品質管理部檢驗教程a-243a3(存儲版)
【正文】 mm， 510mm， ﹥ 10mm。 ? 厚度： 190177。 絨面色斑包括水痕印、未制絨、未鍍膜、手指印、斑點等。 虛?。河袝r會由于原材料原因導致如：據(jù)痕、厚薄不 均。 裝箱時保證同一箱為相同的電性等級 和外觀等級。另注意漏漿千萬不能 漏在正面電極，這樣會使 RSH（并聯(lián)電阻）過低。 □檢驗方法：距離電池 2030cm的距離，目視方向垂直于電池片表面觀察。 ? 邊長： 156 156177。 ① 輕線：有明顯視覺線痕，無明顯手感，線痕小于 30 ? ； ② 硅落：邊緣材料缺損小于 ； ③ 輕花：單面臟污或氧化面積小于硅片表面積的 1/5，無明顯色差； ④ 不得有裂痕、裂紋、孔洞、缺角、 V形（銳形）缺口。 10μm， TTV≤20μm □ TTV就是指總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標準測量是取硅片 5點厚度：邊緣上下左右 4點和中心點）； □電阻率的測試：電阻率是根據(jù)情況按比例用電阻率測試儀進行抽測。 □線痕深度測試儀可以對硅片進行線痕深度的測試。改善鑄錠工藝解決此問題。 □ 改善方法：（ 1）硅片整面密集線痕，原因為砂漿本身切割能力嚴重不足引起，包括 SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。 （ 2）導致砂漿結塊的原因有：砂漿攪拌時間不夠； SIC水分含量超標，砂漿配制前沒有進行烘烤； PEG水分含量超標（重量百分比 %）； SIC成分中游離 C（ %）以及 2μm微粉超標。 □改善方法：（ 1）改善原材料或鑄錠工藝，改善 IPQC檢測手段。 破片：無法使用 孔洞 裂紋、暗裂 裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個晶片厚度的解理或裂痕。 ② 搬運硅棒時也必須輕拿輕放，避免和其它硬物磕碰。相應的記錄表單為《成品硅塊檢驗記錄表》。cm） 硅塊的檢驗標準 ? 少子壽命的合格范圍為 ≥2μs ? 氧含量＜ 8 1017cm3 ? 碳含量＜ 5 1017cm3 ? 紅外探傷：硅塊頭部裂紋、雜質、陰影、黑點≤5㎜，中部無裂紋、雜質、黑點、陰影、微晶。 ? 2對角線長的標準值為 ,允許誤差為177。 ⑥電阻率檢測 金屬四探頭電阻率方阻測試儀 用金屬四探頭電阻率方阻測試儀檢測每個硅塊的電阻率，測試方法為從硅塊的側壁取 3個點，由頭部向底部測量，選取測試點的方式根據(jù)硅塊的長度的百分比進行選定，測試點須在硅塊側面的中部，即邊寬中心線 20㎜內。用電子臺秤稱取硅棒凈重，單位為 kg, 所得數(shù)據(jù)小數(shù)點后保留兩位。 測量方法： ①取料后先進行編號的核對，要保證物、單一致。 用地秤測量它的重量。另外，也影響微晶、電阻率等重要指標。 按導電類型劃分： N型、 P型 按硅的形狀劃分：粉狀、粒狀、塊狀、棒狀、片狀等。 多晶硅：由許多不同方位的單晶組成。嚴重影響少子壽命，會經(jīng)常造成假壽命，因為氧與重金屬結合，在熱處理時，降低壽命。單位為毫米，讀取數(shù)據(jù)為小數(shù)點后保留一位小數(shù)。 測量工具：游標卡尺、萬能角度尺、電子稱、紅外晶錠探傷儀、硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)、金屬四探頭電阻率方阻測試儀、 P/N導電類型鑒別儀 (硅料綜合測試儀 )。萬能角度尺測量四個側面的直角度，頭尾都需測量，共 8處，取與標準值誤差最大的數(shù)據(jù)，單位為度所得數(shù)據(jù)小數(shù)點后保留一位。 數(shù)據(jù)記錄：少子壽命的單位為 μm，所得數(shù)據(jù)小數(shù)點后保留一位。 ? 外觀標準：崩邊、裂痕、缺角、鋸縫、線痕等缺陷在距硅塊頭部 5㎜內的屬于合格品。cm（平均 三、成品硅塊檢測 把測量好的數(shù)據(jù)填寫在相應的檢驗記錄表單上， 記錄數(shù)據(jù)一定要書寫清楚。 ? 倒角尺寸： ~ 成品硅塊的檢驗標準 ①用量具檢測硅棒時必須小心謹慎，用力要輕，避免量具磕碰硅棒，而使硅棒損耗。 將硅片展開：整體檢查硅片邊緣線痕、崩邊
公司管理相關推薦
鄂ICP備17016276號-1