀一個(gè)數(shù)之間都得有間隔 } return (dat)。延時(shí) DQ=1。//跳過(guò)檢測(cè) write_DS18B20(0x44)。//溫度為負(fù)時(shí) write_(0x80+0x0a)。 軟件開(kāi)發(fā)與調(diào)試 使用 Keil軟件編寫(xiě)系統(tǒng)程序 。第五，遇到問(wèn)題查找原因，解決問(wèn)題，經(jīng)過(guò)反復(fù)測(cè)試、調(diào)試，逐步推進(jìn)，最終要滿(mǎn)足課題要求。第三，整體調(diào)節(jié)時(shí)，系統(tǒng)對(duì)溫度、 噪音、 震動(dòng)等外界條件的干擾都是否滿(mǎn)足要求。 XX學(xué)院 XX屆畢業(yè)論文 32 圖 （ b） （ c） 按要求擺好元器件后按設(shè)計(jì)要求連接元器件 引腳 ，檢查電氣規(guī)則，是否有漏連 現(xiàn)象，排除錯(cuò)誤 ，生成網(wǎng)絡(luò)表文件和元器件清單報(bào)表。//讀高 8 位 cc=(aa4)|(bb4)。 init_DS18B20()。0x01。//釋放總線 if(DQ==1)//MCU 讀取總線 { dat=dat|0x80。//存在脈沖 delay1(20)。 DS18B20 溫度傳感器 典型工作方式 ① DS18B20 初始化（復(fù)位 存在脈沖） ；② 向 DS18B20 發(fā)送命令 CCH(skip ROM)（跳過(guò)檢測(cè) ROM 地址）； ③ 向 DS18B20 發(fā)送命令 44H，開(kāi)始溫度轉(zhuǎn)換； ④ DS18B20 初始化 （復(fù)位存在脈沖） ；⑤ 向 DS18B20 發(fā)送命令 CCH(skip ROM)（跳過(guò)檢測(cè) ROM 地址）； ⑥ 向DS18B20 發(fā)送命令 BEH，讀整個(gè)暫存器及 CRC 數(shù)據(jù)；（其中頭兩個(gè)字節(jié)就是溫度值（先讀的位 LSB，后讀的位 MSB）） 溫度傳感器 DS18B20 主要程序分析 void init_DS18B20()//此函數(shù)的作用是初始化 DS18B20 { uchar x=0。 （ d） Convert T（溫度轉(zhuǎn)換） [44H]； 收到此指令后芯片將進(jìn)行一次溫度轉(zhuǎn)換，將轉(zhuǎn)換的溫度值放入 RAM 的第 2 地址。只要芯片不掉電，報(bào)警狀態(tài)將被保持，直到再一次測(cè)得溫度 值 達(dá)不到報(bào)警條件為止。操作指令同樣為 8 位，共 6 條，存儲(chǔ)器操作指令分別是寫(xiě) RAM 數(shù)據(jù)、讀 RAM 數(shù)據(jù)、將 RAM 數(shù) 據(jù) 復(fù)制 到 EEPROM、溫度轉(zhuǎn)換、將 EEPROM中的報(bào)警值復(fù)制到 RAM、 工作方式切換。F)， 內(nèi)置 EEPROM，限溫報(bào)警功能 ， 64 位光刻 ROM，內(nèi)置產(chǎn)品序列號(hào) 方便多機(jī)掛接 ， 多樣封裝形式 適應(yīng)不同硬件系統(tǒng)。 } XX學(xué)院 XX屆畢業(yè)論文 23 } DS18B20 溫度傳感器 電路設(shè)計(jì) ： DS18B20 溫度傳感器 概述 溫度傳感器的種類(lèi)眾 多，在應(yīng)用與高精度、高可靠性的場(chǎng)合時(shí) 美國(guó) DALLAS（達(dá)拉斯）公司生產(chǎn)的 DS18B20 溫度傳感器當(dāng)仁不讓。j8。 //返回高電平持續(xù)時(shí)間 } while(1) { restart: XX學(xué)院 XX屆畢業(yè)論文 22 while(ir)。//等待 TR0=0。 ∕∕延時(shí) 5ms lcden=0。 ∕∕將 en 拉高 delay(5)。// 拉高 AS time_cs=1。// 拉高 AS time_ds=1。//向總線放地址 time_as=0。當(dāng)片選信號(hào) CS 為低， AS 為低， DS 為高，將數(shù)據(jù)放到總線上，一個(gè) RW 上升沿將數(shù)據(jù)寫(xiě)入 DS12C887 內(nèi)部?？赏ㄟ^(guò)對(duì)寄存器 A 編程來(lái)控制 SQW 引腳的輸出信號(hào)頻率， SQW 信號(hào)可通過(guò)設(shè)置寄存器 B 的 SQW 位打開(kāi)或關(guān)閉。使得 DS12C87 在進(jìn)入或退出電源失效狀態(tài)時(shí)不影響任何控制寄存器是的值。MOT 引腳接 Vcc 時(shí)，選擇 Motorola 總線時(shí)序，在此模式下，總線周期的后期 DS為正脈沖，稱(chēng)作數(shù)據(jù)選通脈沖。在 MOT 引腳接 Vcc 的MOtorola 的時(shí)序中， RW 電平用來(lái)指示當(dāng)前周期是讀還是寫(xiě)。此舉旨在斷電時(shí)保護(hù) RTC 數(shù)據(jù)和 RAM 數(shù)據(jù)。所寫(xiě)的數(shù)據(jù)由 DS 信號(hào)的下降沿（ Motorola 時(shí)序） ，或 RW 信號(hào)的上升沿（ Intel 時(shí)序）鎖存。 （ 2）第 7 位： RAM 和時(shí)鐘有效（ VRT） ,該位不能寫(xiě)入，而且讀取時(shí)應(yīng)該總為 1，如果出現(xiàn) 0，則說(shuō)明內(nèi)部鋰電池電能耗盡， RTC 和 RAM 的數(shù)據(jù)均不可靠。 RS3RS0 設(shè)置周期頻率。 控制寄存器 C ： XX學(xué)院 XX屆畢業(yè)論文 8 （ 1）第 0 位到第 3 位