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芯片工藝流程(存儲(chǔ)版)

2025-03-09 05:11上一頁面

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【正文】 入 ( 2) 單相工藝 離子注入 ( 3) 單相工藝 蒸發(fā)( 1) 蒸發(fā)原理示意圖 單相工藝 蒸發(fā)( 2) 濺射原理示意圖 單相工藝 蒸發(fā)( 3) 單相工藝 清洗 基礎(chǔ)認(rèn)知 襯底材料 擴(kuò)散層 外延層 一次氧化 基區(qū)光刻 干氧氧化 離子注入 基區(qū)擴(kuò)散 發(fā)射區(qū)光刻 發(fā)射區(qū)預(yù)淀積 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散( *) 發(fā)射區(qū)低溫氧化( *) 氫氣處理 N+光刻(適用于 P型片) N+淀積擴(kuò)散(適用 P型片)
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